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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Potencia - Max | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración de salida | Método de Detección | Longitud de Onda | Orientación | Ángulo de Visión | Current - DC Forward (IF) (Max) | Distancia de Deteca | Tiempo de Respuesta | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Current - Dark (ID) (Max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | QSE773E3R0 | 0.4000 | ![]() | 80 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 743 | |||||||||||||||||||||
![]() | QSE133 | 1.0000 | ![]() | 3300 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C (TA) | A Través del Aguetero | Radial, vista lateral | 100 MW | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 880 nm | Vista lateral | 50 ° | 30 V | 100 na | ||||||||||||
![]() | QSE113 | - | ![]() | 6850 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | Radial, vista lateral | 100 MW | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-QSE113-600039 | 1 | 880 nm | Vista lateral | 50 ° | 30 V | 1.5 Ma | 100 na | ||||||||||
![]() | BPW38 | - | ![]() | 9960 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 125 ° C (TA) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 300 MW | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.7080 | 500 | 880 nm | Vista superior | 18 ° | 25 V | 100 na | |||||||||
![]() | L14N1 | - | ![]() | 1597 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 125 ° C (TA) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 300 MW | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | 880 nm | Vista superior | 80 ° | 30 V | 100 na | |||||||||
![]() | QSD733C | 0.0900 | ![]() | 3320 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | A 18-2 | 100 MW | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.7080 | 186 | 880 nm | Vista superior | 40 ° | 30 V | 100 na | |||||||||||
![]() | QVB11134 | 1.0000 | ![]() | 2388 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QVB | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero, Brida | Módulo, Alfileres de PC, Tipo de Ranura | No Amplificado | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | Fototransistor | Cría | 50 Ma | 0.125 "(3.18 mm) | - | 30 V | 40 Ma |
Volumen de RFQ promedio diario
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