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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
NZX33B, 133	0.0200	RFQ	79	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	ALF2	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-NZX33B, 133-954			1				1.5 V @ 200 Ma		50 na @ 23.1 V				33 V	120 ohmios
BZV55-C10,115	0.0200	RFQ	469	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80			500 MW	Llds; Mínimo	descascar		Alcanzar sin afectado	2156-BZV55-C10,115-954	EAR99	8541.10.0070	1				900 MV @ 10 Ma		200 na @ 7 V				10 V	20 ohmios
PDZ20B, 115	0.0200	RFQ	99	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323			400 MW	Sod-323	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PDZ20B, 115-954			1				1.1 V @ 100 Ma		50 na @ 15 V				20 V	20 ohmios
BZX884-C6V8,315	-	RFQ	2645	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	Sod-882			250 MW	DFN1006-2	-	Vendedor indefinido	Alcanzar sin afectado	2156-BZX884-C6V8,315-954		0000.00.0000	1				900 MV @ 10 Ma		2 µA @ 4 V				6.8 V	15 ohmios
BZX84-A16,215	0.1000	RFQ	4	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			250 MW	To-236ab	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX84-A16,215-954	EAR99	8541.10.0050	1				900 MV @ 10 Ma		50 na @ 700 mv				16 V	40 ohmios
BZX585-B62,115	0.0300	RFQ	95	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-79, SOD-523			300 MW	Sod-523	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX585-B62,115-954			9,366				1.1 V @ 100 Ma		50 na @ 43.4 V				62 V	215 ohmios
BZV85-C20,113	0.0300	RFQ	113	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1.3 W	Do-41	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZV85-C20,113-954			1				1 V @ 50 Ma		50 na @ 14 V				20 V	24 ohmios
BZB784-C2V7,115	0.0300	RFQ	75	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323			180 MW	Sot-323	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZB784-C2V7,115-954	EAR99	8541.10.0050	1	1 par Ánodo Común			900 MV @ 10 Ma		20 µA @ 1 V				2.7 V	100 ohmios
BAS40-07V, 115	0.0600	RFQ	842	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo					BAS40				descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BAS40-07V, 115-954			5.293
PZU24B2L, 315	0.0300	RFQ	30	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	Sod-882			250 MW	DFN1006-2	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PZU24B2L, 315-954			10,764				1.1 V @ 100 Ma		50 na @ 19 V				24 V	30 ohmios
Pmeg4002esfyl	0.0300	RFQ	1	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	0201 (0603 Métrica)		Schottky		DSN0603-2	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PMEG4002ESFYL-954	EAR99	8541.10.0070	1		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	40 V	600 MV @ 200 Ma	1.28 ns	6.5 µA @ 40 V	150 ° C (Máximo)	200 MMA	17pf @ 1v, 1 MHz
NZX36A, 133	0.0200	RFQ	109	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	ALF2	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-NZX36A, 133-954			1				1.5 V @ 200 Ma		50 na @ 25.2 V				36 V	140 ohmios
BZX79-C56,113	0.0200	RFQ	400	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			400 MW	ALF2	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX79-C56,113-954			1				900 MV @ 10 Ma		50 na @ 39.2 V				56 V	200 ohmios
BZV55-B12,115	0.0200	RFQ	55	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 200 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80			500 MW	Llds; Mínimo	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZV55-B12,115-954			1				900 MV @ 10 Ma		100 na @ 8 V				12 V	25 ohmios
BZB784-C13,115	0.0300	RFQ	69	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323			180 MW	Sot-323	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZB784-C13,115-954			1	1 par Ánodo Común			900 MV @ 10 Ma		100 na @ 8 V				13 V	30 ohmios
NZH20C, 115	0.0200	RFQ	15	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 3%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123F			500 MW	SOD-123F	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-NZH20C, 115-954			1				900 MV @ 10 Ma		40 na @ 15 V				20 V	28 ohmios
BZT52H-C4V3,115	0.0200	RFQ	102	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TA)	Montaje en superficie	SOD-123F	BZT52		375 MW	SOD-123F	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZT52H-C4V3,115-954			1				900 MV @ 10 Ma		3 µA @ 1 V				4.3 V	95 ohmios
PZU3.3B2L, 315	0.0300	RFQ	148	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	Sod-882			250 MW	DFN1006-2	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PZU3.3B2L, 315-954	EAR99	8541.10.0050	10,764				1.1 V @ 100 Ma		5 µA @ 1 V				3.3 V	95 ohmios
BZX79-C22,133	0.0200	RFQ	119	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			400 MW	ALF2	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX79-C22,133-954			1				900 MV @ 10 Ma		50 na @ 15.4 V				22 V	55 ohmios
BZX384-B22,115	-	RFQ	4745	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BZX384		300 MW	Sod-323	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX384-B22,115-954			1				1.1 V @ 100 Ma		50 na @ 15.4 V				22 V	55 ohmios
PZU24BA, 115	0.0300	RFQ	124	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323			320 MW	Sod-323	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PZU24BA, 115-954			1				1.1 V @ 100 Ma		50 na @ 19 V				24 V	30 ohmios
PZU7.5B2L, 315	0.0300	RFQ	117	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	Sod-882			250 MW	DFN1006-2	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PZU7.5B2L, 315-954			10,764				1.1 V @ 100 Ma		500 na @ 4 V				7.5 V	10 ohmios
BZX79-C10,133	0.0200	RFQ	240	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			400 MW	ALF2	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX79-C10,133-954			1				900 MV @ 10 Ma		200 na @ 7 V				10 V	20 ohmios
1PS74SB23,125	0.0900	RFQ	47	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SC-74, SOT-457		Schottky		6-TSOP	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-1PS74SB23,125-954			1		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	25 V	450 MV @ 1 A		1 ma @ 25 V	125 ° C (Máximo)	1A	100pf @ 4V, 1 MHz
BZX84-C33,215	0.0200	RFQ	295	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			250 MW	To-236ab	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX84-C33,215-954			1				900 MV @ 10 Ma		50 na @ 23.1 V				33 V	80 ohmios
BZX79-B5V1,143	0.0200	RFQ	185	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			400 MW	ALF2	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX79-B5V1,143-954			1				900 MV @ 10 Ma		2 µA @ 2 V				5.1 V	60 ohmios
BAS101,215	-	RFQ	9960	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3		Estándar		To-236ab	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-Bas101,215-954			1		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	300 V	1.1 V @ 100 Ma	50 ns	150 na @ 250 V	150 ° C (Máximo)	200 MMA	2pf @ 0V, 1 MHz
BZV90-C3V0,115	0.1500	RFQ	2	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA			1.5 W	SOT-223	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZV90-C3V0,115-954	EAR99	8541.10.0050	1				1 V @ 50 Ma		10 µA @ 1 V				3 V	95 ohmios
BZV55-C3V0,135	0.0200	RFQ	50	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80			500 MW	Llds; Mínimo	descascar		Alcanzar sin afectado	2156-BZV55-C3V0,135-954			1				900 MV @ 10 Ma		10 µA @ 1 V				3 V	95 ohmios
BZX84J-B20,115	0.0300	RFQ	12	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-90, SOD-323F			550 MW	Sod-323f	descascar	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX84J-B20,115-954			1				1.1 V @ 100 Ma		50 na @ 14 V				20 V	20 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (545)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²