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Cobizos, Motores, Módulos, Tiras (2790)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tamaña / dimensión	TUPO	Cuidadas	Base Número de Producto	Color	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Current - Max	Longitud de Onda	Alta	Voltaje - Forward (VF) (Typ)	Real - PrueBa	Ángulo de Visión	CCT (k)	Fljo luminoso @ corriente/temperatura	Temperatura - PrueBa	Lumens/watt @ real - prueba	Cri (Índice de Renderizado de color)	Superficie Emisora de Luz (Les)	Tipo de lente
Sphwh2hdne07yht2c1	5.8276	RFQ	4022	Samsung Semiconductor, Inc.	LC040C	Banda	No hay para Nuevos Diseños	19.00 mm LX 16.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwh2	Blanco, neutral	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)			EAR99	8541.41.0000	440	Rectángulo	1.62a	-	1.50 mm	34.5V	1.08a	115 °	4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse	3900LM (TÍP)	85 ° C	105 lm/w	90	DiáMetro de 11.00 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnm251zq3d3	11.2793	RFQ	2389	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3	Banda	No hay para Nuevos Diseños	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnm251	Blanco, genial	descascar					EAR99	8541.41.0000	320	Cuadrado	4.14a	-	1.50 mm	50V	1.62a	115 °	5700K 3 Pasos Macadam Ellipse	13836LM (TÍP)	85 ° C	171 LM/W	80	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnl271zv3d3	7.8376	RFQ	6559	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3	Banda	No hay para Nuevos Diseños	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnl271	Blanco, Cálido	descascar					EAR99	8541.41.0000	320	Cuadrado	2.76a	-	1.50 mm	51V	1.08a	115 °	3000K 3 Pasos Macadam Ellipse	7549lm (typ)	85 ° C	137 LM/W	90	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnd27yzt3h4	-	RFQ	1321	Samsung Semiconductor, Inc.	LC013D	Banda	Obsoleto	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnd27	Blanco, neutral	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-1898	EAR99	8541.41.0000	2.400	Cuadrado	920 mm	-	1.50 mm	34.6V	360 Ma	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	1505lm (TÍP)	85 ° C	121 LM/W	90	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
SI-N8T0812B0WW	-	RFQ	9653	Samsung Semiconductor, Inc.	Ronda-040d	Banda	Obsoleto	41.00 mm de diámetro	Módulo liderado	-	Si-n8t	Blanco, neutral	-	Cumplimiento de Rohs	No Aplicable		1510-1655	EAR99	8541.41.0000	512	Redondo	350 mm	-	3.70 mm	23.7V	350 mm	115 °	4000K	1000LM (TÍP)	25 ° C	129 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
Sphwhahdnf27yzu3dc	4.6900	RFQ	206	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3 Plus	Caja	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnf27	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdnf27yzu3dc	EAR99	8541.41.0000	250	Cuadrado	1.08a	-	1.50 mm	33.7V	540ma	115 °	3500K 3 Pasos Macadam Ellipse	2680LM (TÍP)	85 ° C	147 lm/w	90	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnk25yzu2d2	4.4500	RFQ	8218	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2	Banda	No hay para Nuevos Diseños	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnk25	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)			EAR99	8541.41.0000	320	Cuadrado	2.76a	-	1.50 mm	34.6V	1.08a	115 °	3500K 2 Pasos Macadam Ellipse	6016lm (typ)	85 ° C	161 LM/W	80	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
SI-B8V463B20WW	13.3300	RFQ	41	Samsung Semiconductor, Inc.	V Gen3	Banda	Activo	1120.00 mm LX 18.00 mm W	Módulo liderado	-	Si-B8	Blanco, Cálido	descascar		No Aplicable		1510-SI-B8V463B20WW	EAR99	8541.41.0000	110	Tira de Luz lineal	2.02a	-	3.70 mm	45V	1.01a	118 °	3000K	7570LM (TÍP)	65 ° C	166 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
Sphwhahdnb25yzt2db	0.6413	RFQ	4651	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2 Plus	Banda	Activo	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnb25	Blanco, neutral	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdnb25yzt2db	EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	360 Ma	-	1.50 mm	34V	180 Ma	115 °	4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse	1024lm (typ)	85 ° C	167 lm/w	80	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphww1hdnd27yhv33q	6.1870	RFQ	2274	Samsung Semiconductor, Inc.	LC033B Gen2	Banda	No hay para Nuevos Diseños	21.50 mm LX 21.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphww1	Blanco, neutral	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-2084	EAR99	8541.41.0000	320	Cuadrado	1.62a	-	1.50 mm	35.5V	900mA	115 °	3000K 3 Pasos Macadam Ellipse	3938LM (3599LM ~ 4277LM)	25 ° C	123 LM/W	90	17.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphww1hdnb25yhu32j	-	RFQ	9916	Samsung Semiconductor, Inc.	LC019B	Caja	Obsoleto	17.00 mm LX 17.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphww1	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)			EAR99	8541.41.0000	480	Cuadrado	980 Ma	-	1.50 mm	35.5V	540ma	115 °	3500K 3 Pasos Macadam Ellipse	2713LM (2438LM ~ 2988LM)	25 ° C	142 lm/w	80	Dia de 12.40 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnb25yzv2d1	-	RFQ	1345	Samsung Semiconductor, Inc.	LC006D	Banda	Obsoleto	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnb25	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)			EAR99	8541.41.0000	2.400	Cuadrado	460ma	-	1.50 mm	34.6V	180 Ma	115 °	3000K 2 Pasos Macadam Ellipse	919lm (typ)	85 ° C	148 LM/W	80	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnf25yzu3db	4.0800	RFQ	250	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2 Plus	Banda	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnf25	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdnf25yzu3db	EAR99	8541.41.0000	250	Cuadrado	1.08a	-	1.50 mm	34V	540ma	115 °	3500K 3 Pasos Macadam Ellipse	2921lm (typ)	85 ° C	159 LM/W	80	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdng25yzw2db	2.0330	RFQ	2549	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2 Plus	Banda	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdng25	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdng25yzw2db	EAR99	8541.41.0000	250	Cuadrado	1.44a	-	1.50 mm	34V	720 mm	115 °	2700K 2 Pasos Macadam Ellipse	3616lm (typ)	85 ° C	148 LM/W	80	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnb27yzv3d4	2.4100	RFQ	490	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen4	Una granela	Activo	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnb27	Blanco, Cálido	-	ROHS3 Cumplante	2a (4 semanas)	Alcanzar sin afectado	1510-sphhahdnb27yzv3d4	EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	460ma	-	1.65 mm	33.6V	180 Ma	115 °	3000K 3 Pasos Macadam Ellipse	886lm (typ)	85 ° C	146 LM/W	90	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnh25y3wpt1	19.9700	RFQ	588	Samsung Semiconductor, Inc.	Serie t COB	Una granela	Activo	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnh25	Blanco, Cálido / Blanco, Fresco	descascar		2a (4 semanas)		1510-SphWHAHDNH25Y3WPT1	EAR99	8541.41.0000	600	Cuadrado	1.25 mA	-	1.60 mm	35.5V	-	115 °	4600K (2700K ~ 6500K) Macadam Ellipse de 3 pasos	4706LM (4405LM ~ 5006LM)	25 ° C	-	80	-	Departamento de Departamento
Sphhahdne25yzt2d1	-	RFQ	5760	Samsung Semiconductor, Inc.	LC016D	Banda	Obsoleto	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphhahdne25	Blanco, neutral	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)			EAR99	8541.41.0000	1.600	Cuadrado	1.15a	-	1.50 mm	34.6V	450 mm	115 °	4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse	2419lm (typ)	85 ° C	155 lm/w	80	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnd25yzv3d2	1.4944	RFQ	2052	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2	Banda	No hay para Nuevos Diseños	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnd25	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)			EAR99	8541.41.0000	1,000	Cuadrado	920 mm	-	1.50 mm	34.6V	360 Ma	115 °	3000K 3 Pasos Macadam Ellipse	1857lm (TÍP)	85 ° C	149 lm/w	80	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdna27yzr3d2	0.5536	RFQ	7454	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2	Banda	No hay para Nuevos Diseños	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdna27	Blanco, genial	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)			EAR99	8541.41.0000	1,000	Cuadrado	230mA	-	1.50 mm	34.6V	90 Ma	115 °	5000K 3 Pasos Macadam Ellipse	430lm (typ)	85 ° C	138 LM/W	90	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
SI-B8U051280WW	-	RFQ	9776	Samsung Semiconductor, Inc.	LT-M272A	Banda	Obsoleto	275.00 mm LX 18.00 mm W	Módulo liderado	-	Si-B8	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	1 (ilimitado)		1510-1180	EAR99	8541.41.0000	400	Tira de Luz lineal	450 mm	-	5.80 mm	12V	450 mm	115 °	3500K	721lm (typ)	55 ° C	134 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
Sphwhahdnk25yzq3d2	5.3353	RFQ	6791	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2	Banda	No hay para Nuevos Diseños	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnk25	Blanco, genial	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)			EAR99	8541.41.0000	320	Cuadrado	2.76a	-	1.50 mm	34.6V	1.08a	115 °	5700K 3 Pasos Macadam Ellipse	6205LM (TÍP)	85 ° C	166 LM/W	80	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnm251zq3d2	9.9642	RFQ	1408	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2	Banda	No hay para Nuevos Diseños	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnm251	Blanco, genial	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)			EAR99	8541.41.0000	320	Cuadrado	4.14a	-	1.50 mm	52V	1.62a	115 °	5700K 3 Pasos Macadam Ellipse	13258LM (typ)	85 ° C	157 LM/W	80	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphhahdne25yzr3d4	4.8900	RFQ	250	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen4	Una granela	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphhahdne25	Blanco, genial	descascar	ROHS3 Cumplante	2a (4 semanas)	Alcanzar sin afectado	1510-sphhahdne25yzr3d4	EAR99	8541.41.0000	250	Cuadrado	1.15a	-	1.70 mm	33.6V	450 mm	115 °	5000K 3 Pasos Macadam Ellipse	2733LM (typ)	85 ° C	181 LM/W	80	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnm271zu3d3	11.0603	RFQ	5845	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3	Banda	No hay para Nuevos Diseños	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnm271	Blanco, Cálido	descascar					EAR99	8541.41.0000	320	Cuadrado	4.14a	-	1.50 mm	50V	1.62a	115 °	3500K 3 Pasos Macadam Ellipse	11529lm (typ)	85 ° C	142 lm/w	90	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnb27yzt3d4	2.4100	RFQ	500	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen4	Una granela	Activo	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnb27	Blanco, neutral	descascar	ROHS3 Cumplante	2a (4 semanas)	Alcanzar sin afectado	1510-sphhahdnb27yzt3d4	EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	460ma	-	1.65 mm	33.6V	180 Ma	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	933LM (typ)	85 ° C	154 LM/W	90	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnf27yzu3db	4.0800	RFQ	190	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2 Plus	Banda	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnf27	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdnf27yzu3db	EAR99	8541.41.0000	250	Cuadrado	1.08a	-	1.50 mm	34V	540ma	115 °	3500K 3 Pasos Macadam Ellipse	2526lm (typ)	85 ° C	138 LM/W	90	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnb25yzu2d3	0.9372	RFQ	8829	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnb25	Blanco, Cálido	descascar					EAR99	8541.41.0000	1,000	Cuadrado	460ma	-	1.50 mm	34V	180 Ma	115 °	3500K 2 Pasos Macadam Ellipse	1023lm (typ)	85 ° C	167 lm/w	80	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
SI-B8U923B20WW	24.5900	RFQ	60	Samsung Semiconductor, Inc.	Veria v Gen3	Banda	Activo	1120.00 mm LX 39.80 mm W	Módulo liderado	-	Si-B8	Blanco, Cálido	descascar		No Aplicable		1510-SI-B8U923B20WW	EAR99	8541.41.0000	60	Tira de Luz lineal	2.02a	-	3.70 mm	45V	2.02a	118 °	3500K	15360LM (14300LM ~ 16890LM)	65 ° C	169 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
Sphwhahdng25yzt3k3	-	RFQ	4308	Samsung Semiconductor, Inc.	LC026D	Banda	Obsoleto	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdng25	Blanco, neutral	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-1947	EAR99	8541.41.0000	1.600	Cuadrado	1.84a	-	1.50 mm	34.6V	720 mm	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	3558LM (TÍP)	85 ° C	143 LM/W	80	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphhahdne25yzt2d3	2.1309	RFQ	8094	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3	Banda	No hay para Nuevos Diseños	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphhahdne25	Blanco, neutral	descascar					EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	1.15a	-	1.50 mm	34V	450 mm	115 °	4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse	2622lm (typ)	85 ° C	171 LM/W	80	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento