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Regulacia Real: Diodos, Transistores (1067)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) | Corriente del Regulador (Max) | Voltaje - Limitante (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jantx1n5295ur-1/tr | 38.4300 |  | 2408 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5295 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jantx1n5295ur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 902 µA | 1.25V | ||
 | Jan1N5297-1 | 31.5150 | | 2566 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5297 | 500MW | Do-7 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.1mA | 1.35V | ||
| Jantxv1n5298-1/tr | 36.5700 | | 7068 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5298 | 500MW | Do-7 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N5298-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.21mA | 1.4V | ||
| Jantxv1n5289-1/tr | 36.5700 | | 3477 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5289 | 500MW | Do-7 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N5289-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 473 µA | 1.05V | ||
 | 1N5285UR-1/TR | 21.9800 | | 9364 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 100V | 297 µA | 1V | ||||||
| Jantx1n5287-1/tr | 33.5550 | | 1566 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5287 | 500MW | Do-7 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N5287-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 363 µA | 1V | ||
 | CL20MD | 0.1328 | | 15 | 0.00000000 | Semiconductor diotec | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Cargador de Batería, controlador de control | Montaje en superficie | CL20 | 1W | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2796-CL20MDTR | 8541.10.0000 | 2.500 | 90V | 34mA | 3V | |||||
 | SST500 SOT-23 3L | 4.1911 | | 9298 | 0.00000000 | Linear Integrated Systems, Inc. | SST500 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SST500 | 350MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | 400mv | |||||
| CDS5311UR-1/TR | - | | 5036 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | CDS53 | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDS5311UR-1/TR | 50 | ||||||||||||||
 | Jantxv1n5313ur-1 | - | | 4441 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Una granela | Descontinuado en sic | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5313 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 4.73MA | 2.75V | ||
| 1N5298RL/TR | 18.7950 | | 2466 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | 1N5298 | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5298RL/TR | 100 | ||||||||||||||
| CDLL5292/TR | 25.2900 | | 6388 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | CDLL52 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5292/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 682 µA | 1.13V | ||
| 1N5308-1 | 18.6000 | | 1257 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5308 | 500MW | Do-7 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.97MA | 2.15V | |||
| Jans1n5288ur-1/tr | 130.3050 | | 6567 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5288 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | - | Alcanzar sin afectado | 150-Jans1n5288ur-1/TR | 50 | 100V | 429 µA | 1.05V | |||||
| 1N5289ur-1 | 21.8250 | | 6200 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5289 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 473 µA | 1.05V | |||
| 1N5288ur-1 | 21.8250 | | 8505 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5288 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 429 µA | 1.05V | |||
| 1N5309UR-1/TR | 22.0050 | | 2052 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5309 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N5309UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.3MA | 2.25V | ||
| Jan1N5291-1 | 31.5150 | | 9161 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5291 | 500MW | Do-7 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 616 µA | 1.1V | ||
| 1N5297UR-1/TR | 22.0050 | | 6635 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5297 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N5297ur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.1mA | 1.35V | ||
| Jan1N5283-1/TR | 31.6650 | | 4762 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5283 | 500MW | Do-7 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1N5283-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 242 µA | 1V | ||
 | 1N5283 | 18.6750 | | 7600 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5283 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 242 µA | 1V | ||||
| Jantx1n5304-1 | - | | 8390 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Una granela | Descontinuado en sic | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5304 | 500MW | Do-7 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.98mA | 1.75V | ||
| Jankca1n5311 | - | | 8220 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500MW | Do-7 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jankca1N5311 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.96mA | 2.5V | |||
| Jans1n5290-1 | 99.8700 | | 7031 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5290 | 500MW | Do-7 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 517 µA | 1.05V | |||
| Jan1n5303ur-1 | 36.6900 | | 9186 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5303 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.76MA | 1.65V | ||
 | CD5314 | 19.4400 | | 9631 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C | - | Montaje en superficie | CDLL20 | - | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD5314 | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | 100V | 5.17MA | 2.9V | ||||
 | CMJ5750 TR PBFree | 6.2800 | | 8 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Efecto de Campo de Silicio | Montaje en superficie | SOD-123F | CMJ5750 | 500MW | SOD-123FL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100V | 6.5mA | 4.5V | ||
| Jans1n5289ur-1/tr | 130.3050 | | 3533 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jans1n5289ur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 473 µA | 1.05V | |||
| 1N5311/TR | 18.7950 | | 5530 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5311 | 500MW | Do-7 | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5311/TR | 100 | 100V | 3.96mA | 2.5V | |||||
| Jans1n5308ur-1/tr | 130.3050 | | 1534 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jans1n5308ur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.97MA | 2.15V |
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