SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tamaña / dimensión TUPO Cuidadas Base Número de Producto Color Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Current - Max Longitud de Onda Alta Voltaje - Forward (VF) (Typ) Real - PrueBa Ángulo de Visión CCT (k) Fljo luminoso @ corriente/temperatura Temperatura - PrueBa Lumens/watt @ real - prueba Cri (Índice de Renderizado de color) Superficie Emisora de Luz (Les) Tipo de lente
SPHWHAHDNM251ZT2D3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnm251zt2d3 9.9748
RFQ
ECAD 6963 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Banda No hay para Nuevos Diseños 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnm251 Blanco, neutral descascar EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 4.14a - 1.50 mm 50V 1.62a 115 ° 4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse 13721lm (typ) 85 ° C 169 LM/W 80 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNH25YZP3D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnh25yzp3d2 3.7281
RFQ
ECAD 6989 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnh25 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 2.3a - 1.50 mm 34.6V 900mA 115 ° 6500K 3 Pasos Macadam Ellipse 4875LM (TÍP) 85 ° C 157 LM/W 80 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWW1HDNE23YHTN4J Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdne23yhtn4j -
RFQ
ECAD 1085 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC040B Banda Obsoleto 21.50 mm LX 21.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, neutral - Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 300 Cuadrado 1.9a - 1.50 mm 35.5V 1.08a 115 ° 4000K 5754lm (5063lm ~ 6444lm) 25 ° C 150 lm/w 70 17.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SI-B9V463B20WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B9V463B20WW 8.5849
RFQ
ECAD 3054 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. V Gen3 Banda Activo 1120.00 mm LX 18.00 mm W Módulo liderado - Si-B9 Blanco, Cálido descascar ROHS3 Cumplante 1510-SI-B9V463B20WW EAR99 8541.41.0000 110 Tira de Luz lineal 2.02a - 3.70 mm 45V 1.01a 118 ° 3000K 6470LM (5930LM ~ 7110LM) 65 ° C 142 lm/w 90 - Departamento de Departamento
SPHWHAHDNK27YZW2D3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnk27yzw2d3 4.8814
RFQ
ECAD 1597 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Banda No hay para Nuevos Diseños 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnk27 Blanco, Cálido descascar EAR99 8541.41.0000 320 Cuadrado 2.76a - 1.50 mm 34V 1.08a 115 ° 2700K 2 Pasos Macadam Ellipse 4856lm (typ) 85 ° C 132 LM/W 90 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SI-B8V14256LWW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8V14256LWW 14.1500
RFQ
ECAD 3929 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-S562L Banda No hay para Nuevos Diseños 559.70 mm LX 23.80 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.41.0000 128 Tira de Luz lineal 720 mm - 7.40 mm 35.2V 400mA 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 2180LM (typ) 50 ° C 155 lm/w 80 - Departamento de Departamento
SPHWW1HDN947YHT2B3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdn947yht2b3 -
RFQ
ECAD 9825 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC008B Gen3 Tape & Reel (TR) Obsoleto 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, neutral descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.41.0000 1.750 Cuadrado 430mA - 1.50 mm 35.5V 240 mm 115 ° 4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse 1144lm (1010lm ~ 1278lm) 25 ° C 134 LM/W 90 Dia de 8.00 mm Departamento de Departamento
SPHWW1HDN827YHW2B3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdn827yhw2b3 -
RFQ
ECAD 5006 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC006B Gen3 Tape & Reel (TR) Obsoleto 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.41.0000 1.750 Cuadrado 320 mm - 1.50 mm 35.5V 180 Ma 115 ° 2700K 2 Pasos Macadam Ellipse 792lm (698lm ~ 886lm) 25 ° C 124 LM/W 90 Dia de 8.00 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNC25YZWPT1 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnc25yzwpt1 3.1510
RFQ
ECAD 6128 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Serie t COB Una granela Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnc25 Blanco, Cálido / Blanco, Fresco descascar 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnc25yzwpt1 EAR99 8541.41.0000 750 Cuadrado 400mA - 1.60 mm 35.5V - 115 ° 4600K (2700K ~ 6500K) Macadam Ellipse de 5 Pasos 1271LM (1190LM ~ 1352LM) 25 ° C - 80 - Departamento de Departamento
SPHWW1HDN827YHV2CG Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdn827yhv2cg 1.6921
RFQ
ECAD 9571 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC006B Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido - Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-1989 EAR99 8541.41.0000 672 Cuadrado 320 mm - 1.50 mm 35.5V 180 Ma 115 ° 3000K 2 Pasos Macadam Ellipse 839LM (770LM ~ 907LM) 25 ° C 131 LM/W 90 Dia de 8.00 mm Departamento de Departamento
SPHWW1HDNB27YHT3B3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdnb27yht3b3 -
RFQ
ECAD 4669 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC019B Gen3 Tape & Reel (TR) Obsoleto 17.00 mm LX 17.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, neutral descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.41.0000 1.400 Cuadrado 980 Ma - 1.50 mm 35.5V 540ma 115 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 2578LM (2254LM ~ 2901LM) 25 ° C 134 LM/W 90 Dia de 12.40 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNB27YZU3E0 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnb27yzu3e0 -
RFQ
ECAD 3996 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC006D Banda Obsoleto 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnb27 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-1862 EAR99 8541.41.0000 2.400 Cuadrado 460ma - 1.50 mm 34.6V 180 Ma 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 768lm (typ) 85 ° C 123 LM/W 90 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNC25YZT2DB Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnc25yzt2db 0.8297
RFQ
ECAD 5189 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Plus Banda Activo 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnc25 Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnc25yzt2db EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 540ma - 1.50 mm 34V 270 Ma 115 ° 4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse 1502LM (TÍP) 85 ° C 164 LM/W 80 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SI-B8V112250WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8V112250WW -
RFQ
ECAD 3707 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Dedo-sq30b Banda Obsoleto 259.00 mm LX 250.00 mm W Módulo liderado Conector Si-B8 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable EAR99 8541.41.0000 60 Rectángulo 900mA - 5.80 mm 15.3V 700mA 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 1340LM (typ) 35 ° C 125 lm/w 80 - Departamento de Departamento
SPHWW1HDNB27YHW32K Samsung Semiconductor, Inc. Sphww1hdnb27yhw32k 3.5590
RFQ
ECAD 1161 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC019B Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 17.00 mm LX 17.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphww1 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-2044 EAR99 8541.41.0000 480 Cuadrado 980 Ma - 1.50 mm 35.5V 540ma 115 ° 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse 2325lm (2084lm ~ 2481lm) 25 ° C 121 LM/W 90 Dia de 12.40 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNF25YZQ3D3 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnf25yzq3d3 2.7306
RFQ
ECAD 9937 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Banda No hay para Nuevos Diseños 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnf25 Blanco, genial descascar EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 1.38a - 1.50 mm 34V 540ma 115 ° 5700K 3 Pasos Macadam Ellipse 3157lm (typ) 85 ° C 172 lm/w 80 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNH25YZT3C2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnh25yzt3c2 2.4683
RFQ
ECAD 1968 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Serie C Gen2 Banda Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnh25 Blanco, neutral descascar EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 1.38a - 1.50 mm 35V 900mA 115 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 4154lm (typ) 85 ° C 132 LM/W 80 DiáMetro de 11.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNK25YZQ3D1 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnk25yzq3d1 -
RFQ
ECAD 2782 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC040D Banda Obsoleto 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnk25 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 1,280 Cuadrado 2.76a - 1.50 mm 34.6V 1.08a 115 ° 5700K 3 Pasos Macadam Ellipse 5868LM (TÍP) 85 ° C 157 LM/W 80 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDND28YZU2D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnd28yzu2d2 1.5632
RFQ
ECAD 4143 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Tape & Reel (TR) Activo 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnd28 Blanco, Cálido descascar EAR99 8541.41.0000 1,000 Cuadrado 920 mm - 1.50 mm 34.6V 360 Ma 115 ° 3500K 2 Pasos Macadam Ellipse 1337LM (typ) 85 ° C 107 lm/w - 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNF27YZU3C2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnf27yzu3c2 1.7162
RFQ
ECAD 7736 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Serie C Gen2 Banda Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnf27 Blanco, Cálido descascar EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 920 mm - 1.50 mm 35V 600mA 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 2304LM (TÍP) 85 ° C 110 lm/w 90 Dia de 8.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNM251ZT3DC Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnm251zt3dc 14.8800
RFQ
ECAD 128 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Plus Caja Activo 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnm251 Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnm251zt3dc EAR99 8541.41.0000 160 Cuadrado 3.24a - 1.50 mm 50.6V 1.62a 115 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 13735LM (typ) 85 ° C 168 LM/W 80 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SO-PDR25EG2SWW Samsung Semiconductor, Inc. SO-PDR25EG2SWW -
RFQ
ECAD 3837 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. - Banda Obsoleto 125.00 mm LX 50.00 mm W Módulo liderado - SO-PDR25 Blanco, genial - Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 12 Rectángulo 1A - 41.60 mm 30V 700mA - 6500k 1950lm (typ) 65 ° C 93 LM/W 70 - -
SI-N9T1624B1US Samsung Semiconductor, Inc. SI-N9T1624B1US 11.4800
RFQ
ECAD 59 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. Acom Una granela Obsoleto 100.00 mm de diámetro Módulo liderado - Si-n9t Blanco, neutral descascar 1 (ilimitado) 1510-SI-N9T1624B1US EAR99 8541.41.0000 144 Redondo - - 11.00 mm 120V - 115 ° 4000K 1620LM (TÍP) 25 ° C 100 lm/w 90 - Departamento de Departamento
SPHWHAHDNK25YZV3DC Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnk25yzv3dc 8.4500
RFQ
ECAD 150 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Plus Caja Activo 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnk25 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnk25yzv3dc EAR99 8541.41.0000 160 Cuadrado 2.16a - 1.50 mm 33.7V 1.08a 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 5968LM (TÍP) 85 ° C 164 LM/W 80 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNM231ZT3DC Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnm231zt3dc 14.8800
RFQ
ECAD 98 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen3 Plus Caja Activo 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnm231 Blanco, neutral descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-sphhahdnm231zt3dc EAR99 8541.41.0000 160 Cuadrado 3.24a - 1.50 mm 50.6V 1.62a 115 ° 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse 14290LM (typ) 85 ° C 175 lm/w 70 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNE27YZV3D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphhahdne27yzv3d2 2.1675
RFQ
ECAD 2963 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphhahdne27 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 1.15a - 1.50 mm 34.6V 450 mm 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 2084lm (TÍP) 85 ° C 134 LM/W 90 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDND27YZW3D2 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnd27yzw3d2 1.5240
RFQ
ECAD 1217 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen2 Banda No hay para Nuevos Diseños 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnd27 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) EAR99 8541.41.0000 1,000 Cuadrado 920 mm - 1.50 mm 34.6V 360 Ma 115 ° 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse 1509lm (typ) 85 ° C 121 LM/W 90 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWH2HDNC05YHRTC1 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwh2hdnc05yhrtc1 3.3127
RFQ
ECAD 1862 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LC020C Banda No hay para Nuevos Diseños 15.00 mm LX 12.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwh2 Blanco, genial descascar Cumplimiento de Rohs 2a (4 semanas) 1510-1757 EAR99 8541.41.0000 624 Rectángulo 810 Ma - 1.50 mm 34.5V 540ma 115 ° 5000K 2520lm (typ) 85 ° C 135 lm/w 80 Dia de 8.00 mm Departamento de Departamento
SI-N8U1312B0WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-N8U1312B0WW -
RFQ
ECAD 5246 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. SLE-013 Banda Obsoleto 50.00 mm de diámetro Chip A Bordo (COB) Conector Si-n8u Blanco, Cálido - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1510-1238 EAR99 8542.39.0001 400 Redondo 350 mm - 6.10 mm 33.5V 250 Ma 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 1160LM (typ) 75 ° C 139 LM/W 80 Dia de 13.50 mm Departamento de Departamento
SI-B8V051280WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8V051280WW -
RFQ
ECAD 5864 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LT-M272A Banda Obsoleto 275.00 mm LX 18.00 mm W Módulo liderado - Si-B8 Blanco, Cálido descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1510-1179 EAR99 8541.41.0000 400 Tira de Luz lineal 450 mm - 5.80 mm 12V 450 mm 115 ° 3000K 710lm (typ) 55 ° C 131 LM/W 80 - Departamento de Departamento
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    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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