SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tamaña / dimensión TUPO Cuidadas Base Número de Producto Color Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Current - Max Longitud de Onda Alta Voltaje - Forward (VF) (Typ) Real - PrueBa Ángulo de Visión CCT (k) Fljo luminoso @ corriente/temperatura Temperatura - PrueBa Lumens/watt @ real - prueba Cri (Índice de Renderizado de color) Superficie Emisora ​​de Luz (Les) Tipo de lente
SPHWHAHDNB27YZV3D1 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnb27yzv3d1 -
RFQ
ECAD 6590 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC006D Banda Obsoleto 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnb27 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 2.400 Cuadrado 460ma - 1.50 mm 34.6V 180 Ma 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 780lm (typ) 85 ° C 125 lm/w 90 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNA25YZP3D1 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdna25yzp3d1 -
RFQ
ECAD 4908 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC003D Banda Obsoleto 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdna25 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 2.400 Cuadrado 230mA - 1.50 mm 34.6V 90 Ma 115 ° 6500K 3 Pasos Macadam Ellipse 480lm (typ) 85 ° C 154 LM/W 80 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNE27YZV2D3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphhahdne27yzv2d3 2.1309
RFQ
ECAD 9531 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Banda No hay para Nuevos Diseños 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphhahdne27 Blanco, Cálido descascar EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 1.15a - 1.50 mm 34V 450 mm 115 ° 3000K 2 Pasos Macadam Ellipse 2139lm (typ) 85 ° C 140 lm/w 90 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SL-B8V3N80LAWW Samsung Semiconductor, Inc. SL-B8V3N80LAWW 21.3000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. H afluencia Banda Activo 560.00 mm LX 24.00 mm W Módulo liderado - SL-B8V3 Blanco, Cálido descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.41.0000 210 Tira de Luz lineal 2.2a - 5.20 mm 22.4V 1.43a 118 ° 3000K 5630LM (TÍP) 55 ° C 176 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SI-N8V1254B0WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-N8V1254B0WW 7.2000
RFQ
ECAD 118 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. CM 110 mm G5 Una granela Obsoleto 110.00 mm de diámetro Módulo liderado Conector Si-n8v Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1510-SI-N8V1254B0WW EAR99 8541.41.0000 120 Redondo - - 5.20 mm 27.8V 430mA 120 ° 3000K 2130LM (typ) 25 ° C 178 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SPHWHAHDNF28YZU2D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnf28yzu2d2 2.3448
RFQ
ECAD 1040 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnf28 Blanco, Cálido descascar EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 1.38a - 1.50 mm 34.6V 540ma 115 ° 3500K 2 Pasos Macadam Ellipse 2056lm (typ) 85 ° C 110 lm/w - Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDND28YZV3D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnd28yzv3d2 1.5679
RFQ
ECAD 1203 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Tape & Reel (TR) Activo 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnd28 Blanco, Cálido descascar EAR99 8541.41.0000 1,000 Cuadrado 920 mm - 1.50 mm 34.6V 360 Ma 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1285lm (typ) 85 ° C 103 LM/W - 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDND27YZV3D1 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnd27yzv3d1 -
RFQ
ECAD 5573 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC013D Banda Obsoleto 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnd27 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 2.400 Cuadrado 920 mm - 1.50 mm 34.6V 360 Ma 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1494lm (typ) 85 ° C 120 lm/w 90 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWW1HDNC25YHV32G Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdnc25yhv32g -
RFQ
ECAD 9404 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC026B Gen2 Banda Obsoleto 21.50 mm LX 21.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-2054 EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 1.3a - 1.50 mm 35.5V 720 mm 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 3770LM (3550LM ~ 3990LM) 25 ° C 147 lm/w 80 17.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNF27YZT2DB Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnf27yzt2db 1.5977
RFQ
ECAD 3996 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Plus Banda Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnf27 Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnf27yzt2db EAR99 8541.41.0000 250 Cuadrado 1.08a - 1.50 mm 34V 540ma 115 ° 4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse 2581lm (typ) 85 ° C 141 LM/W 90 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNE25YZT3D3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphhahdne25yzt3d3 2.3303
RFQ
ECAD 3823 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Banda No hay para Nuevos Diseños 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphhahdne25 Blanco, neutral descascar EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 1.15a - 1.50 mm 34V 450 mm 115 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 2622lm (typ) 85 ° C 171 LM/W 80 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWW1HDNC27YHV3B3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdnc27yhv3b3 5.1000
RFQ
ECAD 645 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC026B Gen3 Una granela Obsoleto 21.50 mm LX 21.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido descascar 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 1.050 Cuadrado 1.3a - 1.50 mm 35.5V 720 mm 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 3308LM (2870LM ~ 3746LM) 25 ° C 129 LM/W 90 17.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNG27YZR3DC Samsung Semiconductor, Inc. Sphhahdng27yzr3dc 6.2100
RFQ
ECAD 236 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Plus Caja Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdng27 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdng27yzr3dc EAR99 8541.41.0000 250 Cuadrado 1.44a - 1.50 mm 33.7V 720 mm 115 ° 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 3663lm (TÍP) 85 ° C 151 LM/W 90 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNM271ZW2D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnm271zw2d2 8.6408
RFQ
ECAD 3850 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnm271 Blanco, Cálido descascar EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 4.14a - 1.50 mm 52V 1.62a 115 ° 2700K 2 Pasos Macadam Ellipse 10157LM (typ) 85 ° C 121 LM/W 90 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWW1HDNA25YHW2B3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdna25yhw2b3 -
RFQ
ECAD 1086 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC013B Gen3 Tape & Reel (TR) Obsoleto 17.00 mm LX 17.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.41.0000 1.400 Cuadrado 660ma - 1.60 mm 35.5V 360 Ma 115 ° 2700K 2 Pasos Macadam Ellipse 1969LM (1800LM ~ 2138LM) 25 ° C 154 LM/W 80 DiáMetro de 11.00 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNK27YZV2DB Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnk27yzv2db 3.2393
RFQ
ECAD 4210 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Plus Banda Activo 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnk27 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnk27yzv2db EAR99 8541.41.0000 160 Cuadrado 2.16a - 1.50 mm 34V 1.08a 115 ° 3000K 2 Pasos Macadam Ellipse 4923LM (TÍP) 85 ° C 134 LM/W 90 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWW1HDNC25YHV3B3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdnc25yhv3b3 -
RFQ
ECAD 1242 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC026B Gen3 Tape & Reel (TR) Obsoleto 21.50 mm LX 21.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.41.0000 1.050 Cuadrado 1.3a - 1.50 mm 35.5V 720 mm 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 4038LM (3770LM ~ 4306LM) 25 ° C 158 LM/W 80 17.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNC27YZR3D3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnc27yzr3d3 1.3282
RFQ
ECAD 4457 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnc27 Blanco, genial descascar EAR99 8541.41.0000 1,000 Cuadrado 690ma - 1.50 mm 34V 270 Ma 115 ° 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1340LM (typ) 85 ° C 146 LM/W 90 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDND27YZV2DB Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnd27yzv2db 1.0407
RFQ
ECAD 7621 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Plus Banda Activo 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnd27 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnd27yzv2db EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 720 mm - 1.50 mm 34V 360 Ma 115 ° 3000K 2 Pasos Macadam Ellipse 1556lm (typ) 85 ° C 127 LM/W 90 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNC25YZT3DB Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnc25yzt3db 2.3800
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Plus Banda Activo 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnc25 Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnc25yzt3db EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 540ma - 1.50 mm 34V 270 Ma 115 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1502LM (TÍP) 85 ° C 164 LM/W 80 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNC25YZT3DC Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnc25yzt3dc 2.8000
RFQ
ECAD 494 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Plus Caja Activo 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnc25 Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnc25yzt3dc EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 540ma - 1.50 mm 33.7V 270 Ma 115 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1550lm (TÍP) 85 ° C 170 lm/w 80 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNF27YZV2D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnf27yzv2d2 2.3229
RFQ
ECAD 5418 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnf27 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 1.38a - 1.50 mm 34.6V 540ma 115 ° 3000K 2 Pasos Macadam Ellipse 2449lm (typ) 85 ° C 131 LM/W 90 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNG27YZT2DB Samsung Semiconductor, Inc. Sphhahdng27yzt2db 2.0330
RFQ
ECAD 3489 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Plus Banda Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdng27 Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdng27yzt2db EAR99 8541.41.0000 250 Cuadrado 1.44a - 1.50 mm 34V 720 mm 115 ° 4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse 3387LM (typ) 85 ° C 138 LM/W 90 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNL251ZW2D3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnl251zw2d3 6.9310
RFQ
ECAD 8752 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Banda No hay para Nuevos Diseños 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnl251 Blanco, Cálido descascar EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 2.76a - 1.50 mm 51V 1.08a 115 ° 2700K 2 Pasos Macadam Ellipse 8386lm (typ) 85 ° C 152 lm/w 80 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNF25YZW3D1 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnf25yzw3d1 -
RFQ
ECAD 7019 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC019D Banda Obsoleto 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnf25 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 1.600 Cuadrado 970MA - 1.50 mm 34.6V 540ma 115 ° 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse 2520LM (2458LM ~ 2581LM) 85 ° C 135 lm/w 80 17.00 mm de diámetro Abovovor
SPHWHAHDNL251ZV2DB Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnl251zv2db 4.5857
RFQ
ECAD 7626 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Plus Banda Activo 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnl251 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnl251zv2db EAR99 8541.41.0000 160 Cuadrado 2.16a - 1.50 mm 51.1V 1.08a 115 ° 3000K 2 Pasos Macadam Ellipse 8499lm (typ) 85 ° C 154 LM/W 80 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
STIDMW830112112AAA Samsung Semiconductor, Inc. Stidmw830112112aaa -
RFQ
ECAD 5712 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Ronda-30b - Obsoleto 130.00 mm de diámetro LED de motor - Stidmw83 Blanco, Cálido - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.41.0000 1 Redondo - - 5.70 mm 33V - 115 ° 3000K 1240LM (typ) - - 80 - Departamento de Departamento
SPHWH2HDNE07YHV3C1 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwh2hdne07yhv3c1 5.0675
RFQ
ECAD 9227 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC040C Banda No hay para Nuevos Diseños 19.00 mm LX 16.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwh2 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-1774 EAR99 8541.41.0000 440 Rectángulo 1.62a - 1.50 mm 34.5V 1.08a 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 3470LM (typ) 85 ° C 93 LM/W 90 DiáMetro de 11.00 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNE27YZU2D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphhahdne27yzu2d2 1.9822
RFQ
ECAD 4930 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphhahdne27 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 1.15a - 1.50 mm 34.6V 450 mm 115 ° 3500K 2 Pasos Macadam Ellipse 2146lm (typ) 85 ° C 138 LM/W 90 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SI-B8U341560WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8U341560WW -
RFQ
ECAD 2948 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-F562A Banda Obsoleto 560.00 mm LX 18.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1510-1132 EAR99 8541.41.0000 40 Tira de Luz lineal - - 5.20 mm 24.7V 1.35a 115 ° 3500K 4 Pasos Macadam Ellipse 4370LM (typ) - 131 LM/W 80 - Departamento de Departamento
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    Volumen de RFQ promedio diario

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