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| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZV85-C43,133 | - |  | 7382 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.3 W | Do-41 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 50 na @ 30 V | 43 V | 75 ohmios | |||||||||||||
 | BZX84-B4V7,215 | 0.0200 | | 74 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX84-B4V7,215-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 3 µA @ 2 V | 4.7 V | 80 ohmios | |||||||||||
| BZB84-C5V1,215 | - | | 6129 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | To-236ab | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-BZB84-C5V1,215-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 5.1 V | 60 ohmios | |||||||||
| PMEG2010AJ, 115 | - | | 3718 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Schottky | Sod-323f | - | 2156-PMEG2010AJ, 115 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 550 MV @ 1 A | 70 µA @ 20 V | 150 ° C | 1A | 40pf @ 1v, 1 MHz | ||||||||||||
 | BZX79-B20,113 | 0.0200 | | 70 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX79-B20,113-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 14 V | 20 V | 55 ohmios |
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