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Cobizos, Motores, Módulos, Tiras (2790)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tamaña / dimensión	TUPO	Cuidadas	Base Número de Producto	Color	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Current - Max	Longitud de Onda	Alta	Voltaje - Forward (VF) (Typ)	Real - PrueBa	Ángulo de Visión	CCT (k)	Fljo luminoso @ corriente/temperatura	Temperatura - PrueBa	Lumens/watt @ real - prueba	Cri (Índice de Renderizado de color)	Superficie Emisora de Luz (Les)	Tipo de lente
Sphww1hdnb25yht31h	3.6262	RFQ	6156	Samsung Semiconductor, Inc.	LC019B Gen2	Banda	No hay para Nuevos Diseños	17.00 mm LX 17.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphww1	Blanco, neutral	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-2030	EAR99	8541.41.0000	480	Cuadrado	980 Ma	-	1.50 mm	35.5V	540ma	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	2989LM (2805LM ~ 3172LM)	25 ° C	156 LM/W	80	Dia de 12.40 mm	Departamento de Departamento
SI-B8R152560WW	7.7000	RFQ	264	Samsung Semiconductor, Inc.	LT-M562B_G2	Banda	Obsoleto	560.00 mm LX 18.00 mm W	Módulo liderado	Conector	Si-B8	Blanco, genial	descascar	Cumplimiento de Rohs	No Aplicable		1510-1330	EAR99	8541.41.0000	280	Tira de Luz lineal	720 mm	-	4.40 mm	24.8V	600mA	115 °	5000K 4 Pasos Macadam Ellipse	2200LM (TÍP)	50 ° C	148 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
SL-P7T2E385ZWW	-	RFQ	3674	Samsung Semiconductor, Inc.	TUPO E	Banda	Obsoleto	125.00 mm LX 50.00 mm W	Módulo liderado	-	SL-P7T2	Blanco, neutral	-	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)			EAR99	8541.41.0000	12	Rectángulo	700mA	-	41.60 mm	30V	700mA	85 °	4000K	2100LM (typ)	65 ° C	100 lm/w	70	-	-
SI-N8R1113B1US	-	RFQ	1568	Samsung Semiconductor, Inc.	Acom dle	Banda	Obsoleto	55.00 mm LX 55.00 mm W	Módulo liderado	-	Si-n8r	Blanco, genial	descascar		No Aplicable			EAR99	8541.41.0000	320	Cuadrado	-	-	12.50 mm	-	-	115 °	5000K	1250LM (1090LM ~ 1420LM)	25 ° C	110 lm/w	80	22.50 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwh2hdnc08yhu2c1	4.0532	RFQ	1813	Samsung Semiconductor, Inc.	LC020C	Banda	No hay para Nuevos Diseños	15.00 mm LX 12.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwh2	Blanco, Cálido	-	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)			EAR99	8541.41.0000	624	Rectángulo	810 Ma	-	1.50 mm	34.5V	540ma	115 °	3500K 2 Pasos Macadam Ellipse	1780lm (typ)	85 ° C	96 LM/W	92	Dia de 8.00 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnd27yzv2d2	1.5196	RFQ	4118	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2	Banda	No hay para Nuevos Diseños	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnd27	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)			EAR99	8541.41.0000	1,000	Cuadrado	920 mm	-	1.50 mm	34.6V	360 Ma	115 °	3000K 2 Pasos Macadam Ellipse	1580LM (TÍP)	85 ° C	127 LM/W	90	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphhahdne27yzt2d3	2.1309	RFQ	1031	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3	Banda	No hay para Nuevos Diseños	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphhahdne27	Blanco, neutral	descascar					EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	1.15a	-	1.50 mm	34V	450 mm	115 °	4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse	2248lm (TÍP)	85 ° C	147 lm/w	90	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnl271zr3db	9.2200	RFQ	160	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2 Plus	Caja	Activo	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnl271	Blanco, genial	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdnl271zr3db	EAR99	8541.41.0000	160	Cuadrado	2.16a	-	1.50 mm	51.1V	1.08a	115 °	5000K 3 Pasos Macadam Ellipse	9475LM (typ)	85 ° C	172 lm/w	90	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
SI-N8V0814B0US	-	RFQ	8469	Samsung Semiconductor, Inc.	F-Series Gen3	Una granela	Obsoleto	-	Módulo liderado	-	Si-n8v	Blanco	-	Cumplimiento de Rohs	1 (ilimitado)			EAR99	8541.41.0000	1	Tira de Luz lineal	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Departamento de Departamento
Sphwhahdng25yzq3d3	3.5681	RFQ	1919	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3	Banda	No hay para Nuevos Diseños	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdng25	Blanco, genial	descascar					EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	1.84a	-	1.50 mm	34V	720 mm	115 °	5700K 3 Pasos Macadam Ellipse	4147LM (typ)	85 ° C	169 LM/W	80	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnc25yzw2h1	-	RFQ	6544	Samsung Semiconductor, Inc.	LC009D	Banda	Obsoleto	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnc25	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-1876	EAR99	8541.41.0000	2.400	Cuadrado	690ma	-	1.50 mm	34.6V	270 Ma	115 °	2700K 2 Pasos Macadam Ellipse	1209LM (TÍP)	85 ° C	129 LM/W	80	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
SI-B8T17156CWW	-	RFQ	1569	Samsung Semiconductor, Inc.	Veria V	Banda	Obsoleto	560.00 mm LX 18.00 mm W	Módulo liderado	-	Si-B8	Blanco, neutral	descascar	Cumplimiento de Rohs	No Aplicable			EAR99	8541.41.0000	280	Tira de Luz lineal	900mA	-	5.50 mm	24 V	700mA	-	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	2460LM (2214LM ~ 2706LM)	50 ° C	146 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
Sphww1hdnb27yht32k	3.5590	RFQ	1400	Samsung Semiconductor, Inc.	LC019B Gen2	Banda	No hay para Nuevos Diseños	17.00 mm LX 17.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphww1	Blanco, neutral	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-2038	EAR99	8541.41.0000	480	Cuadrado	980 Ma	-	1.50 mm	35.5V	540ma	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	2455LM (2245LM ~ 2665LM)	25 ° C	128 LM/W	90	Dia de 12.40 mm	Departamento de Departamento
Sphww1hdnb2vyhu32f	-	RFQ	3932	Samsung Semiconductor, Inc.	LC019B	Banda	Obsoleto	17.00 mm LX 17.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphww1	Blanco, Cálido	-	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-2046	EAR99	8541.41.0000	480	Cuadrado	980 Ma	-	1.50 mm	35.5V	-	115 °	3500K 3 Pasos Macadam Ellipse	2296lm (2020lm ~ 2571lm)	25 ° C	-	-	Dia de 12.40 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnb27yzr3d1	-	RFQ	6791	Samsung Semiconductor, Inc.	LC006D	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnb27	Blanco, genial	descascar					EAR99	8541.41.0000	2.400	Cuadrado	460ma	-	1.50 mm	34.6V	180 Ma	115 °	5000K 3 Pasos Macadam Ellipse	827lm (typ)	85 ° C	133 LM/W	90	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdna27yzu2d1	-	RFQ	5809	Samsung Semiconductor, Inc.	LC003D	Banda	Obsoleto	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdna27	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)			EAR99	8541.41.0000	2.400	Cuadrado	230mA	-	1.50 mm	34.6V	90 Ma	115 °	3500K 2 Pasos Macadam Ellipse	396lm (typ)	85 ° C	127 LM/W	90	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnk23yzv3d4	10.1300	RFQ	157	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen4	Una granela	Activo	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnk23	Blanco, Cálido	descascar	ROHS3 Cumplante	2a (4 semanas)	Alcanzar sin afectado	1510-sphhahdnk23yzv3d4	EAR99	8541.41.0000	160	Cuadrado	2.76a	-	1.70 mm	33.6V	1.08a	115 °	3000K 3 Pasos Macadam Ellipse	6561lm (typ)	85 ° C	181 LM/W	70	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnh25yzq3d3	4.0475	RFQ	7539	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3	Banda	No hay para Nuevos Diseños	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnh25	Blanco, genial	descascar					EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	2.3a	-	1.50 mm	34V	900mA	115 °	5700K 3 Pasos Macadam Ellipse	5132lm (typ)	85 ° C	168 LM/W	80	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Si-B9U222B2HUS	17.2200	RFQ	142	Samsung Semiconductor, Inc.	H-Series H Gen4	Una granela	Activo	1120.00 mm LX 18.00 mm W	Módulo liderado	-	Si-B9	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	No Aplicable		1510-Si-B9U222B2HUS	EAR99	8541.41.0000	160	Tira de Luz lineal	3.7a	-	3.70 mm	22V	960MA	-	3500K	3350LM (typ)	40 ° C	159 LM/W	90	-	Departamento de Departamento
Sphwhahdnb27yzv3db	2.0200	RFQ	500	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2 Plus	Banda	Activo	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnb27	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdnb27yzv3db	EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	360 Ma	-	1.50 mm	34V	180 Ma	115 °	3000K 3 Pasos Macadam Ellipse	824lm (typ)	85 ° C	135 lm/w	90	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnc25yzwpt1	3.1510	RFQ	6128	Samsung Semiconductor, Inc.	Serie t COB	Una granela	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnc25	Blanco, Cálido / Blanco, Fresco	descascar		2a (4 semanas)		1510-sphhahdnc25yzwpt1	EAR99	8541.41.0000	750	Cuadrado	400mA	-	1.60 mm	35.5V	-	115 °	4600K (2700K ~ 6500K) Macadam Ellipse de 5 Pasos	1271LM (1190LM ~ 1352LM)	25 ° C	-	80	-	Departamento de Departamento
Sphwhahdnk25yzv3dc	8.4500	RFQ	150	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3 Plus	Caja	Activo	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnk25	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdnk25yzv3dc	EAR99	8541.41.0000	160	Cuadrado	2.16a	-	1.50 mm	33.7V	1.08a	115 °	3000K 3 Pasos Macadam Ellipse	5968LM (TÍP)	85 ° C	164 LM/W	80	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnh25yzt3c2	2.4683	RFQ	1968	Samsung Semiconductor, Inc.	Serie C Gen2	Banda	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnh25	Blanco, neutral	descascar					EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	1.38a	-	1.50 mm	35V	900mA	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	4154lm (typ)	85 ° C	132 LM/W	80	DiáMetro de 11.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdna27yzv2d1	-	RFQ	2146	Samsung Semiconductor, Inc.	LC003D	Banda	Obsoleto	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdna27	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)			EAR99	8541.41.0000	2.400	Cuadrado	230mA	-	1.50 mm	34.6V	90 Ma	115 °	3000K 3 Pasos Macadam Ellipse	384lm (TÍP)	85 ° C	123 LM/W	90	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnm251zu3d2	9.9642	RFQ	8328	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2	Banda	No hay para Nuevos Diseños	28.00 mm LX 28.00 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnm251	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)			EAR99	8541.41.0000	320	Cuadrado	4.14a	-	1.50 mm	52V	1.62a	115 °	3500K 3 Pasos Macadam Ellipse	12852LM (TÍP)	85 ° C	153 LM/W	80	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnb25yzv3dc	2.0500	RFQ	497	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3 Plus	Caja	Activo	13.50 mm LX 13.50 mm W	Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnb25	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdnb25yzv3dc	EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	360 Ma	-	1.50 mm	33.7V	180 Ma	115 °	3000K 3 Pasos Macadam Ellipse	983LM (typ)	85 ° C	161 LM/W	80	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Si-B9T222B2HUS	17.2200	RFQ	157	Samsung Semiconductor, Inc.	H-Series H Gen4	Una granela	Activo	1120.00 mm LX 18.00 mm W	Módulo liderado	-	Si-B9	Blanco, neutral	descascar	Cumplimiento de Rohs	No Aplicable		1510-Si-B9T222B2HUS	EAR99	8541.41.0000	160	Tira de Luz lineal	3.7a	-	3.70 mm	22V	960MA	-	4000K	3480LM (typ)	40 ° C	165 lm/w	90	-	Departamento de Departamento
SI-B8U031070WW	-	RFQ	3363	Samsung Semiconductor, Inc.	LT-H072A	Caja	Obsoleto	70.00 mm LX 24.00 mm W	Módulo liderado	Conector	Si-B8	Blanco, Cálido	-	Cumplimiento de Rohs	No Aplicable			EAR99	8541.41.0000	1.500	Tira de Luz lineal	360 Ma	-	5.80 mm	9.45V	300mA	-	3500K 3 Pasos Macadam Ellipse	370LM (typ)	50 ° C	131 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
SI-B8U161560WW	-	RFQ	6511	Samsung Semiconductor, Inc.	LT-H564A	Banda	Obsoleto	560.00 mm LX 40.00 mm W	Módulo liderado	Conector	Si-B8	Blanco, Cálido	-	Cumplimiento de Rohs	No Aplicable			EAR99	8541.41.0000	1	Tira de Luz lineal	1.2a	-	5.60 mm	23.2v	700mA	115 °	3500K 3 Pasos Macadam Ellipse	2200LM (TÍP)	45 ° C	135 lm/w	80	-	Departamento de Departamento
Si-b8v05128hus	6.9100	RFQ	70	Samsung Semiconductor, Inc.	LT-H282D	Una granela	Activo	275.00 mm LX 18.00 mm W	Módulo liderado	Conector	Si-B8	Blanco, Cálido	descascar	Cumplimiento de Rohs	No Aplicable			EAR99	8541.41.0000	400	Tira de Luz lineal	-	-	5.80 mm	22.5V	240 mm	-	3000K	970LM (typ)	50 ° C	180 lm/w	80	-	Departamento de Departamento