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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Base Número de Producto | Potencia - Max | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Detección de proximidad | Configuración de salida | Método de Detección | Tamaña de Píxel | Matriz de Píxeles Activo | Marcos por Segundo | Longitud de Onda | Orientación | Ángulo de Visión | Current - DC Forward (IF) (Max) | Distancia de Deteca | Tiempo de Respuesta | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Current - Dark (ID) (Max) | Tipo de diodo | Color - Mejorado | Rango | Capacidad de capacidad @ nm | Current - Dark (typ) | Área activa |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MT9M024IA3XTM-DPBR | - | ![]() | 8535 | 0.00000000 | onde | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 70 ° C | 63 lbGa | CMOS CON Procesador | MT9M024 | 1.7V ~ 1.95V | 63-IBGA (9x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 4 (72 Horas) | Alcanzar sin afectado | 2832-MT9M024IA3XTM-DPBR | EAR99 | 8542.39.0001 | 260 | 3.75 µm x 3.75 µm | 1280H x 960V | 45 | |||||||||||||||||||||||
![]() | L14ltb | - | ![]() | 1905 | 0.00000000 | onde | - | Obsoleto | L14 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
AR0132AT6C00XPEA0-DRBR | 28.3600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | onde | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 63 lbGa | CMOS CON Procesador | AR0132 | 1.7V ~ 1.95V | 63-IBGA (9x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.9500 | 2.600 | 3.75 µm x 3.75 µm | 1280H x 960V | 45 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | QVE00832 | - | ![]() | 9245 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | Módulo, Alfileres de PC, Tipo de Ranura | No Amplificado | QVE008 | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | Fototransistor | Cría | 60 Ma | 0.197 "(5 mm) | 4 µs, 4 µs | 30 V | 20 Ma | |||||||||||||||||||||
![]() | AR0234CSSM28SUKA0-CR1 | - | ![]() | 5939 | 0.00000000 | onde | - | Banda | Obsoleto | - | 83-vfbga, cspbga | CMOS | - | 83-ODCSP (5.6x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 4 (72 Horas) | Alcanzar sin afectado | 488-AR0234CSSM28SUKA0-CR1 | Obsoleto | 210 | 3 µm x 3 µm | 1920h x 1200V | 120 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MT9F002I12-N4000-DP | - | ![]() | 5120 | 0.00000000 | onde | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 70 ° C (TJ) | 48 LCC | CMOS CON Procesador | MT9F002 | 1.7V ~ 1.9V | 48-ILCC (10x10) | - | ROHS3 Cumplante | 4 (72 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.400 | 1.4 µm x 1.4 µm | 4384H x 3288V | 13.7 | |||||||||||||||||||||||
AR0132AT6R00XPEA0-DRBR | 16.4532 | ![]() | 9026 | 0.00000000 | onde | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 63 lbGa | CMOS CON Procesador | AR0132 | 1.7V ~ 1.95V | 63-IBGA (9x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.9500 | 2.600 | 3.75 µm x 3.75 µm | 1280H x 960V | 45 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | KAF-50100-CAA-JD-AA | - | ![]() | 2856 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 60 ° C (TA) | 52-BCPGA | CCD | KAF-50100 | 14.5V ~ 15.5V | 52-CPGA (57.5x49) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 6 µm x 6 µm | 8176H x 6132V | |||||||||||||||||||||||||
NOIII5SC1300A-QDC | - | ![]() | 9233 | 0.00000000 | onde | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 65 ° C (TJ) | 84 LCC | CMOS | Noiiii5s | 3V ~ 4.5V | 84-LCC (18x18) | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.1050 | 1 | 6.7 µm x 6.7 µm | 1280H x 1024V | 27 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | QSD724 | - | ![]() | 7721 | 0.00000000 | onde | - | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C (TA) | A Través del Aguetero | A 18-2 | QSD724 | 100 MW | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | QSD724-NDR | EAR99 | 8541.49.7080 | 250 | 880 nm | Vista superior | 40 ° | 30 V | 100 na | |||||||||||||||||||||||
![]() | MT9V023IA7XTM-DR | - | ![]() | 1246 | 0.00000000 | onde | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 52 lbGa | CMOS CON Procesador | MT9V023 | 3V ~ 3.6V | 52-IBGA (9x9) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.600 | 6 µm x 6 µm | 752H x 480V | 60 | |||||||||||||||||||||||
![]() | KLI-2113-RA-ED-AA | - | ![]() | 4934 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | KLI-2113 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | L14G1 | - | ![]() | 8668 | 0.00000000 | onde | - | Obsoleto | -65 ° C ~ 125 ° C (TA) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | L14 | 300 MW | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.7080 | 500 | 880 nm | Vista superior | 20 ° | 45 V | 100 na | ||||||||||||||||||||||||
![]() | NOA2301W | - | ![]() | 5151 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | - | - | - | - | NOA2301 | - | - | - | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | - | - | |||||||||||||||||||||||
MT9V127IA3XTC-DR1 | - | ![]() | 3468 | 0.00000000 | onde | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C | CMOS | MT9V127 | 1.8V, 2.8V | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 260 | 5.6 µm x 5.6 µm | 680H x 512V | 60 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Kai-04070-ABA-JD-BA | - | ![]() | 5039 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | -50 ° C ~ 70 ° C (TA) | 67-BCPGA | CCD | Kai-04070 | 14.5V ~ 15.5V | 67-CPGA (33.02x20.07) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 7.4 µm x 7.4 µm | 2048H x 2048V | 8 | |||||||||||||||||||||||
![]() | NOIV1SN025KA-GTI | 3.0000 | ![]() | 12 | 0.00000000 | onde | Vitae | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | 355-bspga, ventana | CMOS | NOIV1 | 1.6V ~ 2V, 3V ~ 3.6V | 355 µPGA | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 12 | 4.5 µm x 4.5 µm | 5120H x 5120V | 53 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | AR0138AT4R00XUEA1-TPBM | 31.3776 | ![]() | 6658 | 0.00000000 | onde | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 109-lfbga | CMOS | - | 109-IBGA (10x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 488-AR0138AT4R00XUEA1-TPBMTR | 2,000 | 4.2 µm x 4.2 µm | 1288H x 968V | 69 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | AR1335CSSC32SMD10 | - | ![]() | 4625 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | Morir | AR1335 | Morir | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
MT9V032C12STM-TP | - | ![]() | 8438 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 70 ° C | 48-Clcc | CMOS CON Procesador | MT9V032 | 3V ~ 3.6V | 48-CLCC (11.43x11.43) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 6 µm x 6 µm | 752H x 480V | 60 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | AR0220AT3R00XUEA0-VL-TPBR | - | ![]() | 6335 | 0.00000000 | onde | - | Banda | Obsoleto | - | 87 lbGa | CMOS | AR0220 | - | 87-IBGA (12x9) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 488-AR0220AT3R00XUEA0-VL-TPBR | Obsoleto | 1 | 4.2 µm x 4.2 µm | 1828H x 948V | 60 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | QVA21114 | - | ![]() | 3586 | 0.00000000 | onde | QVA | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | Módulo, Alfileres de PC, Tipo de Ranura | No Amplificado | QVA211 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | QVA21114-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | Fototransistor | Cría | 50 Ma | 0.125 "(3.18 mm) | - | 30 V | |||||||||||||||||||||
![]() | MT9P111D00STCK28AC1-200 | - | ![]() | 6065 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | -30 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Morir | CMOS | MT9P111 | 1.7V ~ 1.95V, 2.5V ~ 3.1V | Morir | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | 1.4 µm x 1.4 µm | 2592H x 1944V | 30 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | AS0140AT2C00XUSM0-DRBR | 23.9500 | ![]() | 3600 | 0.00000000 | onde | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | 130-LFBGA | CMOS | AS0140 | 1.7V ~ 1.98V, 3V ~ 3.6V | 130-IBGA (8.5x8.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 2832-AS0140AT2C00XUSM0-DRBR | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,970 | 3 µm x 3 µm | 1280H x 800V | 60 | ||||||||||||||||||||||
![]() | MT9M034I12STM-DPBR | - | ![]() | 2141 | 0.00000000 | onde | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 70 ° C (TA) | 48 LCC | CMOS CON Procesador | MT9M034 | 1.7V ~ 1.95V | 48-ILCC (10x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 4 (72 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8473.30.1180 | 2.400 | 3.75 µm x 3.75 µm | 1280H x 960V | 45 | |||||||||||||||||||||||
![]() | ArrayJ-30035-64P-PCB | 1.0000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | onde | Sipm de la Serie J | Una granela | Activo | - | Encatible | Módulo | Arrayj | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Arrayj-30035-64p-pcbos | EAR99 | 8541.49.1050 | 1 | 420 nm | - | - | - | - | - | - | - | 9 mm² | ||||||||||||||||||
![]() | KAF-50100-ABA-JR-BA | 5.0000 | ![]() | 1604 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Descontinuado en sic | 0 ° C ~ 60 ° C (TA) | 52-BCPGA | CCD | KAF-50100 | 14.5V ~ 15.5V | 52-CPGA (57.5x49) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 6 µm x 6 µm | 8176H x 6132V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Kai-08052-Qba-JD-BA | - | ![]() | 3030 | 0.00000000 | onde | - | Banda | Activo | -50 ° C ~ 70 ° C | CCD | Kai-08052 | 14.5V ~ 15.5V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1 | 5.5 µm x 5.5 µm | 3296H x 2472V | 16 | ||||||||||||||||||||||||||
MT9V128IA3XTC-DR1 | - | ![]() | 6487 | 0.00000000 | onde | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 70 ° C | CMOS | MT9V128 | 1.8V, 2.8V | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 260 | 5.6 µm x 5.6 µm | 680H x 512V | 60 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | H21B3 | - | ![]() | 8226 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero, Brida | Pins Ranurados, PC | No Amplificado | H21B | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | H21B3-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | Fotodarlington | Cría | 50 Ma | 0.118 "(3 mm) | 7 µs, 45 µs | 30 V | 40 Ma |
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