SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tamaña / dimensión TUPO Cuidadas Base Número de Producto Color Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Current - Max Longitud de Onda Alta Voltaje - Forward (VF) (Typ) Real - PrueBa Ángulo de Visión CCT (k) Fljo luminoso @ corriente/temperatura Temperatura - PrueBa Lumens/watt @ real - prueba Cri (Índice de Renderizado de color) Superficie Emisora ​​de Luz (Les) Tipo de lente
SPHWHAHDNA25YZU2D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdna25yzu2d2 0.5578
RFQ
ECAD 7413 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdna25 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 1,000 Cuadrado 230mA - 1.50 mm 34.6V 90 Ma 115 ° 3500K 2 Pasos Macadam Ellipse 501lm (typ) 85 ° C 161 LM/W 80 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNG27YZW3D3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdng27yzw3d3 3.5681
RFQ
ECAD 1375 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Banda No hay para Nuevos Diseños 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdng27 Blanco, Cálido descascar EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 1.84a - 1.50 mm 34V 720 mm 115 ° 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse 3190LM (typ) 85 ° C 130 lm/w 90 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SI-B8V162560WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8V162560WW -
RFQ
ECAD 6179 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-E564A Banda Obsoleto 560.00 mm LX 40.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, Cálido - Cumplimiento de Rohs No Aplicable EAR99 8541.41.0000 1 Tira de Luz lineal 750 MAPA - 5.60 mm 24.3V 700mA 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 2020LM (TÍPICO) 45 ° C 119 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SI-N8U1312B0WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-N8U1312B0WW -
RFQ
ECAD 5246 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. SLE-013 Banda Obsoleto 50.00 mm de diámetro Chip A Bordo (COB) Conector Si-n8u Blanco, Cálido - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1510-1238 EAR99 8542.39.0001 400 Redondo 350 mm - 6.10 mm 33.5V 250 Ma 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 1160LM (typ) 75 ° C 139 LM/W 80 Dia de 13.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNL251ZQ3D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnl251zq3d2 7.5957
RFQ
ECAD 7591 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnl251 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 2.76a - 1.50 mm 52V 1.08a 115 ° 5700K 3 Pasos Macadam Ellipse 9084LM (TÍP) 85 ° C 162 LM/W 80 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNC25YZT2D3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnc25yzt2d3 1.3061
RFQ
ECAD 5343 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnc25 Blanco, neutral descascar EAR99 8541.41.0000 1,000 Cuadrado 690ma - 1.50 mm 34V 270 Ma 115 ° 4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse 1550lm (TÍP) 85 ° C 169 LM/W 80 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNK27YZR3DC Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnk27yzr3dc 8.4500
RFQ
ECAD 160 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Plus Caja Activo 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnk27 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnk27yzr3dc EAR99 8541.41.0000 160 Cuadrado 2.16a - 1.50 mm 33.7V 1.08a 115 ° 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 5507LM (TÍP) 85 ° C 151 LM/W 90 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHCW1HDN945YHRTKG Samsung Semiconductor, Inc. Sphcw1hdn945yhrtkg -
RFQ
ECAD 4818 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC008B Banda Obsoleto 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphcw1 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-1714 EAR99 8541.41.0000 672 Cuadrado 430mA - 1.50 mm 36.5V 240 mm 115 ° 5000K 1268LM (1185LM ~ 1351LM) 25 ° C 145 lm/w 80 Dia de 8.00 mm Departamento de Departamento
SI-B8R222B2HUS Samsung Semiconductor, Inc. Si-B8R222B2HUS 15.2100
RFQ
ECAD 131 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. H-Series H Gen4 Una granela Activo 1120.00 mm LX 18.00 mm W Módulo liderado - Si-B8 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable 1510-SI-B8R222B2HUS EAR99 8541.41.0000 160 Tira de Luz lineal 3.7a - 3.70 mm 22V 960MA - 5000K 4170LM (typ) 40 ° C 197 lm/w 80 - Departamento de Departamento
SPHWHAHDNM271ZU3DB Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnm271zu3db 11.7700
RFQ
ECAD 160 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda Activo 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhah Blanco, Cálido descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnm271zu3db 160 Cuadrado 3.24a - 1.50 mm 51.1V 1.62a 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 11004LM (typ) 85 ° C 133 LM/W 90 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SL-P7T2E31MZWW Samsung Semiconductor, Inc. SL-P7T2E31MZWW -
RFQ
ECAD 3896 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. TUPO E Banda Obsoleto 125.00 mm LX 50.00 mm W Módulo liderado - SL-P7T2 Blanco, neutral - Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 12 Rectángulo 700mA - 41.60 mm 30V 700mA - 4000K 2100LM (typ) 65 ° C 100 lm/w 70 - -
SPHWHAHDNM251ZR3DC Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnm251zr3dc 14.8800
RFQ
ECAD 26 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Plus Caja Activo 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnm251 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnm251zr3dc EAR99 8541.41.0000 160 Cuadrado 3.24a - 1.50 mm 50.6V 1.62a 115 ° 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 13961lm (typ) 85 ° C 171 LM/W 80 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDND25YZQ3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnd25yzq3d4 3.6100
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen4 Una granela Activo 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnd25 Blanco, genial descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado 1510-sphhahdnd25yzq3d4 EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 920 mm - 1.65 mm 33.6V 360 Ma 115 ° 5700K 3 Pasos Macadam Ellipse 2120LM (typ) 85 ° C 175 lm/w 80 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNK25YZW2D3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnk25yzw2d3 4.8814
RFQ
ECAD 7094 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Banda No hay para Nuevos Diseños 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnk25 Blanco, Cálido descascar EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 2.76a - 1.50 mm 34V 1.08a 115 ° 2700K 2 Pasos Macadam Ellipse 5675lm (TÍP) 85 ° C 155 lm/w 80 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWW1HDNA27YHV21G Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdna27yhv21g 3.2618
RFQ
ECAD 8614 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC013B Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 17.00 mm LX 17.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido - Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 480 Cuadrado 660ma - 1.60 mm 35.5V 360 Ma 115 ° 3000K 2 Pasos Macadam Ellipse 1575lm (1440lm ~ 1710lm) 25 ° C 123 LM/W 90 DiáMetro de 11.00 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNB25YZV3D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnb25yzv3d2 0.8915
RFQ
ECAD 4675 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnb25 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 1,000 Cuadrado 460ma - 1.50 mm 34.6V 180 Ma 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 971lm (typ) 85 ° C 156 LM/W 80 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDND25YZV3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnd25yzv3d4 3.6100
RFQ
ECAD 380 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen4 Una granela Activo 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnd25 Blanco, Cálido descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado 1510-sphhahdnd25yzv3d4 EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 920 mm - 1.65 mm 33.6V 360 Ma 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 2021lm (typ) 85 ° C 167 lm/w 80 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNH25YZQ3D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnh25yzq3d2 3.6557
RFQ
ECAD 7815 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnh25 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 2.3a - 1.50 mm 34.6V 900mA 115 ° 5700K 3 Pasos Macadam Ellipse 4916lm (typ) 85 ° C 158 LM/W 80 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNF2VYZAVD2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnf2vyzavd2 2.9034
RFQ
ECAD 7038 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnf2 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 1.38a - 1.50 mm 34.6V 540ma 115 ° 3300K 3 Pasos Macadam Ellipse 2160LM (typ) 85 ° C 116 LM/W - Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNG27YZW2D1 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdng27yzw2d1 -
RFQ
ECAD 9232 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC026D Banda Obsoleto 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdng27 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 1.600 Cuadrado 1.84a - 1.50 mm 34.6V 720 mm 115 ° 2700K 2 Pasos Macadam Ellipse 2898LM (typ) 85 ° C 116 LM/W 90 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHCW1HDN825YHR3EE Samsung Semiconductor, Inc. Sphcw1hdn825yhr3ee 1.5063
RFQ
ECAD 2906 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC006B Banda No hay para Nuevos Diseños 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphcw1 Blanco, genial - Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-1707 EAR99 8541.41.0000 672 Cuadrado 320 mm - 1.50 mm 35.5V 180 Ma 115 ° 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 949lm (887lm ~ 1011lm) 25 ° C 149 lm/w 80 Dia de 8.00 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNK25YZR3N2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnk25yzr3n2 -
RFQ
ECAD 5266 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC040D Banda Obsoleto 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnk25 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-1964 EAR99 8541.41.0000 1,280 Cuadrado 2.76a - 1.50 mm 34.6V 1.08a 115 ° 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 5561lm (typ) 85 ° C 149 lm/w 80 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWW1HDNB25YHU31H Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdnb25yhu31h 3.6262
RFQ
ECAD 5339 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC019B Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 17.00 mm LX 17.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-2032 EAR99 8541.41.0000 480 Cuadrado 980 Ma - 1.50 mm 35.5V 540ma 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 2904LM (2725LM ~ 3082LM) 25 ° C 151 LM/W 80 Dia de 12.40 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNM271ZW3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnm271zw3d4 17.8100
RFQ
ECAD 148 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen4 Una granela Activo 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnm271 Blanco, Cálido descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado 1510-sphhahdnm271zw3d4 EAR99 8541.41.0000 160 Cuadrado 4.14a - 1.70 mm 50.5V 1.62a 115 ° 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse 10823LM (TÍP) 85 ° C 132 LM/W 90 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWW1HDNE27YHU24K Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdne27yhu24k 8.0762
RFQ
ECAD 5162 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC040B Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 21.50 mm LX 21.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido - Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-2110 EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 1.9a - 1.50 mm 35.5V 1.08a 115 ° 3500K 2 Pasos Macadam Ellipse 4735LM (4336LM ~ 5133LM) 25 ° C 124 LM/W 90 17.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWH2HDNC05YHV2C1 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwh2hdnc05yhv2c1 3.6841
RFQ
ECAD 2055 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC020C Banda No hay para Nuevos Diseños 15.00 mm LX 12.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwh2 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 624 Rectángulo 810 Ma - 1.50 mm 34.5V 540ma 115 ° 3000K 2 Pasos Macadam Ellipse 2230lm (TÍP) 85 ° C 120 lm/w 80 Dia de 8.00 mm Departamento de Departamento
SPHWW1HDND25YHT33P Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdnd25yht33p -
RFQ
ECAD 1247 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC033B Caja Obsoleto 21.50 mm LX 21.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, neutral - Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 1.62a - 1.50 mm 35.5V 900mA 115 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 4437LM (3815LM ~ 5058LM) 25 ° C 139 LM/W 80 17.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWH2HDNA05YHQTC1 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwh2hdna05yhqtc1 2.7247
RFQ
ECAD 4634 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC010C Banda No hay para Nuevos Diseños 15.00 mm LX 12.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwh2 Blanco, genial - Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 624 Rectángulo 405 Ma - 1.50 mm 34.5V 270 Ma 115 ° 5700K 1260LM (typ) 85 ° C 135 lm/w 80 Dia de 6.00 mm Departamento de Departamento
SPHWW1HDNA28YHW21E Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdna28yhw21e -
RFQ
ECAD 9415 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC013B Caja Obsoleto 17.00 mm LX 17.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 480 Cuadrado 660ma - 1.60 mm 35.5V 360 Ma 115 ° 2700K 2 Pasos Macadam Ellipse 1369LM (1232LM ~ 1506LM) 25 ° C 107 lm/w 95 DiáMetro de 11.00 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNG27YZW2D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdng27yzw2d2 3.0059
RFQ
ECAD 3576 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdng27 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 1.84a - 1.50 mm 34.6V 720 mm 115 ° 2700K 2 Pasos Macadam Ellipse 3064lm (typ) 85 ° C 127 LM/W 90 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock