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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Potencia - Max | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración de salida | Método de Detección | Tipo de sensor | Longitud de Onda | Orientación | Ángulo de Visión | Current - DC Forward (IF) (Max) | Distancia de Deteca | Tiempo de Respuesta | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Current - Dark (ID) (Max) | Tipo de diodo | Color - Mejorado | Rango | Capacidad de capacidad @ nm | Current - Dark (typ) | Área activa |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Moc70p2 | 0.7000 | ![]() | 67 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero, Brida | Pins Ranurados, PC | No Amplificado | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 430 | Fototransistor | Cría | 50 Ma | 0.200 "(5.08 mm) | 20 µs, 80 µs | 30 V | 20 Ma | |||||||||||||||||
![]() | QSB363CGR | 0.2900 | ![]() | 9243 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 2-SMD, Ala de Gaviota | 75 MW | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.7080 | 988 | 940 nm | Vista superior | 24 ° | 30 V | 100 na | |||||||||||||||||||
![]() | H22A6 | 0.6600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero, Brida | Pins Ranurados, PC | No Amplificado | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 452 | Fototransistor | Cría | 60 Ma | 0.118 "(3 mm) | 8 µs, 50 µs | 55 V | ||||||||||||||||||
![]() | QSE973 | 0.3700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | To-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.1050 | 1,000 | 930 nm | 90 ° | 50ns | 32 V | Alfiler | - | - | - | 30NA | - | |||||||||||||||
![]() | QSE773 | 0.3700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 802 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | QSE773E3R0 | 0.4000 | ![]() | 80 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 743 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | QSE133 | 1.0000 | ![]() | 3300 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C (TA) | A Través del Aguetero | Radial, vista lateral | 100 MW | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 880 nm | Vista lateral | 50 ° | 30 V | 100 na | ||||||||||||||||||||
![]() | 5192 | - | ![]() | 4048 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -10 ° C ~ 50 ° C | Variante to-5, 3 cables, lente de metal de lente | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 48 | Movimiento, Piroeléctrico, Pir (Infrarrojo Pasivo) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | QSE113 | - | ![]() | 6850 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | Radial, vista lateral | 100 MW | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-QSE113-600039 | 1 | 880 nm | Vista lateral | 50 ° | 30 V | 1.5 Ma | 100 na | ||||||||||||||||||
![]() | BPW38 | - | ![]() | 9960 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 125 ° C (TA) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 300 MW | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.7080 | 500 | 880 nm | Vista superior | 18 ° | 25 V | 100 na | |||||||||||||||||
![]() | L14N1 | - | ![]() | 1597 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 125 ° C (TA) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 300 MW | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.41.0000 | 500 | 880 nm | Vista superior | 80 ° | 30 V | 100 na | |||||||||||||||||
![]() | QSD733C | 0.0900 | ![]() | 3320 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | A 18-2 | 100 MW | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.7080 | 186 | 880 nm | Vista superior | 40 ° | 30 V | 100 na | |||||||||||||||||||
![]() | QVB11134 | 1.0000 | ![]() | 2388 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QVB | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero, Brida | Módulo, Alfileres de PC, Tipo de Ranura | No Amplificado | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | Fototransistor | Cría | 50 Ma | 0.125 "(3.18 mm) | - | 30 V | 40 Ma |
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