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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tamaña / dimensión | AltoRura - Sentada (Max) | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Cuidadas | Base Número de Producto | Color | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Current - Max | Longitud de Onda | Alta | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Real - PrueBa | Ángulo de Visión | CCT (k) | Fljo luminoso @ corriente/temperatura | Temperatura - PrueBa | Lumens/watt @ real - prueba | Cri (Índice de Renderizado de color) | Superficie Emisora de Luz (Les) | Tipo de lente | Flux @ 85 ° C, Corriente - PrueBa | Flujo a 25 ° C, Corriente - PrueBa | Resistencia Térmica del Paquete |
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![]() | Sphwh1l5n607yev5a1 | - | ![]() | 8890 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LH508A+ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0.197 "L x 0.197" W (5.00 mm x 5.00 mm) | 0.031 "(0.80 mm) | Montaje en superficie | 2020 (5050 Métrica) | Sphwh1 | Blanco, Cálido | SMD | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphWH1L5N607YEV5A1TR | EAR99 | 8541.41.0000 | 14,000 | 880 Ma | 6.1V | 640ma | 120 ° | 3000k de 5 Pasos Macadam Ellipse | 124 LM/W | 90 | - | 486lm (typ) | 3 ° C/W | ||||||||||
![]() | SI-B8U481B20US | 23.0800 | ![]() | 160 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LT-VB24F_G2 | Una granela | Activo | 1120.00 mm LX 39.80 mm W | Módulo liderado | - | Si-B8 | Blanco, Cálido | descascar | 1 (ilimitado) | 1510-SI-B8U481B20US | EAR99 | 8541.41.0000 | 280 | Tira de Luz lineal | 1.08a | - | 5.20 mm | 44V | 1.08a | 118 ° | 3500K | 8620LM (typ) | 50 ° C | 181 LM/W | 80 | - | Departamento de Departamento | |||||||||
![]() | Sphwhahdnc27yzwrt1 | 6.8200 | ![]() | 693 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Serie t COB | Una granela | Activo | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnc27 | Blanco, Cálido / Blanco, Fresco | descascar | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdnc27yzwrt1 | EAR99 | 8541.41.0000 | 750 | Cuadrado | 400mA | - | 1.60 mm | 35.5V | - | 115 ° | 3850k (2700k ~ 5000k) Macadam Ellipse de 5 Pasos | 1069lm (988lm ~ 1149lm) | 25 ° C | - | 90 | - | Departamento de Departamento | |||||||||
![]() | SPMWH1228FD5WAQUVG | 0.1700 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LM281B+ | Tape & Reel (TR) | Activo | 0.138 "L x 0.110" W (3.50 mm x 2.80 mm) | 0.030 "(0.75 mm) | Montaje en superficie | 1113 (2835 Métrica) | SPMWH1228 | Blanco, genial | 2835 | descascar | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 4.000 | 200 MMA | 2.95V | 150 Ma | 120 ° | 5700K 3 Pasos Macadam Ellipse | 169 LM/W | 80 | - | 75LM (73LM ~ 77LM) | 20 ° C/W | ||||||||||||
![]() | SPMWH1228FD7WARUVJ | 0.1700 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LM281B+ | Tape & Reel (TR) | Activo | 0.138 "L x 0.110" W (3.50 mm x 2.80 mm) | 0.030 "(0.75 mm) | Montaje en superficie | 1113 (2835 Métrica) | SPMWH1228 | Blanco, genial | 2835 | descascar | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 4.000 | 200 MMA | 3V | 150 Ma | 120 ° | 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 149 lm/w | 90 | - | 67LM (65LM ~ 69LM) | 20 ° C/W | ||||||||||||
![]() | SPMWH3326MS5WZU3SD | 0.3800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LM301D | Tape & Reel (TR) | Activo | 0.118 "L x 0.118" W (3.00 mm x 3.00 mm) | 0.030 "(0.75 mm) | Montaje en superficie | 1212 (3030 Métrica) | SPMWH3326 | Blanco, Cálido | 3030 | descascar | 2a (4 semanas) | EAR99 | 8541.41.0000 | 4.000 | 400mA | 2.72V | 65mA | 120 ° | 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse | 204 LM/W | 80 | - | 36LM (34LM ~ 37LM) | 12 ° C/W | ||||||||||||
![]() | SI-B8T481B20US | 23.0800 | ![]() | 144 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LT-VB24F_G2 | Una granela | Activo | 1120.00 mm LX 39.80 mm W | Módulo liderado | - | Si-B8 | Blanco, neutral | descascar | 1 (ilimitado) | 1510-SI-B8T481B20US | EAR99 | 8541.41.0000 | 280 | Tira de Luz lineal | 1.08a | - | 5.20 mm | 44V | 1.08a | 118 ° | 4000K | 8950lm (TÍP) | 50 ° C | 188 LM/W | 80 | - | Departamento de Departamento | |||||||||
![]() | Si-b8u342b2cus | 12.2800 | ![]() | 190 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Serie V Gen2 | Una granela | Obsoleto | 1120.00 mm LX 18.00 mm W | Módulo liderado | - | Si-B8 | Blanco, genial | descascar | 1 (ilimitado) | 1510-SI-B8U342B2CUS | EAR99 | 8541.41.0000 | 200 | Tira de Luz lineal | 900mA | - | 5.50 mm | 46.4V | 700mA | - | 3500K | 5440LM (typ) | 50 ° C | 167 lm/w | 80 | - | Departamento de Departamento | |||||||||
![]() | Sphwhahdnl251zr3db | 10.2500 | ![]() | 160 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 Plus | Banda | Activo | 28.00 mm LX 28.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnl251 | Blanco, genial | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdnl251zr3db | EAR99 | 8541.41.0000 | 160 | Cuadrado | 2.16a | - | 1.50 mm | 51.1V | 1.08a | 115 ° | 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 8949lm (TÍP) | 85 ° C | 162 LM/W | 80 | 22.00 mm de diámetro | Departamento de Departamento | ||||||||
![]() | Sphwhahdng25yzq3db | 2.6368 | ![]() | 2963 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 Plus | Banda | Activo | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdng25 | Blanco, genial | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdng25yzq3db | EAR99 | 8541.41.0000 | 250 | Cuadrado | 1.44a | - | 1.50 mm | 34V | 720 mm | 115 ° | 5700K 3 Pasos Macadam Ellipse | 3943LM (typ) | 85 ° C | 161 LM/W | 80 | Dia de 14.50 mm | Departamento de Departamento | ||||||||
![]() | Sphwhahdnf27yzv3db | 3.5900 | ![]() | 250 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 Plus | Banda | Activo | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnf27 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdnf27yzv3db | EAR99 | 8541.41.0000 | 250 | Cuadrado | 1.08a | - | 1.50 mm | 34V | 540ma | 115 ° | 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 2413LM (typ) | 85 ° C | 131 LM/W | 90 | Dia de 14.50 mm | Departamento de Departamento | ||||||||
![]() | Sphwhahdnm251zu3db | 7.0538 | ![]() | 8519 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 Plus | Banda | Activo | 28.00 mm LX 28.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnm251 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdnm251zu3db | EAR99 | 8541.41.0000 | 160 | Cuadrado | 3.24a | - | 1.50 mm | 51.1V | 1.62a | 115 ° | 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse | 12852LM (TÍP) | 85 ° C | 155 lm/w | 80 | 22.00 mm de diámetro | Departamento de Departamento | ||||||||
![]() | Sphwhahdna27yzw3db | 1.3700 | ![]() | 370 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 Plus | Banda | Activo | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdna27 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdna27yzw3db | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Cuadrado | 360 Ma | - | 1.50 mm | 34V | 180 Ma | 115 ° | 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse | 392lm (typ) | 85 ° C | 64 LM/W | 90 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento | ||||||||
![]() | Sphwhahdnb25yzw2db | 0.6413 | ![]() | 9233 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 Plus | Banda | Activo | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnb25 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdnb25yzw2db | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Cuadrado | 360 Ma | - | 1.50 mm | 34V | 180 Ma | 115 ° | 2700K 2 Pasos Macadam Ellipse | 928LM (typ) | 85 ° C | 152 lm/w | 80 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento | ||||||||
![]() | Sphwhahdnb25yzu2db | 0.6413 | ![]() | 9862 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 Plus | Banda | Activo | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnb25 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdnb25yzu2db | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Cuadrado | 360 Ma | - | 1.50 mm | 34V | 180 Ma | 115 ° | 3500K 2 Pasos Macadam Ellipse | 1001lm (typ) | 85 ° C | 164 LM/W | 80 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento | ||||||||
![]() | Sphwhahdnb27yzt2db | 0.6413 | ![]() | 1338 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 Plus | Banda | Activo | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnb27 | Blanco, neutral | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdnb27yzt2db | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Cuadrado | 360 Ma | - | 1.50 mm | 34V | 180 Ma | 115 ° | 4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse | 870lm (typ) | 85 ° C | 142 lm/w | 90 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento | ||||||||
![]() | Sphwhahdnd27yzt2db | 1.0407 | ![]() | 7287 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 Plus | Banda | Activo | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnd27 | Blanco, neutral | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdnd27yzt2db | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Cuadrado | 720 mm | - | 1.50 mm | 34V | 360 Ma | 115 ° | 4000k de 2 Pasos Macadam Ellipse | 1670LM (typ) | 85 ° C | 136 LM/W | 90 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento | ||||||||
![]() | SPMWHT541MP5WKT0S5 | 0.0522 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | LM561B Plus | Tape & Reel (TR) | Activo | 0.197 "L x 0.118" W (5.00 mm x 3.00 mm) | 0.031 "(0.80 mm) | Montaje en superficie | 4-smd, planos de cables | SPMWHT541 | Blanco, neutral | 5630 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | Q11246349 | EAR99 | 8541.41.0000 | 10,000 | 180 Ma | 2.95V | 65mA | 120 ° | 4000K | 183 lm/w | 80 | 35lm (typ) | - | 15 ° C/W | ||||||||||
![]() | SI-B8P104280WW | - | ![]() | 9909 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Fin-rt64 | Una granela | Obsoleto | 273.00 mm LX 230.00 mm W | Módulo liderado | - | Si-B8 | Blanco, genial | - | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | 1510-SI-B8P104280WW | EAR99 | 8541.41.0000 | 1 | Tira de Luz lineal | 2.4a | - | 5.80 mm | 11.2V | 700mA | 115 ° | 6500k | 1450LM (1305LM ~ 1610LM) | 35 ° C | 186 LM/W | 80 | - | Departamento de Departamento | ||||||||
![]() | Si-b8r522b2cus | - | ![]() | 8842 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Serie V Gen2 | Banda | Obsoleto | 1120.00 mm LX 18.00 mm W | Módulo liderado | - | Si-B8 | Blanco, genial | descascar | No Aplicable | 1510-SI-B8R522B2CUS | EAR99 | 8541.41.0000 | 200 | Tira de Luz lineal | 1.35a | - | 5.50 mm | 46.5V | 1.12a | - | 5000K | 8800LM (TÍP) | 65 ° C | 169 LM/W | 80 | - | Departamento de Departamento | |||||||||
![]() | SI-B8V251560WW | 13.3300 | ![]() | 558 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | M afluencia | Banda | Activo | 560.00 mm LX 18.00 mm W | Módulo liderado | - | Si-B8 | Blanco, Cálido | descascar | No Aplicable | 1510-SI-B8V251560WW | EAR99 | 8541.41.0000 | 280 | Tira de Luz lineal | 2.8a | - | 5.50 mm | 23V | 1.12a | 118 ° | 3000K | 4300LM (TÍP) | 65 ° C | 167 lm/w | 80 | - | Departamento de Departamento | |||||||||
![]() | SI-B8U463B20WW | 13.3300 | ![]() | 110 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | Veria v Gen3 | Banda | Activo | 1120.00 mm LX 18.00 mm W | Módulo liderado | - | Si-B8 | Blanco, Cálido | descascar | No Aplicable | 1510-SI-B8U463B20WW | EAR99 | 8541.41.0000 | 110 | Tira de Luz lineal | 2.02a | - | 3.70 mm | 45V | 1.01a | 118 ° | 3500K | 7680LM (7150LM ~ 8440LM) | 65 ° C | 169 LM/W | 80 | - | Departamento de Departamento | |||||||||
![]() | Sphwhahdnh23yzv3db | 5.7700 | ![]() | 250 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen2 Plus | Caja | Activo | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnh23 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdnh23yzv3db | EAR99 | 8541.41.0000 | 250 | Cuadrado | 1.8a | - | 1.50 mm | 34V | 900mA | 115 ° | 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 5014LM (TÍP) | 85 ° C | 164 LM/W | 70 | Dia de 14.50 mm | Departamento de Departamento | ||||||||
![]() | Sphwhahdna27yzt3dc | 1.4800 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen3 Plus | Caja | Activo | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdna27 | Blanco, neutral | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdna27yzt3dc | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Cuadrado | 180 Ma | - | 1.50 mm | 33.7V | 90 Ma | 115 ° | 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 450lm (typ) | 85 ° C | 148 LM/W | 90 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento | ||||||||
![]() | Sphhahdne27yzw3dc | 4.0400 | ![]() | 222 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen3 Plus | Caja | Activo | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphhahdne27 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdne27yzw3dc | EAR99 | 8541.41.0000 | 250 | Cuadrado | 900mA | - | 1.50 mm | 33.7V | 450 mm | 115 ° | 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse | 2047lm (typ) | 85 ° C | 135 lm/w | 90 | Dia de 14.50 mm | Departamento de Departamento | ||||||||
![]() | Sphwhahdnb27yzu3dc | 2.0400 | ![]() | 499 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen3 Plus | Caja | Activo | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnb27 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdnb27yzu3dc | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Cuadrado | 360 Ma | - | 1.50 mm | 33.7V | 180 Ma | 115 ° | 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse | 865lm (typ) | 85 ° C | 142 lm/w | 90 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento | ||||||||
![]() | Sphwhahdnb25yzw3dc | 2.0400 | ![]() | 240 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen3 Plus | Caja | Activo | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnb25 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdnb25yzw3dc | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Cuadrado | 360 Ma | - | 1.50 mm | 33.7V | 180 Ma | 115 ° | 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse | 945lm (typ) | 85 ° C | 155 lm/w | 80 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento | ||||||||
![]() | Sphwhahdnf25yzu3dc | 4.6900 | ![]() | 226 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen3 Plus | Caja | Activo | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnf25 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdnf25yzu3dc | EAR99 | 8541.41.0000 | 250 | Cuadrado | 1.08a | - | 1.50 mm | 33.7V | 540ma | 115 ° | 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse | 3161lm (typ) | 85 ° C | 174 LM/W | 80 | Dia de 14.50 mm | Departamento de Departamento | ||||||||
![]() | Sphwhahdnc27yzt3dc | 2.8000 | ![]() | 330 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen3 Plus | Caja | Activo | 13.50 mm LX 13.50 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnc27 | Blanco, neutral | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdnc27yzt3dc | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | Cuadrado | 540ma | - | 1.50 mm | 33.7V | 270 Ma | 115 ° | 4000K 3 Pasos Macadam Ellipse | 1322lm (typ) | 85 ° C | 145 lm/w | 90 | 9.80 mm de diámetro | Departamento de Departamento | ||||||||
![]() | Sphwhahdnh27yzu3dc | 7.3600 | ![]() | 250 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | COB D Gen3 Plus | Caja | Activo | 19.00 mm LX 19.00 mm W | Chip A Bordo (COB) | - | Sphwhahdnh27 | Blanco, Cálido | descascar | Cumplimiento de Rohs | 2a (4 semanas) | 1510-sphhahdnh27yzu3dc | EAR99 | 8541.41.0000 | 250 | Cuadrado | 1.8a | - | 1.50 mm | 33.7V | 900mA | 115 ° | 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse | 4293LM (TÍP) | 85 ° C | 142 lm/w | 90 | Dia de 14.50 mm | Departamento de Departamento |
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