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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Relación de la capacidad | Condición de Relación de Capacitancia | Q @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZV55-C16,115 | 0.0200 | ![]() | 75 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Llds; Mínimo | descascar | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV55-C16,115-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 11.2 V | 16 V | 40 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | BZV90-C13,115 | 0.1500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | 1.5 W | SOT-223 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV90-C13,115-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 100 na @ 8 V | 13 V | 30 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | BZX84-B24,215 | 0.0200 | ![]() | 255 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX84-B24,215-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 16.8 V | 24 V | 70 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | NZX16C, 133 | 0.0200 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-NZX16C, 133-954 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 50 na @ 11.2 V | 16 V | 45 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | BAS32L, 115 | 0.0200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | Estándar | Llds; Mínimo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BAS32L, 115-954 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 75 V | 1 V @ 100 Ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 200 ° C (Max) | 200 MMA | 2pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||||||
![]() | BZX84-C3V0,215 | 0.0200 | ![]() | 177 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX84-C3V0,215-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 10 µA @ 1 V | 3 V | 95 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | PMEG4002AESFYL | 0.0400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | 0201 (0603 Métrica) | Schottky | DSN0603-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PMEG4002AESFYL-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 40 V | 525 MV @ 200 Ma | 1.25 ns | 80 µA @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | 200 MMA | 18pf @ 1v, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | PDZ3.6b, 115 | 0.0200 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | 400 MW | Sod-323 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PDZ3.6b, 115-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.6 V | 90 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | BZV55-C15,115 | 1.0000 | ![]() | 1636 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Llds; Mínimo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV55-C15,115-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 10.5 V | 15 V | 30 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | BAS40-07,215 | 0.0300 | ![]() | 178 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | BAS40 | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BAS40-07,215-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAP70-02/AX | 0.2300 | ![]() | 66 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | - | Vendedor indefinido | Alcanzar Afectados | 2156-BAP70-02/AX-954 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C18,235 | 0.0200 | ![]() | 124 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX84-C18,235-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 12.6 V | 18 V | 45 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | BZT52H-C6V8,115 | 0.0200 | ![]() | 150 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montaje en superficie | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZT52H-C6V8,115-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 2 µA @ 4 V | 6.8 V | 8 ohmios | |||||||||||||||||
![]() | 1N4744A, 133 | 0.0400 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-1N4744A, 133-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 11.4 V | 15 V | 14 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | BZV55-B27,115 | 0.0200 | ![]() | 125 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Llds; Mínimo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV55-B27,115-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 18.9 V | 27 V | 80 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | TDZ5V6J135 | 0.0300 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotive, AEC-Q101, TDZXJ | Una granela | Obsoleto | ± 1.96% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | TDZ5V6 | 500 MW | Sod-323f | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 2156-TDZ5V6J135 | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,414 | 1.1 V @ 100 Ma | 10 µA @ 2.5 V | 5.6 V | 40 ohmios | |||||||||||||||
![]() | BB131,115 | 0.1000 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | Sod-323 | descascar | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-BB131,115 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 1.055pf @ 28V, 1MHz | Soltero | 30 V | 16 | C0.5/C28 | - | ||||||||||||||||
![]() | BZX79-C5V6,143 | - | ![]() | 5295 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BZX79-C5V6 | 400 MW | ALF2 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 1 µA @ 2 V | 5.6 V | 40 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C36143 | 0.0200 | ![]() | 90 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4531133 | - | ![]() | 9164 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | Estándar | Do-34 | descascar | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 75 V | 1 V @ 10 Ma | 4 ns | 25 na @ 20 V | 200 ° C (Max) | 4PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||
![]() | BZB84-C2V7,215 | - | ![]() | 4810 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZB84-C2V7 | 300 MW | To-236ab | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 20 µA @ 1 V | 2.7 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | BZX84J-C47,115 | - | ![]() | 9645 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 550 MW | Sod-323f | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 32.9 V | 47 V | 90 ohmios | ||||||||||||||||||||
![]() | PZU9.1B2A, 115 | 0.0300 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | 320 MW | Sod-323 | descascar | 0000.00.0000 | 11,632 | 1.1 V @ 100 Ma | 500 na @ 6 V | 9.1 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C15/CH, 235 | 0.0200 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAW56W135 | - | ![]() | 7176 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | Baw56w | descascar | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB84-C68,215 | 1.0000 | ![]() | 6985 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZB84-C68 | 300 MW | To-236ab | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 47.6 V | 68 V | 240 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | BZX884-C2V4315 | - | ![]() | 2439 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX585-B56,115 | - | ![]() | 2618 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | BZX585-B56 | 300 MW | Sod-523 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 39.2 V | 56 V | 200 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | BZV90-C10,115 | 0.1700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | 1.5 W | SOT-223 | descascar | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.745 | 1 V @ 50 Ma | 200 na @ 7 V | 10 V | 20 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | PZU3.9B2L, 315 | - | ![]() | 3873 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Sod-882 | PZU3.9 | 250 MW | DFN1006-2 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 3 µA @ 1 V | 3.9 V | 90 ohmios |
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