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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZX79-C11,143 | 0.0200 | ![]() | 295 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX79-C11,143-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 8 V | 11 V | 20 ohmios | |||||||||||||||
![]() | BZX79-B2V7,143 | 0.0200 | ![]() | 80 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX79-B2V7,143-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 20 µA @ 1 V | 2.7 V | 100 ohmios | |||||||||||||||
![]() | BZB84-B4V3215 | - | ![]() | 4379 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | To-236ab | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-BZB84-B4V3215-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 3 µA @ 1 V | 4.3 V | 90 ohmios | |||||||||||||||
![]() | BZX79-C75143 | 0.0200 | ![]() | 185 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX384-B4V7,115 | - | ![]() | 3698 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BZX384 | 300 MW | Sod-323 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX384-B4V7,115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 3 µA @ 2 V | 4.7 V | 80 ohmios | ||||||||||||||
![]() | PZU3.0B2,115 | 1.0000 | ![]() | 7015 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 310 MW | Sod-323f | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PZU3.0B2,115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 10 µA @ 1 V | 3 V | 95 ohmios | |||||||||||||||
![]() | BAS28,215 | 0.0300 | ![]() | 799 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Un 253-4, un 253AA | BAS28 | Estándar | Sot-143b | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-Bas28,215-954 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 75 V | 215MA (DC) | 1.25 V @ 150 Ma | 4 ns | 1 µA @ 75 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||
![]() | TDZ5V6J, 115 | 0.0300 | ![]() | 63 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotive, AEC-Q101, TDZXJ | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | TDZ5V6 | 500 MW | Sod-323f | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-TDZ5V6J, 115-954 | 10,414 | 1.1 V @ 100 Ma | 10 µA @ 2.5 V | 5.6 V | 40 ohmios | ||||||||||||||
![]() | BZV55-B5V6,115 | 0.0200 | ![]() | 547 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Llds; Mínimo | descascar | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV55-B5V6,115-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 1 µA @ 2 V | 5.6 V | 40 ohmios | ||||||||||||||
![]() | BZV55-C4V7,135 | 0.0200 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Llds; Mínimo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV55-C4V7,135-954 | 18,104 | 900 MV @ 10 Ma | 3 µA @ 2 V | 4.7 V | 80 ohmios | |||||||||||||||
![]() | PMEG1020EV, 115 | 0.0600 | ![]() | 264 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | Schottky | Sot-666 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PMEG1020EV, 115-954 | 4.991 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 10 V | 460 MV @ 2 A | 3 Ma @ 10 V | 150 ° C (Máximo) | 2a | 45pf @ 5V, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | BZX84-C6V8,235 | 0.0200 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX84-C6V8,235-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 2 µA @ 4 V | 6.8 V | 15 ohmios | |||||||||||||||
![]() | 1N4741A, 133 | 0.0400 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-1N4741A, 133-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52H-B16,115 | - | ![]() | 2958 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montaje en superficie | SOD-123F | 375 MW | SOD-123F | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-BZT52H-B16,115-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 11.2 V | 16 V | 20 ohmios | |||||||||||||||
![]() | BZB784-C5V6,115 | - | ![]() | 5706 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 350 MW | Sot-323 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 1 µA @ 2 V | 5.6 V | 40 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | BZX79-B20,143 | 0.0200 | ![]() | 215 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX79-B20,143-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 14 V | 20 V | 55 ohmios | |||||||||||||||
![]() | BZX884-C16,315 | 0.0300 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sod-882 | 250 MW | DFN1006-2 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-BZX884-C16,315-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 11.2 V | 16 V | 40 ohmios | |||||||||||||
![]() | BAV99/8,235 | - | ![]() | 5453 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | BAV99 | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-BAV99/8,235-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C75,215 | 0.0200 | ![]() | 209 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX84-C75,215-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 52.5 V | 75 V | 255 ohmios | |||||||||||||||
![]() | BZV55-B33,115 | 0.0200 | ![]() | 207 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Llds; Mínimo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV55-B33,115-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 23.1 V | 33 V | 80 ohmios | |||||||||||||||
![]() | BZX884-C13,315 | - | ![]() | 7950 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Sod-882 | BZX884-C13 | 250 MW | DFN1006-2 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 8 V | 13 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | BAS40-04,215 | 0.0200 | ![]() | 2929 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | BAS40 | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BAS40-04,215-954 | 13,000 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG045T150EPDAZ | 0.3600 | ![]() | 92 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | Schottky | CFP15 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PMEG045T150EPDAZ-954 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 550 MV @ 15 A | 20 ns | 100 µA @ 45 V | 175 ° C (Máximo) | 15A | 800pf @ 10V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | Bav70sraz | - | ![]() | 1579 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | 6-xfdfn almohadilla exposición | Estándar | DFN1412-6 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-BAV70SRAZ-954 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 par Cátodo Común | 100 V | 355mA | 1.25 V @ 150 Ma | 4 ns | 500 na @ 80 V | 150 ° C | |||||||||||||
![]() | BZX884-B24,315 | - | ![]() | 1145 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sod-882 | 250 MW | DFN1006-2 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-BZX884-B24,315-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 16.8 V | 24 V | 70 ohmios | |||||||||||||||
![]() | PZU10B2A, 115 | - | ![]() | 1079 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | Pzu10 | 320 MW | Sod-323 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 100 na @ 7 V | 10 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | BZV55-B6V2,115 | 0.0200 | ![]() | 312 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Llds; Mínimo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV55-B6V2,115-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 3 µA @ 4 V | 6.2 V | 10 ohmios | |||||||||||||
![]() | BZV85-C6V2,133 | 0.0400 | ![]() | 96 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV85-C6V2,133-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 2 µA @ 3 V | 6.2 V | 4 ohmios | |||||||||||||||
![]() | BZV85-C43,133 | - | ![]() | 7382 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.3 W | Do-41 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 50 na @ 30 V | 43 V | 75 ohmios | |||||||||||||||||
![]() | BZX84-B4V7,215 | 0.0200 | ![]() | 74 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX84-B4V7,215-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 3 µA @ 2 V | 4.7 V | 80 ohmios |
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