SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tamaña / dimensión TUPO Cuidadas Base Número de Producto Color Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Current - Max Longitud de Onda Alta Voltaje - Forward (VF) (Typ) Real - PrueBa Ángulo de Visión CCT (k) Fljo luminoso @ corriente/temperatura Temperatura - PrueBa Lumens/watt @ real - prueba Cri (Índice de Renderizado de color) Superficie Emisora ​​de Luz (Les) Tipo de lente
SPHWHAHDNC27YZU2DB Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnc27yzu2db 0.8297
RFQ
ECAD 5515 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Plus Banda Activo 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnc27 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnc27yzu2db EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 540ma - 1.50 mm 34V 270 Ma 115 ° 3500K 2 Pasos Macadam Ellipse 1257LM (TÍP) 85 ° C 137 LM/W 90 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNA27YZT2D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdna27yzt2d2 0.5470
RFQ
ECAD 2239 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdna27 Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 1,000 Cuadrado 230mA - 1.50 mm 34.6V 90 Ma 115 ° 4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse 427lm (typ) 85 ° C 137 LM/W 90 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHCW1HDNA25YHQT1D Samsung Semiconductor, Inc. Sphcw1hdna25yhqt1d 2.6478
RFQ
ECAD 9256 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC013B Banda No hay para Nuevos Diseños 17.00 mm LX 17.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphcw1 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-1716 EAR99 8541.41.0000 480 Cuadrado 660ma - 1.60 mm 35.5V 360 Ma 115 ° 5700K 1800LM (1680LM ~ 1920LM) 25 ° C 141 LM/W 80 DiáMetro de 11.00 mm Departamento de Departamento
SI-B8V14256LWW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8V14256LWW 14.1500
RFQ
ECAD 3929 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-S562L Banda No hay para Nuevos Diseños 559.70 mm LX 23.80 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.41.0000 128 Tira de Luz lineal 720 mm - 7.40 mm 35.2V 400mA 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 2180LM (typ) 50 ° C 155 lm/w 80 - Departamento de Departamento
SPHWHAHDNG2VYZU2D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphhahdng2vyzu2d2 3.4153
RFQ
ECAD 8605 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdng2 Blanco, Cálido descascar EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 1.84a - 1.50 mm 34.6V 720 mm 115 ° 3500K 2 Pasos Macadam Ellipse 2907LM (typ) 85 ° C 117 LM/W - Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
STOPMW757252V2SE31 Samsung Semiconductor, Inc. StopMW757252V2SE31 -
RFQ
ECAD 6370 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. - Caja Obsoleto 125.00 mm LX 50.00 mm W Módulo liderado - StopMW757 Blanco, genial - Cumplimiento de Rohs No Aplicable EAR99 8541.41.0000 6 Rectángulo 1A - 41.60 mm 30.5V 700mA - 5700K 1875lm (TÍP) 65 ° C 88 lm/w 70 - -
SL-PGR2T53MBWW Samsung Semiconductor, Inc. SL-PGR2T53MBWW 27.0658
RFQ
ECAD 8050 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. T-type Banda No hay para Nuevos Diseños 125.20 mm LX 50.00 mm W Módulo liderado - SL-PGR2 Blanco, genial - Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 12 Rectángulo 1A - 39.70 mm 30V 700mA - 5000K 2400LM (typ) 65 ° C 114 LM/W 75 - -
SPHWW1HDNA25YHT31E Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdna25yht31e 2.8899
RFQ
ECAD 5096 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC013B Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 17.00 mm LX 17.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-2016 EAR99 8541.41.0000 480 Cuadrado 660ma - 1.60 mm 35.5V 360 Ma 115 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1980LM (1870LM ~ 2090LM) 25 ° C 155 lm/w 80 DiáMetro de 11.00 mm Departamento de Departamento
SPHWW1HDNE25YHV24H Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdne25yhv24h 7.6916
RFQ
ECAD 3430 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC040B Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 21.50 mm LX 21.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido - Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-2101 EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 1.9a - 1.50 mm 35.5V 1.08a 115 ° 3000K 2 Pasos Macadam Ellipse 5795LM (5615LM ~ 5975LM) 25 ° C 151 LM/W 80 17.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDND2VYZVVD2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnd2vyzvvd2 1.7503
RFQ
ECAD 3617 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda Activo 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnd2 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 1,000 Cuadrado 920 mm - 1.50 mm 34.6V 360 Ma 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1334lm (typ) 85 ° C 107 lm/w - 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SL-B8U7NK0L2WW Samsung Semiconductor, Inc. SL-B8U7NK0L2WW -
RFQ
ECAD 6452 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-F564A Banda Obsoleto 558.80 mm LX 40.00 mm W Módulo liderado - SL-B8U7 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable 1510-1686 EAR99 8541.41.0000 96 Tira de Luz lineal - - 5.90 mm 49.6V 1.5a - 3500K 4 Pasos Macadam Ellipse 8810LM (TÍP) 25 ° C 118 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SPHWW1HDNA25YHU3B3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdna25yhu3b3 -
RFQ
ECAD 2032 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC013B Gen3 Tape & Reel (TR) Obsoleto 17.00 mm LX 17.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.41.0000 1.400 Cuadrado 660ma - 1.60 mm 35.5V 360 Ma 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 2080LM (1950LM ~ 2209LM) 25 ° C 163 LM/W 80 DiáMetro de 11.00 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNK25YZT3DB Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnk25yzt3db 7.2900
RFQ
ECAD 140 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Plus Banda Activo 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnk25 Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnk25yzt3db EAR99 8541.41.0000 160 Cuadrado 2.16a - 1.50 mm 34V 1.08a 115 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 6084lm (typ) 85 ° C 166 LM/W 80 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWW1HDND28YHU23J Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdnd28yhu23j -
RFQ
ECAD 6293 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC033B Caja Obsoleto 21.50 mm LX 21.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido - Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 1.62a - 1.50 mm 35.5V 900mA 115 ° 3500K 2 Pasos Macadam Ellipse 3371LM (3034LM ~ 3708LM) 25 ° C 106 LM/W 95 17.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNH23YZR3DB Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnh23yzr3db 5.7700
RFQ
ECAD 240 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Plus Caja Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnh23 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnh23yzr3db EAR99 8541.41.0000 250 Cuadrado 1.8a - 1.50 mm 34V 900mA 115 ° 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 5202LM (typ) 85 ° C 170 lm/w 70 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SI-B8T113280WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8T113280WW -
RFQ
ECAD 8550 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-M272C Banda Obsoleto 275.00 mm LX 18.00 mm W Módulo liderado - Si-B8 Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1510-1189 EAR99 8541.41.0000 400 Tira de Luz lineal 450 mm - 5.80 mm 24 V 450 mm 115 ° 4000K 1486lm (typ) 55 ° C 138 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SI-B8T101250WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8T101250WW -
RFQ
ECAD 3111 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Dedo-sq64b Banda Obsoleto 259.00 mm LX 250.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable EAR99 8541.41.0000 60 Rectángulo 1.6a - 6.70 mm 11.5V 700mA 115 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1310lm (typ) 35 ° C 163 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SPHWHAHDNM251ZU3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnm251zu3d4 17.8100
RFQ
ECAD 160 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen4 Una granela Activo 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnm251 Blanco, Cálido descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado 1510-sphhahdnm251zu3d4 EAR99 8541.41.0000 160 Cuadrado 4.14a - 1.70 mm 50.5V 1.62a 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 13926lm (typ) 85 ° C 170 lm/w 80 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWW1HDN948YHW3EC Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdn948yhw3ec -
RFQ
ECAD 1088 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC008B Caja Obsoleto 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 672 Cuadrado 430mA - 1.50 mm 36.5V 240 mm 115 ° 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse 892LM (803LM ~ 981LM) 25 ° C 102 lm/w 95 Dia de 8.00 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDND2VYZU2D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnd2vyzu2d2 1.7796
RFQ
ECAD 2273 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Tape & Reel (TR) Activo 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnd2 Blanco, Cálido descascar EAR99 8541.41.0000 1,000 Cuadrado 920 mm - 1.50 mm 34.6V 360 Ma 115 ° 3500K 2 Pasos Macadam Ellipse 1433LM (typ) 85 ° C 115 lm/w - 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SI-B8T102250WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8T102250WW -
RFQ
ECAD 1536 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Aleta-SQ64 Caja Obsoleto 259.00 mm LX 250.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable EAR99 8541.41.0000 60 Rectángulo 2.4a - 5.80 mm 11.2V 700mA 115 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1450LM (TÍP) 35 ° C 185 lm/w 80 - Departamento de Departamento
SL-Z7R3280L9WW Samsung Semiconductor, Inc. SL-Z7R3280L9WW 11.3800
RFQ
ECAD 217 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. RM12_ZP Una granela Activo 146.60 mm LX 45.00 mm W Módulo liderado - SL-Z7R Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable 1510-SL-Z7R3280L9WW EAR99 8541.41.0000 240 Tira de Luz lineal 1.6a - 6.00 mm 35.5V 1.05A 120 ° 5000K 7 Pasos Macadam Ellipse 6330lm (typ) 60 ° C 170 lm/w 70 - Departamento de Departamento
SPHCW1HDN945YHRTKE Samsung Semiconductor, Inc. Sphcw1hdn945yhrtke -
RFQ
ECAD 3958 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. - Banda Obsoleto - - - Sphcw1 - - Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-1713 EAR99 8541.41.0000 672 - - - - - - - - - - - - - -
SPHWHAHDNE25YZW2D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphhahdne25yzw2d2 1.9822
RFQ
ECAD 2101 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphhahdne25 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 1.15a - 1.50 mm 34.6V 450 mm 115 ° 2700K 2 Pasos Macadam Ellipse 2293LM (TÍP) 85 ° C 147 lm/w 80 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SI-B8R09A280WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8R09A280WW -
RFQ
ECAD 1645 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-R286A Banda Obsoleto 280.00 mm LX 55.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, genial - Cumplimiento de Rohs No Aplicable 1510-1637 EAR99 8541.41.0000 108 Rectángulo 540ma - 5.80 mm 32.3V 290ma 115 ° 5000K 4 Pasos Macadam Ellipse 1545lm (1390lm ~ 1700lm) 50 ° C 165 lm/w 80 - Departamento de Departamento
SPHWHAHDNF25YZW3DC Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnf25yzw3dc 4.8800
RFQ
ECAD 249 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Plus Caja Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnf25 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnf25yzw3dc EAR99 8541.41.0000 250 Cuadrado 1.08a - 1.50 mm 33.7V 540ma 115 ° 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse 2925lm (TÍP) 85 ° C 161 LM/W 80 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDND27YZT3D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnd27yzt3d2 1.4944
RFQ
ECAD 8544 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnd27 Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 1,000 Cuadrado 920 mm - 1.50 mm 34.6V 360 Ma 115 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1670LM (typ) 85 ° C 134 LM/W 90 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SI-B8R08228001 Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8R08228001 -
RFQ
ECAD 5198 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-E284A Banda Obsoleto 280.00 mm LX 40.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, genial - Cumplimiento de Rohs No Aplicable EAR99 8541.41.0000 144 Tira de Luz lineal 750 MAPA - 5.60 mm 12.1V 700mA 115 ° 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1190LM (typ) 45 ° C 141 LM/W 80 - Departamento de Departamento
SPHWHAHDNL251ZV3Q3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnl251zv3q3 -
RFQ
ECAD 7703 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC060D Banda Obsoleto 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnl251 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 1,280 Cuadrado 2.76a - 1.50 mm 52V 1.08a 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 7667LM (typ) 85 ° C 137 LM/W 80 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SI-N8R0754B0WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-N8R0754B0WW -
RFQ
ECAD 7278 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. CM 90 mm G5 Banda Obsoleto 90.00 mm de diámetro LED de motor - Si-n8r Blanco, genial descascar 1 (ilimitado) 1510-SI-N8R0754B0WW EAR99 8541.41.0000 12 Redondo - - 5.20 mm 27.5V 240 mm 120 ° 5000K 1250LM (TÍP) 25 ° C 187 LM/W 80 - Departamento de Departamento
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    Volumen de RFQ promedio diario

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    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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