SIC
close

Optoelectónica (6540)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tamaña / dimensión AltoRura - Sentada (Max) Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Cuidadas Base Número de Producto Color Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Current - Max Longitud de Onda Alta Voltaje - Forward (VF) (Typ) Real - PrueBa Ángulo de Visión CCT (k) Fljo luminoso @ corriente/temperatura Temperatura - PrueBa Lumens/watt @ real - prueba Cri (Índice de Renderizado de color) Superficie Emisora de Luz (Les) Tipo de lente Flux @ 85 ° C, Corriente - PrueBa Flujo a 25 ° C, Corriente - PrueBa Resistencia Térmica del Paquete
SPHWHAHDNM251ZW3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnm251zw3d4 17.8100
RFQ
 ECAD 160 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen4 Una granela Activo 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnm251 Blanco, Cálido descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado 1510-sphhahdnm251zw3d4 EAR99 8541.41.0000 160 Cuadrado 4.14a - 1.70 mm 50.5V 1.62a 115 ° 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse 12998LM (TÍP) 85 ° C 159 LM/W 80 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNF25YZP3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnf25yzp3d4 5.6800
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen4 Una granela Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnf25 Blanco, genial descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado 1510-sphhahdnf25yzp3d4 EAR99 8541.41.0000 250 Cuadrado 1.38a - 1.70 mm 33.6V 540ma 115 ° 6500K 3 Pasos Macadam Ellipse 3220LM (typ) 85 ° C 177 LM/W 80 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPMWH22286D5WNQUS3 Samsung Semiconductor, Inc. SPMWH22286D5WNQUS3 0.1000
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LM281BA+ Tape & Reel (TR) Activo 0.126 "L x 0.110" W (3.20 mm x 2.80 mm) 0.030 "(0.75 mm) Montaje en superficie 2-smd, sin plomo Blanco, genial 2-SMD descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.41.0000 4.000 70 Ma 3.1V 60mera 120 ° 5700K 145 lm/w 80 - 27lm (26m ~ 28lm) 25 ° C/W
SPMWHD32AMV5XAP3SU Samsung Semiconductor, Inc. SPMWHD32AMV5XAP3SU 0.4800
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LM301B EVO Tape & Reel (TR) Activo 0.118 "L x 0.118" W (3.00 mm x 3.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 1212 (3030 Métrica) SPMWHD32 Blanco, genial 1212 descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.41.0000 4.000 200 MMA 2.75V 65mA 120 ° 6500K 3 Pasos Macadam Ellipse 224 LM/W 80 - 40LM (38LM ~ 41LM) 7.5 ° C/W
SPHWHAHDNE25YZU3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphhahdne25yzu3d4 4.8900
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen4 Una granela Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphhahdne25 Blanco, Cálido descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado 1510-sphhahdne25yzu3d4 EAR99 8541.41.0000 250 Cuadrado 1.15a - 1.70 mm 33.6V 450 mm 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 2614lm (typ) 85 ° C 173 LM/W 80 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPMWHD32AMH0XAMAPL Samsung Semiconductor, Inc. Spmwhd32amh0xamapl 0.4200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LM301H EVO Tape & Reel (TR) Activo 0.118 "L x 0.118" W (3.00 mm x 3.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 1212 (3030 Métrica) SPMWHD32 Blanco 1212 descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.41.0000 4.000 200 MMA 2.75V 65mA 120 ° - - - - - 7.5 ° C/W
SPHWHAHDNG27YZW3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdng27yzw3d4 7.2800
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen4 Una granela Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdng27 Blanco, Cálido descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado 1510-sphhahdng27yzw3d4 EAR99 8541.41.0000 250 Cuadrado 1.84a - 1.70 mm 33.6V 720 mm 115 ° 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse 3225LM (TÍP) 85 ° C 133 LM/W 90 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNH23YZR3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnh23yzr3d4 7.8200
RFQ
 ECAD 197 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen4 Una granela Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnh23 Blanco, genial descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado 1510-sphhahdnh23yzr3d4 EAR99 8541.41.0000 250 Cuadrado 2.3a - 1.70 mm 33.6V 900mA 115 ° 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 5554lm (typ) 85 ° C 184 LM/W 70 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNH25YZV3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnh25yzv3d4 7.8200
RFQ
 ECAD 235 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen4 Una granela Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnh25 Blanco, Cálido descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado 1510-sphhahdnh25yzv3d4 EAR99 8541.41.0000 250 Cuadrado 2.3a - 1.70 mm 33.6V 900mA 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 5044lm (TÍP) 85 ° C 167 lm/w 80 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNE27YZU3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphhahdne27yzu3d4 4.8900
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen4 Una granela Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphhahdne27 Blanco, Cálido descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado 1510-sphhahdne27yzu3d4 EAR99 8541.41.0000 250 Cuadrado 1.15a - 1.70 mm 33.6V 450 mm 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 2236lm (typ) 85 ° C 148 LM/W 90 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPMWH22286D5WNTUS3 Samsung Semiconductor, Inc. SPMWH22286D5WNTUS3 0.1000
RFQ
 ECAD 4990 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LM281BA+ Tape & Reel (TR) Activo 0.126 "L x 0.110" W (3.20 mm x 2.80 mm) 0.030 "(0.75 mm) Montaje en superficie 2-smd, sin plomo Blanco, neutral 2-SMD descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.41.0000 4.000 70 Ma 3.1V 60mera 120 ° 4000K 140 lm/w 80 - 26lm (25m ~ 27lm) 25 ° C/W
SPHWHAHDNM251ZV3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnm251zv3d4 17.4300
RFQ
 ECAD 1324 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen4 Una granela Activo 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnm251 Blanco, Cálido descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado 1510-sphhahdnm251zv3d4 EAR99 8541.41.0000 160 Cuadrado 4.14a - 1.70 mm 50.5V 1.62a 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 13727LM (typ) 85 ° C 168 LM/W 80 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPMWH22286D5WNPUS3 Samsung Semiconductor, Inc. SPMWH22286D5WNPUS3 0.1000
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LM281BA+ Tape & Reel (TR) Activo 0.126 "L x 0.110" W (3.20 mm x 2.80 mm) 0.030 "(0.75 mm) Montaje en superficie 2-smd, sin plomo Blanco, genial 2-SMD descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.41.0000 4.000 70 Ma 3.1V 60mera 120 ° 6500k 140 lm/w 80 - 26lm (25m ~ 27lm) 25 ° C/W
SPHWHAHDNL231ZR3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnl231zr3d4 12.8600
RFQ
 ECAD 158 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen4 Una granela Activo 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnl231 Blanco, genial descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado 1510-sphhahdnl231zr3d4 EAR99 8541.41.0000 160 Cuadrado 2.76a - 1.70 mm 50.5V 1.08a 115 ° 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 10017lm (typ) 85 ° C 184 LM/W 70 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNA27YZR3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdna27yzr3d4 1.6400
RFQ
 ECAD 499 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen4 Una granela Activo 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdna27 Blanco, genial descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado 1510-sphhahdna27yzr3d4 EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 230mA - 1.65 mm 33.6V 90 Ma 115 ° 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 479lm (typ) 85 ° C 158 LM/W 90 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SCP8UT93KEL1UUK36E Samsung Semiconductor, Inc. SCP8UT93KEL1UUK36E 0.5000
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado 1510-SCP8UT93KEL1UUK36ETR EAR99 8541.41.0000 4.000
SPHWH2L3D30GD4WMG3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWH2L3D30GD4WMG3 1.1000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LH351B Tape & Reel (TR) Activo 0.138 "L x 0.138" W (3.50 mm x 3.50 mm) 0.081 "(2.06 mm) Montaje en superficie 1414 (3535 Métrica) Sphwh2 Blanco, Cálido 1414 descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.41.0000 1,000 1.5a 2.75V 350 mm 120 ° 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse 119 LM/W 90 115LM (100LM ~ 130LM) - 4 ° C/W
SPHWHAHDNA27YZV3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdna27yzv3d4 1.6400
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen4 Una granela Activo 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdna27 Blanco, Cálido descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado 1510-sphhahdna27yzv3d4 EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 230mA - 1.65 mm 33.6V 90 Ma 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 443lm (typ) 85 ° C 146 LM/W 90 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNA25YZR3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdna25yzr3d4 1.6400
RFQ
 ECAD 499 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen4 Una granela Activo 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdna25 Blanco, genial descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado 1510-sphhahdna25yzr3d4 EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 230mA - 1.65 mm 33.6V 90 Ma 115 ° 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 549lm (typ) 85 ° C 182 lm/w 80 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNC25YZP3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnc25yzp3d4 3.3200
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen4 Una granela Activo 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnc25 Blanco, genial descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado 1510-sphhahdnc25yzp3d4 EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 690ma - 1.65 mm 33.6V 270 Ma 115 ° 6500K 3 Pasos Macadam Ellipse 1597lm (TÍP) 85 ° C 176 LM/W 80 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWH2L3D30ED4PNN3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWH2L3D30ED4PNN3 0.9300
RFQ
 ECAD 888 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LH351B Tape & Reel (TR) Activo 0.138 "L x 0.138" W (3.50 mm x 3.50 mm) 0.081 "(2.06 mm) Montaje en superficie 1414 (3535 Métrica) Sphwh2 Blanco, genial 1414 descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.41.0000 1,000 1.5a 2.75V 350 mm 120 ° 6500k de 5 Pasos Macadam Ellipse 171 LM/W 80 165LM (150LM ~ 180LM) - 4 ° C/W
SPMWHD32AMD7XAR3S0 Samsung Semiconductor, Inc. SPMWHD32AMD7XAR3S0 0.4700
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LM301B Tape & Reel (TR) Activo 0.118 "L x 0.118" W (3.00 mm x 3.00 mm) 0.033 "(0.85 mm) Montaje en superficie 1212 (3030 Métrica) SPMWHD32 Blanco, genial 1212 descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.41.0000 4.000 180 Ma 2.75V 65mA 120 ° 5000K 173 LM/W 90 - 31lm (28m ~ 34lm) 7.5 ° C/W
SPHWHAHDND25YZW3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnd25yzw3d4 3.6100
RFQ
 ECAD 470 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen4 Una granela Activo 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnd25 Blanco, Cálido descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado 1510-sphhahdnd25yzw3d4 EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 920 mm - 1.65 mm 33.6V 360 Ma 115 ° 2700k 3 Pasos Macadam Ellipse 1922lm (typ) 85 ° C 159 LM/W 80 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPMWHD32AMD7XAV3S0 Samsung Semiconductor, Inc. SPMWHD32AmD7XAV3S0 0.4700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LM301B Tape & Reel (TR) Activo 0.118 "L x 0.118" W (3.00 mm x 3.00 mm) 0.033 "(0.85 mm) Montaje en superficie 1212 (3030 Métrica) SPMWHD32 Blanco, Cálido 1212 descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.41.0000 4.000 180 Ma 2.75V 65mA 120 ° 3000K 162 LM/W 90 - 29lm (26m ~ 32lm) 7.5 ° C/W
SPHWHAHDNG27YZU3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdng27yzu3d4 7.2800
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen4 Una granela Activo 19.00 mm LX 19.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdng27 Blanco, Cálido descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado 1510-sphhahdng27yzu3d4 EAR99 8541.41.0000 250 Cuadrado 1.84a - 1.70 mm 33.6V 720 mm 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 3554lm (TÍP) 85 ° C 147 lm/w 90 Dia de 14.50 mm Departamento de Departamento
SPHWHAHDNL251ZQ3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnl251zq3d4 12.8600
RFQ
 ECAD 160 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen4 Una granela Activo 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnl251 Blanco, genial descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado 1510-sphhahdnl251zq3d4 EAR99 8541.41.0000 160 Cuadrado 2.76a - 1.70 mm 50.5V 1.08a 115 ° 5700K 3 Pasos Macadam Ellipse 9664LM (typ) 85 ° C 177 LM/W 80 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNM231ZR3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnm231zr3d4 17.8100
RFQ
 ECAD 57 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen4 Una granela Activo 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnm231 Blanco, genial descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado 1510-sphhahdnm231zr3d4 EAR99 8541.41.0000 160 Cuadrado 4.14a - 1.70 mm 50.5V 1.62a 115 ° 5000K 3 Pasos Macadam Ellipse 15401lm (typ) 85 ° C 188 LM/W 70 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPHWHAHDNM231ZV3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnm231zv3d4 17.8100
RFQ
 ECAD 118 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen4 Una granela Activo 28.00 mm LX 28.00 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnm231 Blanco, Cálido descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado 1510-sphhahdnm231zv3d4 EAR99 8541.41.0000 160 Cuadrado 4.14a - 1.70 mm 50.5V 1.62a 115 ° 3000K 3 Pasos Macadam Ellipse 13727LM (typ) 85 ° C 179 LM/W 70 22.00 mm de diámetro Departamento de Departamento
SPMWHD32AMH0XAMBPM Samsung Semiconductor, Inc. Spmwhd32amh0xambpm 0.4200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. LM301H EVO Tape & Reel (TR) Activo 0.118 "L x 0.118" W (3.00 mm x 3.00 mm) 0.035 "(0.90 mm) Montaje en superficie 1212 (3030 Métrica) SPMWHD32 Blanco 1212 descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado 1510-SPMWHD32AMH0XAMBPMTR EAR99 8541.41.0000 4.000 200 MMA 2.75V 65mA 120 ° - - - - - 7.5 ° C/W
SPHWHAHDND25YZU3D4 Samsung Semiconductor, Inc. Sphwhahdnd25yzu3d4 3.6100
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Samsung Semiconductor, Inc. COB D Gen4 Una granela Activo 13.50 mm LX 13.50 mm W Chip A Bordo (COB) - Sphwhahdnd25 Blanco, Cálido descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado 1510-sphhahdnd25yzu3d4 EAR99 8541.41.0000 500 Cuadrado 920 mm - 1.65 mm 33.6V 360 Ma 115 ° 3500K 3 Pasos Macadam Ellipse 2059lm (TÍP) 85 ° C 170 lm/w 80 9.80 mm de diámetro Departamento de Departamento
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar