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Optoelectónica (6540)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tamaña / dimensión	AltoRura - Sentada (Max)	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	TUPO	Cuidadas	Base Número de Producto	Color	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Current - Max	Longitud de Onda	Alta	Voltaje - Forward (VF) (Typ)	Real - PrueBa	Ángulo de Visión	CCT (k)	Fljo luminoso @ corriente/temperatura	Temperatura - PrueBa	Lumens/watt @ real - prueba	Cri (Índice de Renderizado de color)	Superficie Emisora de Luz (Les)	Tipo de lente	Flux @ 85 ° C, Corriente - PrueBa	Flujo a 25 ° C, Corriente - PrueBa	Resistencia Térmica del Paquete
Sphhahdne25yzp3d2	2.1675	RFQ	6488	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2	Banda	No hay para Nuevos Diseños	19.00 mm LX 19.00 mm W				Chip A Bordo (COB)	-	Sphhahdne25	Blanco, genial		descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)			EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	1.15a	-	1.50 mm	34.6V	450 mm	115 °	6500K 3 Pasos Macadam Ellipse	2558LM (TÍP)	85 ° C	164 LM/W	80	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphcw1hdna25yhrt1e	2.8899	RFQ	2645	Samsung Semiconductor, Inc.	LC013B	Banda	No hay para Nuevos Diseños	17.00 mm LX 17.00 mm W				Chip A Bordo (COB)	-	Sphcw1	Blanco, genial		descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-1721	EAR99	8541.41.0000	480	Cuadrado	660ma	-	1.60 mm	35.5V	360 Ma	115 °	5000K	1920LM (1800LM ~ 2040LM)	25 ° C	150 lm/w	80	DiáMetro de 11.00 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdna25yzu3d3	0.5758	RFQ	4305	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	13.50 mm LX 13.50 mm W				Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdna25	Blanco, Cálido		descascar					EAR99	8541.41.0000	1,000	Cuadrado	230mA	-	1.50 mm	34V	90 Ma	115 °	3500K 3 Pasos Macadam Ellipse	514lm (typ)	85 ° C	168 LM/W	80	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnf25yzv3db	4.0800	RFQ	250	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2 Plus	Banda	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W				Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnf25	Blanco, Cálido		descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdnf25yzv3db	EAR99	8541.41.0000	250	Cuadrado	1.08a	-	1.50 mm	34V	540ma	115 °	3000K 3 Pasos Macadam Ellipse	2877LM (typ)	85 ° C	157 LM/W	80	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphhahdne27yzt3d4	4.8900	RFQ	246	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen4	Una granela	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W				Chip A Bordo (COB)	-	Sphhahdne27	Blanco, neutral		descascar	ROHS3 Cumplante	2a (4 semanas)	Alcanzar sin afectado	1510-sphhahdne27yzt3d4	EAR99	8541.41.0000	250	Cuadrado	1.15a	-	1.70 mm	33.6V	450 mm	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	2344lm (typ)	85 ° C	155 lm/w	90	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnc25yzu2db	0.8297	RFQ	5154	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2 Plus	Banda	Activo	13.50 mm LX 13.50 mm W				Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnc25	Blanco, Cálido		descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdnc25yzu2db	EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	540ma	-	1.50 mm	34V	270 Ma	115 °	3500K 2 Pasos Macadam Ellipse	1466lm (typ)	85 ° C	160 lm/w	80	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
SI-B8T502560WW	42.2600	RFQ	6436	Samsung Semiconductor, Inc.	Horticultura l2 gen2	Banda	Activo	561.00 mm LX 41.00 mm W				Módulo liderado	-	Si-B8	Rojo, Blanco - Cálido		descascar		No Aplicable		1510-SI-B8T502560WW	EAR99	8541.41.0000	120	Tira de Luz lineal	1.6a	-	5.50 mm	42V	1.2a	118 °	3350k (3070k ~ 3645k)	8960LM (typ)	25 ° C	178 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
Sphwhahdnf25yzv2d2	2.2778	RFQ	5787	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2	Banda	No hay para Nuevos Diseños	19.00 mm LX 19.00 mm W				Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnf25	Blanco, Cálido		descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)			EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	1.38a	-	1.50 mm	34.6V	540ma	115 °	3000K 2 Pasos Macadam Ellipse	2877LM (typ)	85 ° C	154 LM/W	80	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
SPMWH1228FD5WARKSG	0.0103	RFQ	7092	Samsung Semiconductor, Inc.	LM281B+	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	0.138 "L x 0.110" W (3.50 mm x 2.80 mm)	0.030 "(0.75 mm)	Montaje en superficie	1113 (2835 Métrica)			SPMWH1228	Blanco, genial	2835	descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)			EAR99	8541.41.0000	4.000		160 Ma			3V	150 Ma	120 °	5000K			162 LM/W	80			-	73LM (71LM ~ 75LM)	25 ° C/W
Sphwhahdnm251zt3d2	9.9642	RFQ	7210	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2	Banda	No hay para Nuevos Diseños	28.00 mm LX 28.00 mm W				Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnm251	Blanco, neutral		descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)			EAR99	8541.41.0000	320	Cuadrado	4.14a	-	1.50 mm	52V	1.62a	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	13123LM (typ)	85 ° C	156 LM/W	80	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnm231zv3d4	17.8100	RFQ	118	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen4	Una granela	Activo	28.00 mm LX 28.00 mm W				Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnm231	Blanco, Cálido		descascar	ROHS3 Cumplante	2a (4 semanas)	Alcanzar sin afectado	1510-sphhahdnm231zv3d4	EAR99	8541.41.0000	160	Cuadrado	4.14a	-	1.70 mm	50.5V	1.62a	115 °	3000K 3 Pasos Macadam Ellipse	13727LM (typ)	85 ° C	179 LM/W	70	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
SL-P7T2E33MZWW	-	RFQ	7124	Samsung Semiconductor, Inc.	TUPO E	Banda	Obsoleto	125.00 mm LX 50.00 mm W				Módulo liderado	-	SL-P7T2	Blanco, neutral		-	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)			EAR99	8541.41.0000	12	Rectángulo	700mA	-	41.60 mm	30V	700mA	-	4000K	2100LM (typ)	65 ° C	100 lm/w	70	-	-
SI-B8U095280WW	-	RFQ	3271	Samsung Semiconductor, Inc.	LAM-RT32B	Caja	Obsoleto	273.00 mm LX 216.00 mm W				Módulo liderado	Conector	Si-B8	Blanco, Cálido		descascar	Cumplimiento de Rohs	1 (ilimitado)		1510-1125	EAR99	8541.41.0000	60	Rectángulo	-	-	5.60 mm	24 V	385mA	145 °	3500K	1150LM (1030LM ~ 1280LM)	35 ° C	126 LM/W	80	-	Abovovor
Sphww1hdne27yht24k	8.0762	RFQ	4263	Samsung Semiconductor, Inc.	LC040B Gen2	Banda	No hay para Nuevos Diseños	21.50 mm LX 21.50 mm W				Chip A Bordo (COB)	-	Sphww1	Blanco, neutral		-	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-2108	EAR99	8541.41.0000	320	Cuadrado	1.9a	-	1.50 mm	35.5V	1.08a	115 °	4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse	4866LM (4462LM ~ 5269LM)	25 ° C	127 LM/W	90	17.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
SI-B8V26156CUS	8.4400	RFQ	264	Samsung Semiconductor, Inc.	LT-V562F	Banda	Obsoleto	560.00 mm LX 18.00 mm W				Módulo liderado	-	Si-B8	Blanco, Cálido		descascar		No Aplicable			EAR99	8541.41.0000	280	Tira de Luz lineal	1.62a	-	5.50 mm	24.4V	1.12a	-	3000K 3 Pasos Macadam Ellipse	3607LM (3245LM ~ 3970LM)	65 ° C	132 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
SI-N9W1624B1US	-	RFQ	5455	Samsung Semiconductor, Inc.	Acom	Una granela	Obsoleto	100.00 mm de diámetro				Módulo liderado	-	SI-N9W	Blanco, Cálido		descascar		1 (ilimitado)		1510-SI-N9W1624B1US	EAR99	8541.41.0000	144	Redondo	-	-	11.00 mm	120V	-	115 °	2700k	1630LM (TÍP)	25 ° C	94 LM/W	90	-	Departamento de Departamento
SI-N8A1016E0WW	6.0480	RFQ	2073	Samsung Semiconductor, Inc.	Un 10	Banda	No hay para Nuevos Diseños	28.00 mm LX 28.00 mm W				Módulo liderado	-	SI-N8A1016	Blanco, Cálido / Blanco, Fresco		descascar	Cumplimiento de Rohs	No Aplicable			EAR99	8541.41.0000	192	Cuadrado	-	-	2.20 mm	35.9V	250 Ma	-	2700k ~ 6500K	1020lm (typ)	65 ° C	114 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
Sphwhahdnb25yzu3f5	-	RFQ	4721	Samsung Semiconductor, Inc.	LC006D	Banda	Obsoleto	13.50 mm LX 13.50 mm W				Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnb25	Blanco, Cálido		descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-1854	EAR99	8541.41.0000	2.400	Cuadrado	460ma	-	1.50 mm	34.6V	180 Ma	115 °	3500K 3 Pasos Macadam Ellipse	902LM (typ)	85 ° C	145 lm/w	80	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
SI-B8T111280WW	-	RFQ	3763	Samsung Semiconductor, Inc.	LAM-RT30B	Banda	Obsoleto	216.00 mm LX 273.00 mm W				Módulo liderado	Conector	Si-B8	Blanco, neutral		-	Cumplimiento de Rohs	No Aplicable			EAR99	8541.41.0000	60	Rectángulo	900mA	-	6.70 mm	15.3V	700mA	145 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	1360LM (typ)	35 ° C	127 LM/W	80	-	Abovovor
Sphwhahdnm251zv2t6	-	RFQ	1870	Samsung Semiconductor, Inc.	LC080D	Banda	Obsoleto	28.00 mm LX 28.00 mm W				Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnm251	Blanco, Cálido		descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)			EAR99	8541.41.0000	1,280	Cuadrado	2.76a	-	1.50 mm	52V	1.62a	115 °	3000K	11021LM (TÍP)	85 ° C	131 LM/W	80	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdng25yzu2k3	-	RFQ	9982	Samsung Semiconductor, Inc.	LC026D	Banda	Obsoleto	19.00 mm LX 19.00 mm W				Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdng25	Blanco, Cálido		descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-1948	EAR99	8541.41.0000	1.600	Cuadrado	1.84a	-	1.50 mm	34.6V	720 mm	115 °	3500K 2 Pasos Macadam Ellipse	3488LM (TÍP)	85 ° C	140 lm/w	80	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Si-B8U05128HUS	6.9100	RFQ	661	Samsung Semiconductor, Inc.	LT-H282D	Una granela	Activo	275.00 mm LX 18.00 mm W				Módulo liderado	Conector	Si-B8	Blanco, Cálido		descascar	Cumplimiento de Rohs	No Aplicable			EAR99	8541.41.0000	400	Tira de Luz lineal	-	-	5.80 mm	22.5V	240 mm	-	3500K	980LM (TÍP)	50 ° C	181 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
SI-B8U301B20WW	16.9400	RFQ	370	Samsung Semiconductor, Inc.	M series 4ft_b	Una granela	Obsoleto	1120.00 mm LX 18.00 mm W				Módulo liderado	Conector	Si-B8	Blanco, Cálido		descascar	Cumplimiento de Rohs	No Aplicable		1510-1418	EAR99	8541.41.0000	200	Tira de Luz lineal	1.44a	-	5.20 mm	24.8V	1.2a	115 °	3500K	4280LM (TÍP)	50 ° C	144 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
Sphww1hdn828yhv3cc	-	RFQ	5339	Samsung Semiconductor, Inc.	LC006B	Caja	Obsoleto	13.50 mm LX 13.50 mm W				Chip A Bordo (COB)	-	Sphww1	Blanco, Cálido		descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)			EAR99	8541.41.0000	672	Cuadrado	320 mm	-	1.50 mm	35.5V	180 Ma	115 °	3000K 3 Pasos Macadam Ellipse	668lm (601lm ~ 734lm)	25 ° C	105 lm/w	95	Dia de 8.00 mm	Departamento de Departamento
Sphww1hdnd2vyhv33p	-	RFQ	6869	Samsung Semiconductor, Inc.	LC033B	Banda	Obsoleto	21.50 mm LX 21.50 mm W				Chip A Bordo (COB)	-	Sphww1	Blanco, Cálido		-	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-2089	EAR99	8541.41.0000	320	Cuadrado	1.62a	-	1.50 mm	35.5V	-	115 °	3000K 3 Pasos Macadam Ellipse	3751LM (3301LM ~ 4201LM)	25 ° C	-	-	17.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
SI-B8T341550WW	-	RFQ	9728	Samsung Semiconductor, Inc.	LT-F552A	Banda	Obsoleto	550.00 mm LX 18.00 mm W				Módulo liderado	Conector	Si-B8	Blanco, neutral		-	Cumplimiento de Rohs	No Aplicable			EAR99	8541.41.0000	40	Tira de Luz lineal	-	-	5.20 mm	24.7V	1.35a	115 °	4000K 4 Pasos Macadam Ellipse	4510lm (typ)	60 ° C	135 lm/w	80	-	Departamento de Departamento
Sphwhahdnc25yzu3d3	1.3282	RFQ	3625	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	13.50 mm LX 13.50 mm W				Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnc25	Blanco, Cálido		descascar					EAR99	8541.41.0000	1,000	Cuadrado	690ma	-	1.50 mm	34V	270 Ma	115 °	3500K 3 Pasos Macadam Ellipse	1519lm (typ)	85 ° C	165 lm/w	80	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
SI-B8R301B2CUS	10.2900	RFQ	834	Samsung Semiconductor, Inc.	LT-VB22B	Banda	Obsoleto	1120.00 mm LX 18.00 mm W				Módulo liderado	-	Si-B8	Blanco, genial		descascar	Cumplimiento de Rohs	1 (ilimitado)		1510-1639	EAR99	8541.41.0000	360	Tira de Luz lineal	1.44a	-	5.50 mm	25.4V	1.26a	115 °	5000K	4310LM (TÍP)	-	135 lm/w	80	-	-
SI-B8V07228SWW	8.3900	RFQ	3892	Samsung Semiconductor, Inc.	LT-S282F	Banda	No hay para Nuevos Diseños	279.70 mm LX 23.80 mm W				Módulo liderado	Conector	Si-B8	Blanco, Cálido		descascar	Cumplimiento de Rohs	1 (ilimitado)			EAR99	8541.41.0000	128	Tira de Luz lineal	1.44a	-	7.40 mm	8.8v	800mA	115 °	3000K 3 Pasos Macadam Ellipse	1080lm (typ)	50 ° C	153 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
Sphhahdne25yzq3db	1.8060	RFQ	4971	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2 Plus	Banda	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W				Chip A Bordo (COB)	-	Sphhahdne25	Blanco, genial		descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdne25yzq3db	EAR99	8541.41.0000	250	Cuadrado	900mA	-	1.50 mm	34V	450 mm	115 °	5700K 3 Pasos Macadam Ellipse	2529lm (typ)	85 ° C	165 lm/w	80	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Optoelectónica (6540)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²