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Cobizos, Motores, Módulos, Tiras (2790)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tamaña / dimensión	TUPO	Cuidadas	Base Número de Producto	Color	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Current - Max	Longitud de Onda	Alta	Voltaje - Forward (VF) (Typ)	Real - PrueBa	Ángulo de Visión	CCT (k)	Fljo luminoso @ corriente/temperatura	Temperatura - PrueBa	Lumens/watt @ real - prueba	Cri (Índice de Renderizado de color)	Superficie Emisora de Luz (Les)	Tipo de lente
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Sphwhahdnk23yzt3db	6.6900	RFQ	127	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2 Plus	Caja	Activo	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnk23	Blanco, neutral	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdnk23yzt3db	EAR99	8541.41.0000	160	Cuadrado	2.16a	-	1.50 mm	34V	1.08a	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	6084lm (typ)	85 ° C	166 LM/W	70	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
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Sphwhahdnm251zr3dc	14.8800	RFQ	26	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3 Plus	Caja	Activo	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnm251	Blanco, genial	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdnm251zr3dc	EAR99	8541.41.0000	160	Cuadrado	3.24a	-	1.50 mm	50.6V	1.62a	115 °	5000K 3 Pasos Macadam Ellipse	13961lm (typ)	85 ° C	171 LM/W	80	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnk27yzr3dc	8.4500	RFQ	160	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3 Plus	Caja	Activo	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnk27	Blanco, genial	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdnk27yzr3dc	EAR99	8541.41.0000	160	Cuadrado	2.16a	-	1.50 mm	33.7V	1.08a	115 °	5000K 3 Pasos Macadam Ellipse	5507LM (TÍP)	85 ° C	151 LM/W	90	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnk25yzt3dc	8.4500	RFQ	156	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3 Plus	Caja	Activo	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnk25	Blanco, neutral	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdnk25yzt3dc	EAR99	8541.41.0000	160	Cuadrado	2.16a	-	1.50 mm	33.7V	1.08a	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	6311lm (typ)	85 ° C	173 LM/W	80	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnh25yzt3db	5.7700	RFQ	250	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2 Plus	Caja	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnh25	Blanco, neutral	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdnh25yzt3db	EAR99	8541.41.0000	250	Cuadrado	1.8a	-	1.50 mm	34V	900mA	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	5175lm (TÍP)	85 ° C	169 LM/W	80	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnk23yzr3db	6.6900	RFQ	136	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2 Plus	Caja	Activo	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnk23	Blanco, genial	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdnk23yzr3db	EAR99	8541.41.0000	160	Cuadrado	2.16a	-	1.50 mm	34V	1.08a	115 °	5000K 3 Pasos Macadam Ellipse	6113lm (typ)	85 ° C	166 LM/W	70	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphhahdng27yzu3dc	6.2100	RFQ	250	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3 Plus	Caja	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdng27	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdng27yzu3dc	EAR99	8541.41.0000	250	Cuadrado	1.44a	-	1.50 mm	33.7V	720 mm	115 °	3500K 3 Pasos Macadam Ellipse	3496lm (typ)	85 ° C	144 LM/W	90	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnd25yzr3dc	3.1200	RFQ	456	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3 Plus	Caja	Activo	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnd25	Blanco, genial	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdnd25yzr3dc	EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	720 mm	-	1.50 mm	33.7V	360 Ma	115 °	5000K 3 Pasos Macadam Ellipse	2090LM (TÍP)	85 ° C	173 LM/W	80	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
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Sphhahdng27yzr3dc	6.2100	RFQ	236	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3 Plus	Caja	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdng27	Blanco, genial	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdng27yzr3dc	EAR99	8541.41.0000	250	Cuadrado	1.44a	-	1.50 mm	33.7V	720 mm	115 °	5000K 3 Pasos Macadam Ellipse	3663lm (TÍP)	85 ° C	151 LM/W	90	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
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Sphhahdne27yzv3dc	4.0400	RFQ	26	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3 Plus	Caja	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphhahdne27	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdne27yzv3dc	EAR99	8541.41.0000	250	Cuadrado	900mA	-	1.50 mm	33.7V	450 mm	115 °	3000K 3 Pasos Macadam Ellipse	2154lm (typ)	85 ° C	142 lm/w	90	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
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Sphwhahdnc25yzt3dc	2.8000	RFQ	494	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3 Plus	Caja	Activo	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnc25	Blanco, neutral	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdnc25yzt3dc	EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	540ma	-	1.50 mm	33.7V	270 Ma	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	1550lm (TÍP)	85 ° C	170 lm/w	80	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnh23yzt3dc	6.8200	RFQ	250	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3 Plus	Caja	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnh23	Blanco, neutral	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdnh23yzt3dc	EAR99	8541.41.0000	250	Cuadrado	1.8a	-	1.50 mm	33.7V	900mA	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	5337LM (typ)	85 ° C	176 LM/W	70	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdna27wju3db	1.2300	RFQ	396	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2 Plus	Caja	Activo	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdna27	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdna27wju3db	EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	360 Ma	-	1.50 mm	17 V	180 Ma	115 °	3500K 3 Pasos Macadam Ellipse	501lm (typ)	85 ° C	164 LM/W	90	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
SI-N8R1254B0WW	-	RFQ	7434	Samsung Semiconductor, Inc.	CM 110 mm G5	Banda	Obsoleto	110.00 mm de diámetro	LED de motor	-	Si-n8r	Blanco, genial	descascar		1 (ilimitado)		1510-SI-N8R1254B0WW	EAR99	8541.41.0000	8	Redondo	-	-	5.20 mm	27.8V	430mA	120 °	5000K	2240LM (typ)	25 ° C	187 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
SI-N8Q1856B0WW	-	RFQ	5074	Samsung Semiconductor, Inc.	CM 130 mm G5	Banda	Obsoleto	130.00 mm de diámetro	LED de motor	-	Si-n8q	Blanco, genial	descascar		1 (ilimitado)		1510-SI-N8Q1856B0WW	EAR99	8541.41.0000	6	Redondo	-	-	5.20 mm	27.9V	640ma	120 °	5700K	3330LM (typ)	25 ° C	186 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
SI-N8R0754B0WW	-	RFQ	7278	Samsung Semiconductor, Inc.	CM 90 mm G5	Banda	Obsoleto	90.00 mm de diámetro	LED de motor	-	Si-n8r	Blanco, genial	descascar		1 (ilimitado)		1510-SI-N8R0754B0WW	EAR99	8541.41.0000	12	Redondo	-	-	5.20 mm	27.5V	240 mm	120 °	5000K	1250LM (TÍP)	25 ° C	187 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
SI-B9W1624B1US	-	RFQ	4028	Samsung Semiconductor, Inc.	*	Banda	Obsoleto				Si-B9		-		No Aplicable		1510-SI-B9W1624B1US	EAR99	8541.41.0000	1
Sphwhahdnd25yzt3d4	3.5900	RFQ	500	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen4	Una granela	Activo	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnd25	Blanco, neutral	descascar	ROHS3 Cumplante	2a (4 semanas)	Alcanzar sin afectado	1510-sphhahdnd25yzt3d4	EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	920 mm	-	1.65 mm	33.6V	360 Ma	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	2099lm (typ)	85 ° C	174 LM/W	80	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdng25yzp3d4	7.2800	RFQ	250	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen4	Una granela	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdng25	Blanco, genial	descascar	ROHS3 Cumplante	2a (4 semanas)	Alcanzar sin afectado	1510-sphhahdng25yzp3d4	EAR99	8541.41.0000	250	Cuadrado	1.84a	-	1.70 mm	33.6V	720 mm	115 °	6500K 3 Pasos Macadam Ellipse	4253lm (typ)	85 ° C	176 LM/W	80	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnh25yzp3d4	7.8200	RFQ	172	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen4	Una granela	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnh25	Blanco, genial	descascar	ROHS3 Cumplante	2a (4 semanas)	Alcanzar sin afectado	1510-sphhahdnh25yzp3d4	EAR99	8541.41.0000	250	Cuadrado	2.3a	-	1.70 mm	33.6V	900mA	115 °	6500K 3 Pasos Macadam Ellipse	5192lm (typ)	85 ° C	172 lm/w	80	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnd27yzw3d4	3.6100	RFQ	470	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen4	Una granela	Activo	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnd27	Blanco, Cálido	descascar	ROHS3 Cumplante	2a (4 semanas)	Alcanzar sin afectado	1510-sphhahdnd27yzw3d4	EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	920 mm	-	1.65 mm	33.6V	360 Ma	115 °	2700k 3 Pasos Macadam Ellipse	1598lm (typ)	85 ° C	132 LM/W	90	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnk25yzt3d4	10.1300	RFQ	148	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen4	Una granela	Activo	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnk25	Blanco, neutral	descascar	ROHS3 Cumplante	2a (4 semanas)	Alcanzar sin afectado	1510-sphhahdnk25yzt3d4	EAR99	8541.41.0000	160	Cuadrado	2.76a	-	1.70 mm	33.6V	1.08a	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	6465lm (typ)	85 ° C	178 LM/W	80	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnf25yzv3d4	5.6800	RFQ	200	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen4	Una granela	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnf25	Blanco, Cálido	descascar	ROHS3 Cumplante	2a (4 semanas)	Alcanzar sin afectado	1510-sphhahdnf25yzv3d4	EAR99	8541.41.0000	250	Cuadrado	1.38a	-	1.70 mm	33.6V	540ma	115 °	3000K 3 Pasos Macadam Ellipse	3061lm (typ)	85 ° C	169 LM/W	80	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnh25yzr3d4	7.8200	RFQ	250	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen4	Una granela	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnh25	Blanco, genial	descascar	ROHS3 Cumplante	2a (4 semanas)	Alcanzar sin afectado	1510-sphhahdnh25yzr3d4	EAR99	8541.41.0000	250	Cuadrado	2.3a	-	1.70 mm	33.6V	900mA	115 °	5000K 3 Pasos Macadam Ellipse	5277LM (typ)	85 ° C	175 lm/w	80	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento