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Cobizos, Motores, Módulos, Tiras (2790)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tamaña / dimensión	TUPO	Cuidadas	Base Número de Producto	Color	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Current - Max	Longitud de Onda	Alta	Voltaje - Forward (VF) (Typ)	Real - PrueBa	Ángulo de Visión	CCT (k)	Fljo luminoso @ corriente/temperatura	Temperatura - PrueBa	Lumens/watt @ real - prueba	Cri (Índice de Renderizado de color)	Superficie Emisora de Luz (Les)	Tipo de lente
Sphwhahdnf28yzr3d2	2.5143	RFQ	2489	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2	Banda	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnf28	Blanco, genial	descascar				EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	1.38a	-	1.50 mm	34.6V	540ma	115 °	5000K 3 Pasos Macadam Ellipse	2138LM (typ)	85 ° C	114 LM/W	-	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphhahdne25yzv3d1	-	RFQ	3132	Samsung Semiconductor, Inc.	LC016D	Banda	Obsoleto	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphhahdne25	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		EAR99	8541.41.0000	1.600	Cuadrado	1.15a	-	1.50 mm	34.6V	450 mm	115 °	3000K 3 Pasos Macadam Ellipse	2291lm (typ)	85 ° C	147 lm/w	80	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphww1hdna27yhu31g	2.8362	RFQ	6909	Samsung Semiconductor, Inc.	LC013B Gen2	Banda	No hay para Nuevos Diseños	17.00 mm LX 17.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphww1	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)	1510-2023	EAR99	8541.41.0000	480	Cuadrado	660ma	-	1.60 mm	35.5V	360 Ma	115 °	3500K 3 Pasos Macadam Ellipse	1610lm (1475lm ~ 1745lm)	25 ° C	126 LM/W	90	DiáMetro de 11.00 mm	Departamento de Departamento
SI-B8V151560WW	-	RFQ	3256	Samsung Semiconductor, Inc.	LT-M562B	Banda	Obsoleto	560.00 mm LX 18.00 mm W	Módulo liderado	Conector	Si-B8	Blanco, Cálido	-	Cumplimiento de Rohs	1 (ilimitado)	1510-1140	EAR99	8541.41.0000	280	Tira de Luz lineal	600mA	-	5.80 mm	24.7V	600mA	115 °	3000K 3 Pasos Macadam Ellipse	1950lm (typ)	50 ° C	132 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
SI-B8R112560WW	-	RFQ	3198	Samsung Semiconductor, Inc.	LT-E562A	Banda	Obsoleto	560.00 mm LX 24.00 mm W	Módulo liderado	Conector	Si-B8	Blanco, genial	descascar	Cumplimiento de Rohs	1 (ilimitado)	1510-1226	EAR99	8541.41.0000	240	Tira de Luz lineal	360 Ma	-	5.80 mm	37.4V	300mA	115 °	5000K 4 Pasos Macadam Ellipse	1518LM (TÍP)	50 ° C	135 lm/w	80	-	Departamento de Departamento
SI-B8T341B2CUS	13.0500	RFQ	279	Samsung Semiconductor, Inc.	Veria V	Una granela	Obsoleto	1120.00 mm LX 18.00 mm W	Módulo liderado	Conector	Si-B8	Blanco, neutral	descascar		No Aplicable	1510-2215	EAR99	8541.41.0000	360	Tira de Luz lineal	1.08a	-	5.50 mm	48V	700mA	120 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	4920LM (typ)	50 ° C	146 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
SI-B8V342560WW	17.1000	RFQ	680	Samsung Semiconductor, Inc.	LT-F562A_G2	Banda	Obsoleto	560.00 mm LX 18.00 mm W	Módulo liderado	Conector	Si-B8	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	No Aplicable	1510-1326	EAR99	8541.41.0000	280	Tira de Luz lineal	1.62a	-	3.80 mm	24.8V	1.35a	115 °	3000K 4 Pasos Macadam Ellipse	4605lm (TÍP)	50 ° C	138 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
Sphwhahdnd27yzu3d2	1.5240	RFQ	5211	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2	Banda	No hay para Nuevos Diseños	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnd27	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		EAR99	8541.41.0000	1,000	Cuadrado	920 mm	-	1.50 mm	34.6V	360 Ma	115 °	3500K 3 Pasos Macadam Ellipse	1635lm (typ)	85 ° C	131 LM/W	90	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnc25yzv2db	0.8297	RFQ	3257	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2 Plus	Banda	Activo	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnc25	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)	1510-sphhahdnc25yzv2db	EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	540ma	-	1.50 mm	34V	270 Ma	115 °	3000K 2 Pasos Macadam Ellipse	1425lm (typ)	85 ° C	155 lm/w	80	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnf27yzw2h9	-	RFQ	4978	Samsung Semiconductor, Inc.	LC019D	Banda	Obsoleto	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnf27	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)	1510-1941	EAR99	8541.41.0000	1.600	Cuadrado	1.38a	-	1.50 mm	34.6V	540ma	115 °	2700K 2 Pasos Macadam Ellipse	2104lm (typ)	85 ° C	113 LM/W	90	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnl251zp3q6	-	RFQ	9695	Samsung Semiconductor, Inc.	LC060D	Banda	Obsoleto	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnl251	Blanco, genial	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		EAR99	8541.41.0000	1,280	Cuadrado	2.76a	-	1.50 mm	52V	1.08a	115 °	6500K 3 Pasos Macadam Ellipse	8066lm (typ)	85 ° C	144 LM/W	80	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnh27yzw3dc	7.3600	RFQ	148	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3 Plus	Caja	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnh27	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)	1510-sphhahdnh27yzw3dc	EAR99	8541.41.0000	250	Cuadrado	1.8a	-	1.50 mm	33.7V	900mA	115 °	2700k 3 Pasos Macadam Ellipse	3955lm (TÍP)	85 ° C	131 LM/W	90	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdna27yzr3dc	1.4800	RFQ	388	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3 Plus	Caja	Activo	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdna27	Blanco, genial	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)	1510-sphhahdna27yzr3dc	EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	180 Ma	-	1.50 mm	33.7V	90 Ma	115 °	5000K 3 Pasos Macadam Ellipse	459lm (typ)	85 ° C	151 LM/W	90	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
SI-B8U102280WW	-	RFQ	5924	Samsung Semiconductor, Inc.	LT-H282A	Caja	Obsoleto	280.00 mm LX 24.00 mm W	Módulo liderado	Conector	Si-B8	Blanco, Cálido	-	Cumplimiento de Rohs	No Aplicable		EAR99	8541.41.0000	320	Tira de Luz lineal	360 Ma	-	5.80 mm	34.3V	300mA	-	3500K 3 Pasos Macadam Ellipse	1310lm (typ)	50 ° C	127 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
SI-B9V071280WW	-	RFQ	3711	Samsung Semiconductor, Inc.	LT-M272G	Banda	Obsoleto	275.00 mm LX 18.00 mm W	Módulo liderado	-	Si-B9	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	1 (ilimitado)	1510-1200	EAR99	8542.39.0001	400	Tira de Luz lineal	360 Ma	-	5.80 mm	24 V	300mA	115 °	3000K 3 Pasos Macadam Ellipse	690lm (typ)	50 ° C	96 LM/W	90	-	Departamento de Departamento
Sphwhahdnh23yzt3d2	3.7281	RFQ	9655	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2	Banda	No hay para Nuevos Diseños	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnh23	Blanco, neutral	descascar				EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	2.3a	-	1.50 mm	34.6V	900mA	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	5175lm (TÍP)	85 ° C	166 LM/W	70	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
SI-B8V111280WW	-	RFQ	8801	Samsung Semiconductor, Inc.	LAM-RT30B	Banda	Obsoleto	216.00 mm LX 273.00 mm W	Módulo liderado	Conector	Si-B8	Blanco, Cálido	-	Cumplimiento de Rohs	No Aplicable		EAR99	8541.41.0000	60	Rectángulo	900mA	-	6.70 mm	15.3V	700mA	145 °	3000K 3 Pasos Macadam Ellipse	1270LM (typ)	35 ° C	119 LM/W	80	-	Abovovor
Si-B8U111560WW	-	RFQ	8975	Samsung Semiconductor, Inc.	LT-M562A	Banda	Obsoleto	560.00 mm LX 18.00 mm W	Módulo liderado	Conector	Si-B8	Blanco, Cálido	-	Cumplimiento de Rohs	1 (ilimitado)	1510-1127	EAR99	8541.41.0000	280	Tira de Luz lineal	450 mm	-	5.80 mm	24.7V	450 mm	115 °	3500K 3 Pasos Macadam Ellipse	1480LM (typ)	50 ° C	133 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
SL-B8R1N30LAWW	10.4600	RFQ	544	Samsung Semiconductor, Inc.	H afluencia	Banda	Activo	280.00 mm LX 24.00 mm W	Módulo liderado	-	SL-B8R1	Blanco, genial	descascar		1 (ilimitado)		EAR99	8541.41.0000	256	Tira de Luz lineal	1.6a	-	5.20 mm	11.1V	1A	118 °	5000K	2140LM (typ)	55 ° C	193 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
SL-B8R1N30LALA	-	RFQ	2373	Samsung Semiconductor, Inc.	*	Banda	Obsoleto				SL-B8R1		-		No Aplicable	1510-SL-B8R1N30LALA	Obsoleto		1
Sphwhahdnl251zp3d3	7.8376	RFQ	1975	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3	Banda	No hay para Nuevos Diseños	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnl251	Blanco, genial	descascar				EAR99	8541.41.0000	320	Cuadrado	2.76a	-	1.50 mm	51V	1.08a	115 °	6500K 3 Pasos Macadam Ellipse	9253LM (typ)	85 ° C	168 LM/W	80	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
SL-PGR2E27M3WW	-	RFQ	3308	Samsung Semiconductor, Inc.	TUPO E	Caja	Obsoleto	125.00 mm LX 50.00 mm W	Módulo liderado	-	SL-PGR2	Blanco, genial	-	Cumplimiento de Rohs	No Aplicable	1510-1154	EAR99	8473.30.5100	120	Rectángulo	1A	-	41.60 mm	30V	700mA	-	5000K	1900LM (TÍPICO)	65 ° C	90 lm/w	75	-	-
Sl-igr7e97sbww	84.7900	RFQ	4062	Samsung Semiconductor, Inc.	-	Banda	No hay para Nuevos Diseños	245.00 mm LX 186.00 mm W	Módulo liderado	-	Sl-igr7	Blanco, genial	-	Cumplimiento de Rohs	No Aplicable	1510-1689	EAR99	8541.41.0000	4	Rectángulo	2.1a	-	45.60 mm	52.2V	1.35a	-	5000K	9700LM (TÍP)	-	138 LM/W	75	-	Departamento de Departamento
SL-P7R2E31MZWW	-	RFQ	5040	Samsung Semiconductor, Inc.	TUPO E	Banda	Obsoleto	125.00 mm LX 50.00 mm W	Módulo liderado	-	SL-P7R2	Blanco, genial	-	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		EAR99	8541.41.0000	12	Rectángulo	-	-	41.60 mm	30V	700mA	-	5000K	2100LM (typ)	65 ° C	100 lm/w	70	-	-
Sphhahdne25yzv3db	3.5300	RFQ	60	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2 Plus	Banda	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphhahdne25	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)	1510-sphhahdne25yzv3db	EAR99	8541.41.0000	250	Cuadrado	900mA	-	1.50 mm	34V	450 mm	115 °	3000K 3 Pasos Macadam Ellipse	2399lm (typ)	85 ° C	157 LM/W	80	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnf2vyzt2d2	2.6550	RFQ	6445	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2	Banda	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnf2	Blanco, neutral	descascar				EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	1.38a	-	1.50 mm	34.6V	540ma	115 °	4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse	2376lm (typ)	85 ° C	127 LM/W	-	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
SI-B8V17256001	5.2401	RFQ	8286	Samsung Semiconductor, Inc.	LT-M562C Gen3	Banda	Activo	560.00 mm LX 18.00 mm W	Módulo liderado	-	Si-B8	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	No Aplicable		EAR99	8541.41.0000	280	Tira de Luz lineal	1.08a	-	5.80 mm	24 V	700mA	115 °	3000K	2535lm	-	151 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
Sphwhahdng25yzt2d1	-	RFQ	8080	Samsung Semiconductor, Inc.	LC026D	Banda	Obsoleto	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdng25	Blanco, neutral	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		EAR99	8541.41.0000	1.600	Cuadrado	1.84a	-	1.50 mm	34.6V	720 mm	115 °	4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse	3736lm (typ)	85 ° C	150 lm/w	80	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnm251zt2d2	8.8119	RFQ	3248	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2	Banda	No hay para Nuevos Diseños	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnm251	Blanco, neutral	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		EAR99	8541.41.0000	320	Cuadrado	4.14a	-	1.50 mm	52V	1.62a	115 °	4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse	13123LM (typ)	85 ° C	156 LM/W	80	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphhahdng27yzt2db	2.0330	RFQ	3489	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2 Plus	Banda	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdng27	Blanco, neutral	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)	1510-sphhahdng27yzt2db	EAR99	8541.41.0000	250	Cuadrado	1.44a	-	1.50 mm	34V	720 mm	115 °	4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse	3387LM (typ)	85 ° C	138 LM/W	90	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento