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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tamaña / dimensión | TUPO | Cuidadas | Base Número de Producto | Color | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Current - Max | Longitud de Onda | Alta | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Real - PrueBa | Ángulo de Visión | CCT (k) | Fljo luminoso @ corriente/temperatura | Temperatura - PrueBa | Lumens/watt @ real - prueba | Cri (Índice de Renderizado de color) | Superficie Emisora de Luz (Les) | Tipo de lente |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SI-N8T1712B0WW | - | ![]() | 5257 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Ronda-050d | Banda | Obsoleto | 50.00 mm de diámetro | Módulo liderado | - | Si-n8t | Blanco, neutral | - | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | 1510-1658 | EAR99 | 8541.41.0000 | 360 | Redondo | 700mA | - | 3.70 mm | 23.7V | 700mA | 115 ° | 4000K | 2160LM (typ) | 25 ° C | 131 LM/W | 80 | - | Departamento de Departamento | ||
![]() | SI-N8T1115B0US | - | ![]() | 3137 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | F-Series Gen3 | Una granela | Obsoleto | - | Módulo liderado | - | Si-n8t | Blanco | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.41.0000 | 1 | Tira de Luz lineal | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Departamento de Departamento | |||
![]() | Sphhahdne27yzv3d4 | 4.8900 | ![]() | 250 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen4 | Una granela | Activo | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphhahdne27 | Blanco, Cálido | descascar | ROHS3 Cumplante | 2a (4 semanas) | Alcanzar sin afectado | 1510-sphhahdne27yzv3d4 | EAR99 | 8541.41.0000 | 250 | Cuadrado | 1.15a | - | 1.70 mm | 33.6V | 450 mm | 115 ° | 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 2165lm (typ) | 85 ° C | 143 LM/W | 90 | Dia de 14.50 mm | Departamento de Departamento | |
![]() | SI-N8T1312B0WW | - | ![]() | 3049 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | SLE-013 | Banda | Obsoleto | 50.00 mm de diámetro | Chip A Bordo (COB) | Conector | Si-n8t | Blanco, neutral | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 1510-1239 | EAR99 | 8542.39.0001 | 400 | Redondo | 350 mm | - | 6.10 mm | 33.5V | 250 Ma | 115 ° | 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 1180LM (typ) | 75 ° C | 141 LM/W | 80 | Dia de 13.50 mm | Departamento de Departamento | ||
![]() | SI-B8Q092260WW | - | ![]() | 4168 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | F-Series Gen3 | Banda | Obsoleto | - | Módulo liderado | - | Si-B8 | Blanco | - | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | EAR99 | 8541.41.0000 | 60 | Tira de Luz lineal | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Departamento de Departamento | |||
![]() | SI-B8U171550WW | - | ![]() | 3897 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LT-M552C | Banda | Obsoleto | 550.00 mm LX 18.00 mm W | Módulo liderado | Conector | Si-B8 | Blanco, Cálido | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 1510-1130 | EAR99 | 8541.41.0000 | 280 | Tira de Luz lineal | 900mA | - | 5.80 mm | 24 V | 700mA | 115 ° | 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse | 2390LM (TÍP) | 50 ° C | 142 lm/w | 80 | - | Departamento de Departamento | ||
![]() | SI-B8V521B20WW | 22.1800 | ![]() | 681 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | F-Series Gen3 | Una granela | Activo | 1120.00 mm LX 18.00 mm W | Módulo liderado | Conector | Si-B8 | Blanco, Cálido | descascar | No Aplicable | 1510-2225 | EAR99 | 8541.41.0000 | 200 | Tira de Luz lineal | - | - | 5.20 mm | 46V | 1.12a | - | 3000K | 8670LM (typ) | 65 ° C | 168 LM/W | 80 | - | Departamento de Departamento | |||
SI-B9V051280WW | - | ![]() | 1209 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LT-M272F | Banda | Obsoleto | 275.00 mm LX 18.00 mm W | Módulo liderado | - | Si-B9 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 1510-1196 | EAR99 | 8542.39.0001 | 400 | Tira de Luz lineal | 450 mm | - | 5.80 mm | 12V | 450 mm | 115 ° | 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 525lm (typ) | 55 ° C | 97 lm/w | 90 | - | Departamento de Departamento | |||
![]() | SI-B8P11225001 | - | ![]() | 1897 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Dedo-sq30b | Caja | Obsoleto | 259.00 mm LX 250.00 mm W | Módulo liderado | Conector | Si-B8 | Blanco, genial | - | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | EAR99 | 8541.41.0000 | 60 | Rectángulo | 900mA | - | 5.80 mm | 15V | 700mA | 115 ° | 6500K 4 Pasos Macadam Ellipse | 1490LM (typ) | 35 ° C | 142 lm/w | 80 | - | Departamento de Departamento | |||
Si-b8u341b2cus | 12.9200 | ![]() | 355 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Veria V | Una granela | Obsoleto | 1120.00 mm LX 18.00 mm W | Módulo liderado | Conector | Si-B8 | Blanco, Cálido | descascar | No Aplicable | 1510-2214 | EAR99 | 8541.41.0000 | 360 | Tira de Luz lineal | 1.08a | - | 5.50 mm | 48V | 700mA | 120 ° | 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse | 4738lm (TÍP) | 50 ° C | 141 LM/W | 80 | - | Departamento de Departamento | ||||
![]() | SI-N8T0814B0WW | - | ![]() | 7275 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Ronda-090c | Caja | Obsoleto | 90.00 mm de diámetro | Módulo liderado | Conector | Si-n8t | Blanco, neutral | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 1510-1145 | EAR99 | 8541.41.0000 | 180 | Redondo | 450 mm | - | 5.75 mm | 24 V | 350 mm | 115 ° | 4000K 4 Pasos Macadam Ellipse | 1100LM (typ) | 55 ° C | 131 LM/W | 80 | - | Departamento de Departamento | ||
![]() | SL-PGR2T43M3WW | 33.9900 | ![]() | 7791 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | T-type | Banda | No hay para Nuevos Diseños | 150.00 mm LX 65.00 mm W | Módulo liderado | - | SL-PGR2 | Blanco, genial | - | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 12 | Rectángulo | 1A | - | 39.70 mm | 30V | 700mA | - | 5000K | 2300LM (TÍP) | 65 ° C | 110 lm/w | 70 | - | - | |||
![]() | SI-B8U14256SWW | 8.2104 | ![]() | 7354 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LT-S562F | Banda | No hay para Nuevos Diseños | 559.70 mm LX 23.80 mm W | Módulo liderado | Conector | Si-B8 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.41.0000 | 128 | Tira de Luz lineal | 1.44a | - | 7.40 mm | 17.6V | 800mA | 115 ° | 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse | 2210lm (typ) | 50 ° C | 157 LM/W | 80 | - | Departamento de Departamento | |||
![]() | SL-B8T7N90L1WW | - | ![]() | 5049 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Influx_L09 | Banda | Obsoleto | 559.50 mm LX 39.60 mm W | Módulo liderado | Conector | SL-B8T7 | Blanco, neutral | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | 1510-1351 | EAR99 | 8541.41.0000 | 150 | Tira de Luz lineal | 1.38a | - | 5.90 mm | 48.2V | 1.38a | 115 ° | 4000K | 9100LM (typ) | 65 ° C | 137 LM/W | 80 | - | Departamento de Departamento | ||
SI-B8R521560WW | 22.6400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | F-Series Gen3 | Una granela | Activo | 559.70 mm LX 39.80 mm W | Módulo liderado | Conector | Si-B8 | Blanco, genial | descascar | No Aplicable | 1510-2224 | EAR99 | 8541.41.0000 | 150 | Tira de Luz lineal | - | - | 5.20 mm | 46V | 1.12a | - | 5000K | 9300LM (TÍP) | 65 ° C | 181 LM/W | 80 | - | Departamento de Departamento | ||||
![]() | SI-B8T114250WW | - | ![]() | 1745 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Lam-SQ30 | Banda | Obsoleto | 259.00 mm LX 250.00 mm W | Módulo liderado | Conector | Si-B8 | Blanco, neutral | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | 1510-1642 | EAR99 | 8541.41.0000 | 60 | Rectángulo | 540ma | - | 6.60 mm | 30.2V | 350 mm | 145 ° | 4000K | 1515lm (1364lm ~ 1683lm) | 50 ° C | 143 LM/W | 80 | - | Abovovor | ||
![]() | SI-N8V1113B1US | - | ![]() | 7365 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Acom dle | Banda | Obsoleto | 55.00 mm LX 55.00 mm W | Módulo liderado | - | Si-n8v | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | 1510-1666 | EAR99 | 8541.41.0000 | 320 | Cuadrado | - | - | 12.50 mm | 120 VAC | - | 115 ° | 3000K | 1160LM (typ) | 25 ° C | 102 lm/w | 80 | - | Departamento de Departamento | ||
![]() | SI-B8T112250WW | - | ![]() | 3589 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Dedo-sq30b | Banda | Obsoleto | 259.00 mm LX 250.00 mm W | Módulo liderado | Conector | Si-B8 | Blanco, neutral | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | EAR99 | 8541.41.0000 | 60 | Rectángulo | 900mA | - | 5.80 mm | 15.3V | 700mA | 115 ° | 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 1440LM (typ) | 35 ° C | 134 LM/W | 80 | - | Departamento de Departamento | |||
![]() | SI-B8V11225001 | - | ![]() | 8233 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Dedo-sq30b | Caja | Obsoleto | 259.00 mm LX 250.00 mm W | Módulo liderado | Conector | Si-B8 | Blanco, Cálido | - | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | EAR99 | 8541.41.0000 | 60 | Rectángulo | 900mA | - | 5.80 mm | 15.3V | 700mA | 115 ° | 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 1420LM (typ) | 35 ° C | 133 LM/W | 80 | - | Departamento de Departamento | |||
![]() | SPHCW1HDNB25YHR3B3 | - | ![]() | 2299 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC019B Gen3 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 17.00 mm LX 17.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphcw1 | Blanco, genial | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.41.0000 | 1.400 | Cuadrado | 980 Ma | - | 1.50 mm | 35.5V | 540ma | 115 ° | 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 3141lm (2831lm ~ 3451lm) | 25 ° C | 164 LM/W | 80 | Dia de 12.40 mm | Departamento de Departamento | ||||
![]() | Sphwhahdng25yzt3d1 | - | ![]() | 5078 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC026D | Banda | Obsoleto | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdng25 | Blanco, neutral | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 1.600 | Cuadrado | 1.84a | - | 1.50 mm | 34.6V | 720 mm | 115 ° | 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 3736lm (typ) | 85 ° C | 150 lm/w | 80 | Dia de 14.50 mm | Departamento de Departamento | |||
![]() | Sphhahdng25yzq3d2 | 3.2872 | ![]() | 7694 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 | Banda | No hay para Nuevos Diseños | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdng25 | Blanco, genial | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Cuadrado | 1.84a | - | 1.50 mm | 34.6V | 720 mm | 115 ° | 5700K 3 Pasos Macadam Ellipse | 3983LM (typ) | 85 ° C | 160 lm/w | 80 | Dia de 14.50 mm | Departamento de Departamento | |||
![]() | SI-B8R095280WW | - | ![]() | 3807 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LAM-RT32B | Caja | Obsoleto | 273.00 mm LX 216.00 mm W | Módulo liderado | Conector | Si-B8 | Blanco, genial | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 1510-1103 | EAR99 | 8541.41.0000 | 60 | Rectángulo | - | - | 5.60 mm | 24 V | 385mA | 145 ° | 5000K 4 Pasos Macadam Ellipse | 1240LM (1100LM ~ 1380LM) | 35 ° C | 135 lm/w | 80 | - | Abovovor | ||
![]() | Sphwhahdng25yzv2d2 | 3.0059 | ![]() | 7327 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 | Banda | No hay para Nuevos Diseños | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdng25 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Cuadrado | 1.84a | - | 1.50 mm | 34.6V | 720 mm | 115 ° | 3000K 2 Pasos Macadam Ellipse | 3762LM (TÍP) | 85 ° C | 151 LM/W | 80 | Dia de 14.50 mm | Departamento de Departamento | |||
![]() | Sphww1hdnc25yhw2b3 | - | ![]() | 3955 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC026B Gen3 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 21.50 mm LX 21.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphww1 | Blanco, Cálido | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.41.0000 | 1.050 | Cuadrado | 1.3a | - | 1.50 mm | 35.5V | 720 mm | 115 ° | 2700K 2 Pasos Macadam Ellipse | 4018LM (3760LM ~ 4276LM) | 25 ° C | 157 LM/W | 80 | 17.00 mm de diámetro | Departamento de Departamento | ||||
![]() | SL-B8R7NK0L2WW | - | ![]() | 9328 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LT-F564A | Una granela | Obsoleto | 558.80 mm LX 40.00 mm W | Módulo liderado | - | SL-B8R7 | Blanco, genial | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | 1510-1273 | EAR99 | 8541.41.0000 | 96 | Tira de Luz lineal | - | - | 5.90 mm | 49.6V | 1.5a | - | 5000K 4 Pasos Macadam Ellipse | 9050LM (typ) | 25 ° C | 122 LM/W | 80 | - | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphwhahdnc27yzu2d2 | 1.2099 | ![]() | 1939 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 | Banda | No hay para Nuevos Diseños | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnc27 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 1,000 | Cuadrado | 690ma | - | 1.50 mm | 34.6V | 270 Ma | 115 ° | 3500K 2 Pasos Macadam Ellipse | 1245lm (typ) | 85 ° C | 133 LM/W | 90 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento | |||
![]() | Sphww1hdnb27yht32j | - | ![]() | 8389 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LC019B | Caja | Obsoleto | 17.00 mm LX 17.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphww1 | Blanco, neutral | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 480 | Cuadrado | 980 Ma | - | 1.50 mm | 35.5V | 540ma | 115 ° | 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 2165LM (1894LM ~ 2435LM) | 25 ° C | 113 LM/W | 90 | Dia de 12.40 mm | Departamento de Departamento | |||
![]() | SI-N8T1714B0WW | - | ![]() | 3299 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Ronda -10c | Caja | Obsoleto | 110.00 mm de diámetro | Módulo liderado | Conector | Si-n8t | Blanco, neutral | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 1510-1146 | EAR99 | 8541.41.0000 | 80 | Redondo | 750 MAPA | - | 5.80 mm | 25V | 700mA | 115 ° | 4000K 4 Pasos Macadam Ellipse | 2160LM (typ) | 55 ° C | 129 LM/W | 80 | - | Departamento de Departamento | ||
![]() | Sphwhahdng2vyzv2d2 | 3.3490 | ![]() | 8446 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 | Banda | Activo | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdng2 | Blanco, Cálido | descascar | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Cuadrado | 1.84a | - | 1.50 mm | 34.6V | 720 mm | 115 ° | 3000K 2 Pasos Macadam Ellipse | 2706lm (typ) | 85 ° C | 109 LM/W | - | Dia de 14.50 mm | Departamento de Departamento |
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