RFQ
Proseperar
Contáctenos

Tel: +86-0755-83501315

Correo electrónico:sales@sic-components.com

Iniciar sesión

Español

Optoelectónica (6540)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tamaña / dimensión	AltoRura - Sentada (Max)	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	TUPO	Cuidadas	Base Número de Producto	Color	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Current - Max	Longitud de Onda	Alta	Voltaje - Forward (VF) (Typ)	Real - PrueBa	Ángulo de Visión	CCT (k)	Fljo luminoso @ corriente/temperatura	Temperatura - PrueBa	Lumens/watt @ real - prueba	Cri (Índice de Renderizado de color)	Superficie Emisora de Luz (Les)	Tipo de lente	Flux @ 85 ° C, Corriente - PrueBa	Flujo a 25 ° C, Corriente - PrueBa	Resistencia Térmica del Paquete
Sphwhahdnk25yzv3d3	5.6897	RFQ	1516	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3	Banda	No hay para Nuevos Diseños	28.00 mm LX 28.00 mm W				Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnk25	Blanco, Cálido		descascar					EAR99	8541.41.0000	320	Cuadrado	2.76a	-	1.50 mm	34V	1.08a	115 °	3000K 3 Pasos Macadam Ellipse	5963LM (typ)	85 ° C	162 LM/W	80	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwh2hdnc05yhu3c1	3.3783	RFQ	1792	Samsung Semiconductor, Inc.	LC020C	Banda	No hay para Nuevos Diseños	15.00 mm LX 12.00 mm W				Chip A Bordo (COB)	-	Sphwh2	Blanco, Cálido		descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-1759	EAR99	8541.41.0000	624	Rectángulo	810 Ma	-	1.50 mm	34.5V	540ma	115 °	3500K 3 Pasos Macadam Ellipse	2320LM (typ)	85 ° C	125 lm/w	80	Dia de 8.00 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnd25yzr3h6	-	RFQ	1060	Samsung Semiconductor, Inc.	LC013D	Banda	Obsoleto	13.50 mm LX 13.50 mm W				Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnd25	Blanco, genial		descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-1888	EAR99	8541.41.0000	2.400	Cuadrado	920 mm	-	1.50 mm	34.6V	360 Ma	115 °	5000K 3 Pasos Macadam Ellipse	1772lm (typ)	85 ° C	142 lm/w	80	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
SL-B8V7NK0L2WW	-	RFQ	8502	Samsung Semiconductor, Inc.	*	Banda	Obsoleto							SL-B8V4			-		No Aplicable		1510-SL-B8V7NK0L2WW	Obsoleto		1
Sphwhahdnd25yzt3d3	1.6198	RFQ	2028	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	13.50 mm LX 13.50 mm W				Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnd25	Blanco, neutral		descascar					EAR99	8541.41.0000	1,000	Cuadrado	920 mm	-	1.50 mm	34V	360 Ma	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	2036lm (typ)	85 ° C	166 LM/W	80	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdna27yzu3db	1.3700	RFQ	500	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2 Plus	Banda	Activo	13.50 mm LX 13.50 mm W				Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdna27	Blanco, Cálido		descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdna27yzu3db	EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	360 Ma	-	1.50 mm	34V	180 Ma	115 °	3500K 3 Pasos Macadam Ellipse	423lm (typ)	85 ° C	69 lm/w	90	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Si-B8R041500WW	6.7600	RFQ	300	Samsung Semiconductor, Inc.	*	Una granela	Activo							Si-B8			-	Cumplimiento de Rohs	No Aplicable		1510-Si-B8R041500WW	EAR99	8541.41.0000	300
SI-N8T1254B0WW	7.2000	RFQ	8	Samsung Semiconductor, Inc.	CM 110 mm G5	Una granela	Obsoleto	110.00 mm de diámetro				Módulo liderado	Conector	Si-n8t	Blanco, neutral		descascar	Cumplimiento de Rohs	1 (ilimitado)		1510-SI-N8T1254B0WW	EAR99	8541.41.0000	120	Redondo	-	-	5.20 mm	27.8V	430mA	120 °	4000K	2210lm (typ)	25 ° C	185 lm/w	80	-	Departamento de Departamento
Sphwhahdng28yzt3d2	3.3332	RFQ	7535	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2	Banda	Activo	19.00 mm LX 19.00 mm W				Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdng28	Blanco, neutral		descascar					EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	1.84a	-	1.50 mm	34.6V	720 mm	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	2786lm (typ)	85 ° C	112 LM/W	-	Dia de 14.50 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnb25yzr3d3	0.9531	RFQ	5682	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen3	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	13.50 mm LX 13.50 mm W				Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnb25	Blanco, genial		descascar					EAR99	8541.41.0000	1,000	Cuadrado	460ma	-	1.50 mm	34V	180 Ma	115 °	5000K 3 Pasos Macadam Ellipse	1052lm (typ)	85 ° C	172 lm/w	80	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphcw1hdnd25yhrtb3	-	RFQ	7777	Samsung Semiconductor, Inc.	LC033B Gen3	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	21.50 mm LX 21.50 mm W				Chip A Bordo (COB)	-	Sphcw1	Blanco, genial		descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.41.0000	1.050	Cuadrado	1.62a	-	1.50 mm	35.5V	900mA	115 °	5000K	5160LM (4792LM ~ 5528LM)	25 ° C	162 LM/W	80	17.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
SI-B8T021070WW	-	RFQ	6033	Samsung Semiconductor, Inc.	LT-E072A	Banda	Obsoleto	70.00 mm LX 24.00 mm W				Módulo liderado	Conector	Si-B8	Blanco, neutral		descascar	Cumplimiento de Rohs	1 (ilimitado)		1510-1229	EAR99	8541.41.0000	1.500	Tira de Luz lineal	360 Ma	-	5.80 mm	6.3V	300mA	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	250LM (230LM ~ 270LM)	50 ° C	132 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
Sphwhahdnb25yzr3db	1.8000	RFQ	484	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2 Plus	Banda	Activo	13.50 mm LX 13.50 mm W				Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnb25	Blanco, genial		descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdnb25yzr3db	EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	360 Ma	-	1.50 mm	34V	180 Ma	115 °	5000K 3 Pasos Macadam Ellipse	1020lm (typ)	85 ° C	167 lm/w	80	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhahdnk27yzv2m2	-	RFQ	4062	Samsung Semiconductor, Inc.	LC040D	Banda	Obsoleto	28.00 mm LX 28.00 mm W				Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnk27	Blanco, Cálido		descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-1977	EAR99	8541.41.0000	1,280	Cuadrado	2.76a	-	1.50 mm	34.6V	1.08a	115 °	3000K 2 Pasos Macadam Ellipse	4525lm (typ)	85 ° C	121 LM/W	90	22.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwh2hdna05yhr3c1	3.1335	RFQ	6380	Samsung Semiconductor, Inc.	LC010C	Banda	No hay para Nuevos Diseños	15.00 mm LX 12.00 mm W				Chip A Bordo (COB)	-	Sphwh2	Blanco, genial		-	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-1746	EAR99	8541.41.0000	624	Rectángulo	405 Ma	-	1.50 mm	34.5V	270 Ma	115 °	5000K 3 Pasos Macadam Ellipse	1260LM (typ)	85 ° C	135 lm/w	80	Dia de 6.00 mm	Departamento de Departamento
Sphwhahdnd2vyzv2d2	1.7796	RFQ	1537	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2	Tape & Reel (TR)	Activo	13.50 mm LX 13.50 mm W				Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnd2	Blanco, Cálido		descascar					EAR99	8541.41.0000	1,000	Cuadrado	920 mm	-	1.50 mm	34.6V	360 Ma	115 °	3000K 2 Pasos Macadam Ellipse	1334lm (typ)	85 ° C	107 lm/w	-	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
SI-B9T151550WW	-	RFQ	7896	Samsung Semiconductor, Inc.	LT-M562G	Banda	Obsoleto	560.00 mm LX 18.00 mm W				Módulo liderado	-	Si-B9	Blanco, neutral		-	Cumplimiento de Rohs	No Aplicable			EAR99	8541.41.0000	40	Tira de Luz lineal	600mA	-	5.80 mm	24.7V	600mA	115 °	4000K	1550lm (TÍP)	-	105 lm/w	90	-	Departamento de Departamento
SI-B8V481B20US	23.5400	RFQ	154	Samsung Semiconductor, Inc.	LT-VB24F_G2	Una granela	Activo	1120.00 mm LX 39.80 mm W				Módulo liderado	-	Si-B8	Blanco, Cálido		descascar		1 (ilimitado)		1510-SI-B8V481B20US	EAR99	8541.41.0000	280	Tira de Luz lineal	1.08a	-	5.20 mm	44V	1.08a	118 °	3000K	8350LM (TÍP)	50 ° C	176 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
Sphwhahdnd27yzw2db	1.0407	RFQ	2986	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2 Plus	Banda	Activo	13.50 mm LX 13.50 mm W				Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnd27	Blanco, Cálido		descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdnd27yzw2db	EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	720 mm	-	1.50 mm	34V	360 Ma	115 °	2700K 2 Pasos Macadam Ellipse	1486lm (typ)	85 ° C	121 LM/W	90	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
SI-B8V101280WW	-	RFQ	7732	Samsung Semiconductor, Inc.	Dedo-rt64b	Banda	Obsoleto	230.00 mm LX 273.00 mm W				Módulo liderado	Conector	Si-B8	Blanco, Cálido		descascar	Cumplimiento de Rohs	No Aplicable			EAR99	8541.41.0000	60	Rectángulo	1.6a	-	6.70 mm	11.5V	700mA	115 °	3000K 3 Pasos Macadam Ellipse	1210lm (typ)	35 ° C	150 lm/w	80	-	Departamento de Departamento
Si-B8U071B00WW	8.4700	RFQ	299	Samsung Semiconductor, Inc.	Se Estándar retocedido	Una granela	Activo	1100.00 mm LX 13.00 mm W				Módulo liderado	-	Si-B8	Blanco, Cálido		descascar	Cumplimiento de Rohs	No Aplicable		1510-SI-B8U071B00WW	EAR99	8541.41.0000	150	Tira de Luz lineal	400mA	-	6.00 mm	41.5V	176MA	160 °	3500K	1240LM (typ)	40 ° C	170 lm/w	80	-	Departamento de Departamento
Sphww1hdne27yhw2b3	-	RFQ	7137	Samsung Semiconductor, Inc.	LC040B Gen3	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	21.50 mm LX 21.50 mm W				Chip A Bordo (COB)	-	Sphww1	Blanco, Cálido		descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.41.0000	1.050	Cuadrado	1.9a	-	1.50 mm	35.5V	1.08a	115 °	2700K 2 Pasos Macadam Ellipse	4736LM (4126LM ~ 5345LM)	25 ° C	124 LM/W	90	17.00 mm de diámetro	Departamento de Departamento
Sphwhtl3d50ce4tmqf	1.1500	RFQ	5110	Samsung Semiconductor, Inc.	LH351C	Tape & Reel (TR)	Activo	0.138 "L x 0.138" W (3.50 mm x 3.50 mm)	0.097 "(2.46 mm)	Montaje en superficie	1414 (3535 Métrica)			Sphwhtl3	Blanco, neutral	3535	descascar		2a (4 semanas)			EAR99	8541.41.0000	800		2A			2.9V	700mA	128 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse			167 lm/w	70			340LM (310LM ~ 370LM)	-	3 ° C/W
SI-B8T103560EU	-	RFQ	6238	Samsung Semiconductor, Inc.	Q	Banda	Activo	560.00 mm LX 24.00 mm W				Módulo liderado	-	Si-B8	Blanco, neutral		descascar		No Aplicable		1510-SI-B8T103560EU	EAR99	8541.41.0000	40	Tira de Luz lineal	360 Ma	-	5.20 mm	54.8V	180 Ma	115 °	4000K	2000 lm	40 ° C	203 LM/W	80	-	Departamento de Departamento
SI-B8R111560WW	-	RFQ	3734	Samsung Semiconductor, Inc.	LT-M562A	Banda	Obsoleto	560.00 mm LX 18.00 mm W				Módulo liderado	Conector	Si-B8	Blanco, genial		-	Cumplimiento de Rohs	1 (ilimitado)		1510-1105	EAR99	8541.41.0000	280	Tira de Luz lineal	450 mm	-	5.80 mm	24.7V	450 mm	115 °	5000K 3 Pasos Macadam Ellipse	1580LM (TÍP)	50 ° C	142 lm/w	80	-	Departamento de Departamento
SL-P7T2E24MZWW	-	RFQ	2809	Samsung Semiconductor, Inc.	TUPO E	Banda	Obsoleto	125.00 mm LX 50.00 mm W				Módulo liderado	-	SL-P7T2	Blanco, neutral		-	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)			EAR99	8541.41.0000	12	Rectángulo	700mA	-	41.60 mm	30V	700mA	-	4000K	1950lm (typ)	65 ° C	93 LM/W	70	-	-
Sphwhahdna25wjt3db	1.3400	RFQ	498	Samsung Semiconductor, Inc.	COB D Gen2 Plus	Caja	Activo	13.50 mm LX 13.50 mm W				Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdna25	Blanco, neutral		descascar	Cumplimiento de Rohs	2a (4 semanas)		1510-sphhahdna25wjt3db	EAR99	8541.41.0000	500	Cuadrado	360 Ma	-	1.50 mm	17 V	180 Ma	115 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse	510lm (typ)	85 ° C	167 lm/w	80	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
SPMWHD32AMD7XAU3S0	0.4700	RFQ	7	Samsung Semiconductor, Inc.	LM301B	Tape & Reel (TR)	Activo	0.118 "L x 0.118" W (3.00 mm x 3.00 mm)	0.033 "(0.85 mm)	Montaje en superficie	1212 (3030 Métrica)			SPMWHD32	Blanco, Cálido	1212	descascar	ROHS3 Cumplante	2a (4 semanas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.41.0000	4.000		180 Ma			2.75V	65mA	120 °	3500K			173 LM/W	90			-	31lm (28m ~ 34lm)	7.5 ° C/W
Sphwhahdnd27yzr3d1	-	RFQ	6698	Samsung Semiconductor, Inc.	LC013D	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	13.50 mm LX 13.50 mm W				Chip A Bordo (COB)	-	Sphwhahdnd27	Blanco, genial		descascar					EAR99	8541.41.0000	2.400	Cuadrado	920 mm	-	1.50 mm	34.6V	360 Ma	115 °	5000K 3 Pasos Macadam Ellipse	1584lm (TÍP)	85 ° C	127 LM/W	90	9.80 mm de diámetro	Departamento de Departamento
SPMWHD32AmD5XAT3SL	0.4600	RFQ	8	Samsung Semiconductor, Inc.	LM301B	Tape & Reel (TR)	Activo	0.118 "L x 0.118" W (3.00 mm x 3.00 mm)	0.033 "(0.85 mm)	Montaje en superficie	1212 (3030 Métrica)			SPMWHD32	Blanco, neutral	1212	descascar	ROHS3 Cumplante	2a (4 semanas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.41.0000	4.000		180 Ma			2.75V	65mA	120 °	4000K 3 Pasos Macadam Ellipse			218 LM/W	80			-	39LM (38LM ~ 40LM)	7.5 ° C/W

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Optoelectónica (6540)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²