RFQ
Proseperar
Contáctenos

Tel: +86-0755-83501315

Correo electrónico:sales@sic-components.com

Iniciar sesión

Español

Diodos (545)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Current - Max	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Resistencia @ if, f
NZX20B, 133	-	RFQ	3245	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	NZX20		500 MW	ALF2	descascar					EAR99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 200 Ma		50 na @ 14 V						20 V	60 ohmios
RD6.2FM (01) -T1 -AZ	-	RFQ	3520	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Obsoleto	± 6.45%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA			1 W	Mini Moho de 2 Potencias	-				2156-RD6.2FM (01) -T1-AZ			1								20 µA @ 3 V						6.2 V	40 ohmios
PMEG2020EJ/ZL135	-	RFQ	1630	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Obsoleto			Montaje en superficie	SC-90, SOD-323F		Schottky		Sod-323f	-				2156-PMEG2020EJ/ZL135			1		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			20 V	525 MV @ 2 A		200 µA @ 20 V	150 ° C	2a	50pf @ 5V, 1 MHz
BAP65LX, 315	0.0800	RFQ	4	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Obsoleto		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Sod-882				-	-				2156-BAP65LX, 315			4.929			100 mA	135 MW							0.37pf @ 20V, 1MHz	PIN - Single	30V			350mohm @ 100 mm, 100MHz
TDZ3V3J, 115	0.0300	RFQ	10	Semiconductorores nxp	Automotive, AEC-Q101, TDZXJ	Una granela	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-90, SOD-323F	TDZ3V3		500 MW	Sod-323f	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-TDZ3V3J, 115-954	EAR99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 100 Ma		5 µA @ 1 V						3.3 V	95 ohmios
PMEG2005AEL, 315	0.0400	RFQ	1	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	Sod-882		Schottky		DFN1006-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PMEG2005AEL, 315-954			1		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			20 V	440 MV @ 500 Ma		1.5 Ma @ 20 V	150 ° C (Máximo)	500mA	25pf @ 1V, 1 MHz
BZV85-C12,113	0.0400	RFQ	19	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	Do-41	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZV85-C12,113-954			1						1 V @ 50 Ma		200 na @ 8.4 V						12 V	10 ohmios
BZX884-B5V1,315	0.0300	RFQ	81	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	Sod-882			250 MW	DFN1006-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX884-B5V1,315-954	EAR99	8541.10.0070	1						900 MV @ 10 Ma		2 µA @ 2 V						5.1 V	60 ohmios
NZX13A, 133	0.0200	RFQ	88	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	ALF2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-NZX13A, 133-954			1						1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 8 V						13 V	35 ohmios
BZV55-B10,115	0.0200	RFQ	351	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 200 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80			500 MW	Llds; Mínimo	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZV55-B10,115-954			1						900 MV @ 10 Ma		200 na @ 7 V						10 V	20 ohmios
BZX79-B10,133	0.0200	RFQ	105	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			400 MW	ALF2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX79-B10,133-954			1						900 MV @ 10 Ma		200 na @ 7 V						10 V	20 ohmios
BZX79-B4V3,113	0.0200	RFQ	140	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			400 MW	ALF2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX79-B4V3,113-954			1						900 MV @ 10 Ma		3 µA @ 1 V						4.3 V	90 ohmios
PDZ2.7B, 115	-	RFQ	2481	Semiconductorores nxp	PDZ-B	Una granela	Activo	± 2%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323			400 MW	Sod-323	-	Rohs no conforme		Vendedor indefinido	2156-PDZ2.7b, 115-954			1						1.1 V @ 100 Ma		20 µA @ 1 V						2.7 V	100 ohmios
BZT52H-C30,115	0.0200	RFQ	157	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TA)	Montaje en superficie	SOD-123F	BZT52		375 MW	SOD-123F	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZT52H-C30,115-954			1						900 MV @ 10 Ma		50 na @ 21 V						30 V	40 ohmios
1PS70SB14,115	0.0300	RFQ	297	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo									descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-1PS70SB14,115-954			10,051
BZX585-C2V7,135	0.0300	RFQ	29	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-79, SOD-523			300 MW	Sod-523	descascar		Vendedor indefinido	Alcanzar sin afectado	2156-BZX585-C2V7,135-954			10,764						1.1 V @ 100 Ma		20 µA @ 1 V						2.7 V	100 ohmios
BAV102,115	0.0300	RFQ	52	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80		Estándar		Llds; Mínimo	descascar			Alcanzar sin afectado	2156-BAV102,115-954			11,357		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)			150 V	1.25 V @ 200 Ma	50 ns	100 na @ 150 V	175 ° C (Máximo)	250 Ma	5PF @ 0V, 1MHz
BZX79-C47,133	0.0200	RFQ	160	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			400 MW	ALF2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX79-C47,133-954			1						900 MV @ 10 Ma		50 na @ 700 mv						47 V	170 ohmios
BZT52H-C6V2,115	0.0200	RFQ	41	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TA)	Montaje en superficie	SOD-123F	BZT52		375 MW	SOD-123F	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZT52H-C6V2,115-954			1						900 MV @ 10 Ma		3 µA @ 4 V						6.2 V	10 ohmios
PZU24B2A, 115	1.0000	RFQ	3445	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	PZU24		320 MW	Sod-323	descascar						0000.00.0000	1						1.1 V @ 100 Ma		50 na @ 19 V						24 V	30 ohmios
BZX585-C9V1,115	0.0300	RFQ	341	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-79, SOD-523			300 MW	Sod-523	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX585-C9V1,115-954			9,947						1.1 V @ 100 Ma		500 na @ 6 V						9.1 V	10 ohmios
BZV85-C4V3,113	0.0300	RFQ	30	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1.3 W	Do-41	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZV85-C4V3,113-954			1						1 V @ 50 Ma		5 µA @ 1 V						4.3 V	13 ohmios
BZV55-B6V8,115	0.0200	RFQ	67	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 200 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80			500 MW	Llds; Mínimo	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZV55-B6V8,115-954			1						900 MV @ 10 Ma		2 µA @ 4 V						6.8 V	15 ohmios
BAT54L, 315	0.0300	RFQ	21	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	Sod-882	BAT54	Schottky		DFN1006-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-bat54l, 315-954	EAR99	8541.10.0070	1		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad			30 V	800 MV @ 100 Ma		2 µA @ 25 V	150 ° C (Máximo)	200 MMA	10pf @ 1v, 1 MHz
1N4749A, 133	0.0400	RFQ	57	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	Do-41	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-1N4749A, 133-954			1						1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 18.2 V						24 V	25 ohmios
PZU20BA, 115	0.0200	RFQ	48	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323			320 MW	Sod-323	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PZU20BA, 115-954			1						1.1 V @ 100 Ma		50 na @ 15 V						20 V	20 ohmios
BZX79-B9V1,133	1.0000	RFQ	9762	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	BZX79-B9V1		400 MW	ALF2	descascar						0000.00.0000	1						900 MV @ 10 Ma		500 na @ 6 V						9.1 V	15 ohmios
BZX84-C51,215	0.0200	RFQ	261	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			250 MW	To-236ab	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BZX84-C51,215-954			1						900 MV @ 10 Ma		50 na @ 35.7 V						51 V	180 ohmios
BZB784-C3V6,115	1.0000	RFQ	3948	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	± 5%	-	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	BZB784-C3V6		180 MW	Sot-323	descascar						0000.00.0000	1	1 par Ánodo Común					900 MV @ 10 Ma		5 µA @ 1 V						3.6 V	90 ohmios
BAS16GW115	1.0000	RFQ	6834	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo					BAS16				descascar					EAR99	8541.10.0070	1

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (545)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²