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Regulacia Real: Diodos, Transistores (1067)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Calificante | Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) | Corriente del Regulador (Max) | Voltaje - Limitante (Max) | Calificante |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jans1n5300ur-1/tr | 131.5650 |  | 7782 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jans1n5300ur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.43MA | 1.5V | |||||
 | Jantxv1n5308ur-1/tr | 40.9500 | | 1397 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5308 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N5308UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.97MA | 2.15V | ||||
| Jantx1n5289ur-1/tr | 38.4300 | | 8171 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5289 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jantx1n5289ur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 473 µA | 1.05V | ||||
| Jantx1n5293ur-1 | 38.2650 | | 4026 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5293 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 748 µA | 1.15V | ||||
 | E-101 | 0.8900 | | 5182 | 0.00000000 | Semitec USA Corp | mi | Una granela | Activo | -30 ° C ~ 150 ° C | Cargador de Batería | A Través del Aguetero | Axial | E-10 | 300MW | - | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 4316-E-101 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | - | 100V | 210 µA | 500mv | - | ||
 | CD5308 | 19.2450 | | 8363 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C | - | Montaje en superficie | CD530 | - | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD5308 | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | 100V | 2.97MA | 2.15V | ||||||
 | CD5292V | 38.5050 | | 2916 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C | - | Montaje en superficie | Morir | CD529 | - | Morir | - | Alcanzar sin afectado | 150-CD5292V | 1 | 100V | 682 µA | 1.13V | |||||||
| Jans1n5306ur-1 | 130.1550 | | 5296 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5306 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.42MA | 1.95V | |||||
 | Jans1n5294-1/tr | 100.0200 | | 3970 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500MW | Do-7 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n5294-1/tr | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 825 µA | 1.2V | |||||
 | Jantx1n5287-1 | 33.7200 | | 3765 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5287 | 500MW | Do-7 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 363 µA | 1V | ||||
| 1N5288 | 18.6000 | | 2670 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5288 | 475MW | Do-7 | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5288 | 1 | 100V | 429 µA | 1.05V | |||||||
| Jantxv1n5299-1 | 36.4050 | | 5956 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5299 | 500MW | Do-7 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.32MA | 1.45V | ||||
| Janhca1n5310 | - | | 2073 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500MW | Do-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N5310 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.63MA | 2.35V | |||||
| 1N5311-1/TR | 18.7950 | | 6216 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5311 | 500MW | Do-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N5311-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.96mA | 2.5V | ||||
| Jantx1n5294-1/tr | 34.1550 | | 8674 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5294 | 500MW | Do-7 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N5294-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 825 µA | 1.2V | ||||
| CDS5311UR-1/TR | - | | 5036 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | CDS53 | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDS5311UR-1/TR | 50 | ||||||||||||||||
| Jans1n5309-1/tr | 100.0200 | | 3136 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500MW | Do-7 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n5309-1/tr | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.3MA | 2.25V | |||||
| Jans1n5309-1 | 99.8700 | | 1084 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5309 | 500MW | Do-7 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.3MA | 2.25V | |||||
| 1N5303-1 | 18.6000 | | 4198 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5303 | 500MW | Do-7 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.76MA | 1.65V | |||||
| Jantxv1n5298ur-1 | 40.2450 | | 1321 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5298 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.21mA | 1.4V | ||||||
| 1N5292-1 | 18.6000 | | 6131 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5292 | 500MW | Do-7 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 682 µA | 1.13V | |||||
| 1N5292ur-1 | 24.8100 | | 1680 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5292 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 682 µA | 1.13V | |||||
| CDLL7055/TR | 68.3250 | | 7476 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | CDLL70 | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL7055/TR | 100 | ||||||||||||||||
| 1N5286UR-1 | 21.8250 | | 1221 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5286 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 330 µA | 1V | |||||
| Jantx1n5283ur-1 | 38.7600 | | 5241 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5283 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 242 µA | 1V | |||||
| Jans1n5310ur-1 | 130.1550 | | 3162 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5310 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.63MA | 2.35V | |||||
| 1N5294UR-1 | 21.8250 | | 6223 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5294 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 825 µA | 1.2V | |||||
| Jantxv1n5300ur-1 | 40.2450 | | 8357 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5300 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.43MA | 1.5V | ||||
| Jan1n5312ur-1 | 30.3150 | | 9372 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5312 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 4.29mA | 2.6V | ||||
| Jan1n5314ur-1 | 36.6900 | | 8710 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5314 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 5.17MA | 2.9V |
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