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Cobizos, Motores, Módulos, Tiras (2790)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tamaña / dimensión	TUPO	Cuidadas	Base Número de Producto	Color	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Current - Max	Longitud de Onda	Alta	Voltaje - Forward (VF) (Typ)	Real - PrueBa	Ángulo de Visión	CCT (k)	Fljo luminoso @ corriente/temperatura	Temperatura - PrueBa	Lumens/watt @ real - prueba	Cri (Índice de Renderizado de color)	Superficie Emisora de Luz (Les)	Tipo de lente
Sphwhahdnl251zp3d3	7.8376	RFQ	1975	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3	Banda	No hay para Nuevos Diseños	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnl251	Blanco, genial	descascar				EAR99	8541.41.0000	320	Cuadrado	2.76a	-	1.50 mm	51V	1.08a	115 °	6500K 3 Pasos Macadam Ellipse	9253LM (typ)	85 ° C	168 LM/W	80	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
SL-B8R1N30LAWW	10.4600	RFQ	544	Samsung Semiconductor, Inc.	H afluencia	Banda	Activo	280.00 mm LX 24.00 mm W	Módulo liderado	-	SL-B8R1	Blanco, genial	descascar		1 (ilimitado)		EAR99	8541.41.0000	256	Tira de Luz lineal	1.6a	-	5.20 mm	11.1V	1A	118 °	5000K	2140LM (typ)	55 ° C	193 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
Sphww1hdnb27yht2b3	-	RFQ	8117	Samsung Semiconductor, Inc.	LC019B Gen3	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	17.00 mm LX 17.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphww1	Blanco, neutral	descascar		1 (ilimitado)		EAR99	8541.41.0000	1.400	Cuadrado	980 Ma	-	1.50 mm	35.5V	540ma	115 °	4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse	2578LM (2254LM ~ 2901LM)	25 ° C	134 LM/W	90	Dia de 12.40 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnf25yzv2db	1.5977	RFQ	8564	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2 Plus	Banda	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnf25	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)	1510-sphhahdnf25yzv2db	EAR99	8541.41.0000	250	Cuadrado	1.08a	-	1.50 mm	34V	540ma	115 °	3000K 2 Pasos Macadam Ellipse	2877LM (typ)	85 ° C	157 LM/W	80	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Si-b8u221b2cus	9.1800	RFQ	349	Samsung Semiconductor, Inc.	LT-VB22A	Banda	Activo	1120.00 mm LX 18.00 mm W	Módulo liderado	Conector	Si-B8	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	No Aplicable	1510-2155	EAR99	8541.41.0000	360	Tira de Luz lineal	1.08a	-	5.50 mm	25.2V	840 Ma	120 °	3500K 3 Pasos Macadam Ellipse	2800LM (TÍP)	50 ° C	132 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
Sphwhahdnk25yzt2d2	4.3636	RFQ	3715	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2	Banda	No hay para Nuevos Diseños	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnk25	Blanco, neutral	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		EAR99	8541.41.0000	320	Cuadrado	2.76a	-	1.50 mm	34.6V	1.08a	115 °	4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse	6146lm (typ)	85 ° C	164 LM/W	80	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
SI-B8U072280WW	6.3000	RFQ	235	Samsung Semiconductor, Inc.	LT-M282B_G2	Banda	Obsoleto	275.00 mm LX 18.00 mm W	Módulo liderado	Conector	Si-B8	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	No Aplicable		EAR99	8541.41.0000	400	Tira de Luz lineal	360 Ma	-	4.40 mm	24.8V	300mA	115 °	3500K 4 Pasos Macadam Ellipse	1070LM (TÍP)	50 ° C	144 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
Sphwhahdnc27yzw2d3	1.2807	RFQ	1414	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnc27	Blanco, Cálido	descascar				EAR99	8541.41.0000	1,000	Cuadrado	690ma	-	1.50 mm	34V	270 Ma	115 °	2700K 2 Pasos Macadam Ellipse	1202LM (TÍP)	85 ° C	131 LM/W	90	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphww1hdna2vyht31f	-	RFQ	9474	Samsung Semiconductor, Inc.	LC013B	Banda	Obsoleto	17.00 mm LX 17.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphww1	Blanco, neutral	-	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)	1510-2026	EAR99	8541.41.0000	480	Cuadrado	660ma	-	1.60 mm	35.5V	-	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	1608LM (1415LM ~ 1801LM)	25 ° C	-	-	DiáMetro de 11.00 mm	Departamento de Departamento
Sphww1hdne23yhvn4j	-	RFQ	3344	Samsung Semiconductor, Inc.	LC040B	Banda	Obsoleto	21.50 mm LX 21.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphww1	Blanco, Cálido	-	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		EAR99	8541.41.0000	300	Cuadrado	1.9a	-	1.50 mm	35.5V	1.08a	115 °	3000K	5428LM (4776LM ~ 6079LM)	25 ° C	142 lm/w	70	17.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnm251zv3dc	14.8800	RFQ	81	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3 Plus	Caja	Activo	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnm251	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)	1510-sphhahdnm251zv3dc	EAR99	8541.41.0000	160	Cuadrado	3.24a	-	1.50 mm	50.6V	1.62a	115 °	3000K 3 Pasos Macadam Ellipse	12990lm (TÍP)	85 ° C	159 LM/W	80	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnc25yzw3d3	1.3282	RFQ	1931	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnc25	Blanco, Cálido	descascar				EAR99	8541.41.0000	1,000	Cuadrado	690ma	-	1.50 mm	34V	270 Ma	115 °	2700k 3 Pasos Macadam Ellipse	1405LM (TÍP)	85 ° C	153 LM/W	80	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sl-igr7e97sbww	84.7900	RFQ	4062	Samsung Semiconductor, Inc.	-	Banda	No hay para Nuevos Diseños	245.00 mm LX 186.00 mm W	Módulo liderado	-	Sl-igr7	Blanco, genial	-	Cumplimiento de Rohs	No Aplicable	1510-1689	EAR99	8541.41.0000	4	Rectángulo	2.1a	-	45.60 mm	52.2V	1.35a	-	5000K	9700LM (TÍP)	-	138 LM/W	75	-	Departamento de Departamento
Sphww1hdnd27yht33q	6.0669	RFQ	3964	Samsung Semiconductor, Inc.	LC033B Gen2	Banda	No hay para Nuevos Diseños	21.50 mm LX 21.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphww1	Blanco, neutral	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)	1510-2080	EAR99	8541.41.0000	320	Cuadrado	1.62a	-	1.50 mm	35.5V	900mA	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	4163LM (3815LM ~ 4511LM)	25 ° C	130 lm/w	90	17.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnl271zv3dc	11.8900	RFQ	159	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3 Plus	Caja	Activo	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnl271	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)	1510-sphhahdnl271zv3dc	EAR99	8541.41.0000	160	Cuadrado	2.16a	-	1.50 mm	50.6V	1.08a	115 °	3000K 3 Pasos Macadam Ellipse	7579lm (typ)	85 ° C	139 LM/W	90	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Si-B8R07228LWW	9.1800	RFQ	7309	Samsung Semiconductor, Inc.	LT-S282L	Banda	No hay para Nuevos Diseños	279.70 mm LX 23.80 mm W	Módulo liderado	Conector	Si-B8	Blanco, genial	-	Cumplimiento de Rohs	1 (ilimitado)		EAR99	8541.41.0000	128	Tira de Luz lineal	360 Ma	-	7.40 mm	35.2V	200 MMA	115 °	5000K 3 Pasos Macadam Ellipse	1140LM (typ)	50 ° C	162 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
Sphhahdne25yzp3d1	-	RFQ	9917	Samsung Semiconductor, Inc.	LC016D	Banda	Obsoleto	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphhahdne25	Blanco, genial	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		EAR99	8541.41.0000	1.600	Cuadrado	1.15a	-	1.50 mm	34.6V	450 mm	115 °	6500K 3 Pasos Macadam Ellipse	2419lm (typ)	85 ° C	155 lm/w	80	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
SI-B8U172560WW	11.6500	RFQ	156	Samsung Semiconductor, Inc.	LT-M562C_G2	Banda	Obsoleto	560.00 mm LX 18.00 mm W	Módulo liderado	Conector	Si-B8	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	No Aplicable		EAR99	8541.41.0000	280	Tira de Luz lineal	1.08a	-	4.40 mm	24 V	700mA	115 °	3500K 4 Pasos Macadam Ellipse	2575lm (typ)	50 ° C	153 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
SL-P7R2E31MZWW	-	RFQ	5040	Samsung Semiconductor, Inc.	TUPO E	Banda	Obsoleto	125.00 mm LX 50.00 mm W	Módulo liderado	-	SL-P7R2	Blanco, genial	-	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		EAR99	8541.41.0000	12	Rectángulo	-	-	41.60 mm	30V	700mA	-	5000K	2100LM (typ)	65 ° C	100 lm/w	70	-	-
Sphhahdne25yzv3db	3.5300	RFQ	60	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2 Plus	Banda	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphhahdne25	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)	1510-sphhahdne25yzv3db	EAR99	8541.41.0000	250	Cuadrado	900mA	-	1.50 mm	34V	450 mm	115 °	3000K 3 Pasos Macadam Ellipse	2399lm (typ)	85 ° C	157 LM/W	80	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
SL-PGR2E27M3WW	-	RFQ	3308	Samsung Semiconductor, Inc.	TUPO E	Caja	Obsoleto	125.00 mm LX 50.00 mm W	Módulo liderado	-	SL-PGR2	Blanco, genial	-	Cumplimiento de Rohs	No Aplicable	1510-1154	EAR99	8473.30.5100	120	Rectángulo	1A	-	41.60 mm	30V	700mA	-	5000K	1900LM (TÍPICO)	65 ° C	90 lm/w	75	-	-
Sphww1hdna28yhv21e	-	RFQ	8487	Samsung Semiconductor, Inc.	LC013B	Caja	Obsoleto	17.00 mm LX 17.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphww1	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		EAR99	8541.41.0000	480	Cuadrado	660ma	-	1.60 mm	35.5V	360 Ma	115 °	3000K 2 Pasos Macadam Ellipse	1369LM (1232LM ~ 1506LM)	25 ° C	107 lm/w	95	DiáMetro de 11.00 mm	Departamento de Departamento
Si-B9V222B2HUS	17.2200	RFQ	136	Samsung Semiconductor, Inc.	H-Series H Gen4	Una granela	Activo	1120.00 mm LX 18.00 mm W	Módulo liderado	-	Si-B9	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	No Aplicable	1510-Si-B9V222B2HUS	EAR99	8541.41.0000	160	Tira de Luz lineal	3.7a	-	3.70 mm	22V	960MA	-	3000K	3250LM (TÍP)	40 ° C	154 LM/W	90	-	Departamento de Departamento
Sphwhahdnf25yzt3j5	-	RFQ	8918	Samsung Semiconductor, Inc.	LC019D	Banda	Obsoleto	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnf25	Blanco, neutral	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)	1510-1928	EAR99	8541.41.0000	1.600	Cuadrado	1.38a	-	1.50 mm	34.6V	540ma	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	2726lm (typ)	85 ° C	146 LM/W	80	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnb25yzu2d2	0.8767	RFQ	2522	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2	Banda	No hay para Nuevos Diseños	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnb25	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		EAR99	8541.41.0000	1,000	Cuadrado	460ma	-	1.50 mm	34.6V	180 Ma	115 °	3500K 2 Pasos Macadam Ellipse	1001lm (typ)	85 ° C	161 LM/W	80	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
SL-PGR2W52MBGL	-	RFQ	3117	Samsung Semiconductor, Inc.	T-type gen2	Banda	Obsoleto	-	Módulo liderado	IP66	SL-PGR2	Blanco, genial	descascar		No Aplicable		EAR99	8541.41.0000	12	Rectángulo	1A	-	-	-	700mA	-	5000K	2650lm (TÍP)	-	126 LM/W	75	-	Departamento de Departamento
Sphhahdne27yzu3dc	4.1900	RFQ	42	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3 Plus	Caja	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphhahdne27	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)	1510-sphhahdne27yzu3dc	EAR99	8541.41.0000	250	Cuadrado	900mA	-	1.50 mm	33.7V	450 mm	115 °	3500K 3 Pasos Macadam Ellipse	2223LM (typ)	85 ° C	146 LM/W	90	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
SI-B8R09528001	-	RFQ	3566	Samsung Semiconductor, Inc.	LAM-RT32B	Caja	Obsoleto	273.00 mm LX 216.00 mm W	Módulo liderado	Conector	Si-B8	Blanco, genial	-	Cumplimiento de Rohs	1 (ilimitado)	1510-1102	EAR99	8541.41.0000	60	Rectángulo	600mA	-	6.60 mm	24 V	385mA	145 °	5000K 4 Pasos Macadam Ellipse	1360LM (typ)	35 ° C	148 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
Sphwhahdna27yzu3d1	-	RFQ	3017	Samsung Semiconductor, Inc.	LC003D	Banda	Obsoleto	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdna27	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		EAR99	8541.41.0000	2.400	Cuadrado	230mA	-	1.50 mm	34.6V	90 Ma	115 °	3500K 3 Pasos Macadam Ellipse	396lm (typ)	85 ° C	127 LM/W	90	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
SI-N8T1714B0WW	-	RFQ	3299	Samsung Semiconductor, Inc.	Ronda -10c	Caja	Obsoleto	110.00 mm de diámetro	Módulo liderado	Conector	Si-n8t	Blanco, neutral	descascar	Cumplimiento de Rohs	1 (ilimitado)	1510-1146	EAR99	8541.41.0000	80	Redondo	750 MAPA	-	5.80 mm	25V	700mA	115 °	4000K 4 Pasos Macadam Ellipse	2160LM (typ)	55 ° C	129 LM/W	80	-	Departamento de Departamento