SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
BZT52H-B3V6,115 NXP Semiconductors BZT52H-B3V6,115 0.0200
RFQ
ECAD 2584 0.00000000 Semiconductorores nxp Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TA) Montaje en superficie SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-BZT52H-B3V6,115-954 4.000 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 1 V 3.6 V 95 ohmios
BZX884-B6V2,315 NXP Semiconductors BZX884-B6V2,315 -
RFQ
ECAD 3976 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie Sod-882 250 MW DFN1006-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-BZX884-B6V2,315-954 EAR99 8541.10.0070 1 900 MV @ 10 Ma 3 µA @ 4 V 6.2 V 10 ohmios
BZX79-C15,133 NXP Semiconductors BZX79-C15,133 0.0200
RFQ
ECAD 244 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 400 MW ALF2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-BZX79-C15,133-954 1 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 10.5 V 15 V 30 ohmios
BZT52H-C12,115 NXP Semiconductors BZT52H-C12,115 0.0200
RFQ
ECAD 27 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Obsoleto ± 5.42% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-BZT52H-C12,115-954 EAR99 8541.10.0070 1 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 8 V 12 V 10 ohmios
BAV99/8,215 NXP Semiconductors BAV99/8,215 -
RFQ
ECAD 9213 0.00000000 Semiconductorores nxp * Una granela Activo BAV99 descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-BAV99/8,215-954 1
BZX84J-B11,115 NXP Semiconductors BZX84J-B11,115 1.0000
RFQ
ECAD 7693 0.00000000 Semiconductorores nxp Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-90, SOD-323F 550 MW Sod-323f descascar 0000.00.0000 1 1.1 V @ 100 Ma 100 na @ 8 V 11 V 10 ohmios
BZV55-C8V2,115 NXP Semiconductors BZV55-C8V2,115 0.0200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 500 MW Llds; Mínimo descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-BZV55-C8V2,115-954 1 900 MV @ 10 Ma 700 na @ 5 V 8.2 V 15 ohmios
BZX384-B11,115 NXP Semiconductors BZX384-B11,115 -
RFQ
ECAD 5376 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 BZX384 300 MW Sod-323 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-BZX384-B11,115-954 1 1.1 V @ 100 Ma 100 na @ 8 V 11 V 20 ohmios
NZH6V8B,115 NXP Semiconductors NZH6V8B, 115 0.0200
RFQ
ECAD 245 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo ± 3% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123F 500 MW SOD-123F descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-NZH6V8B, 115-954 1 900 MV @ 10 Ma 2 µA @ 3.5 V 6.8 V 8 ohmios
BZX79-C75,133 NXP Semiconductors BZX79-C75,133 0.0200
RFQ
ECAD 70 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 400 MW ALF2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-BZX79-C75,133-954 1 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 52.5 V 75 V 255 ohmios
BAT54SW,115 NXP Semiconductors BAT54SW, 115 0.0200
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Semiconductorores nxp Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BAT54 Schottky Sot-323 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-bat54sw, 115-954 EAR99 8541.10.0070 15,000 Conexión de la Serie de 1 par 30 V 200 MMA 800 MV @ 100 Ma 150 ° C (Máximo)
BAW56SRAZ NXP Semiconductors Baw56sraz 0.0300
RFQ
ECAD 6639 0.00000000 Semiconductorores nxp * Una granela Activo Baw56 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-Baw56sraz-954 EAR99 8541.10.0070 1
BZX585-C2V7,135 NXP Semiconductors BZX585-C2V7,135 0.0300
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-79, SOD-523 300 MW Sod-523 descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-BZX585-C2V7,135-954 10,764 1.1 V @ 100 Ma 20 µA @ 1 V 2.7 V 100 ohmios
1PS70SB14,115 NXP Semiconductors 1PS70SB14,115 0.0300
RFQ
ECAD 297 0.00000000 Semiconductorores nxp * Una granela Activo descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-1PS70SB14,115-954 10,051
BZV85-C9V1,113 NXP Semiconductors BZV85-C9V1,113 0.0400
RFQ
ECAD 107 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1.3 W Do-41 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-BZV85-C9V1,113-954 1 1 V @ 50 Ma 700 na @ 6.5 V 9.1 V 5 ohmios
BZX585-B20,115 NXP Semiconductors BZX585-B20,115 -
RFQ
ECAD 2164 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-79, SOD-523 300 MW Sod-523 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-BZX585-B20,115-954 EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 100 Ma 50 na @ 700 mv 20 V 55 ohmios
BZX79-C3V0,133 NXP Semiconductors BZX79-C3V0,133 0.0200
RFQ
ECAD 409 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 400 MW ALF2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-BZX79-C3V0,133-954 1 900 MV @ 10 Ma 10 µA @ 1 V 3 V 95 ohmios
BZV55-B3V9,115 NXP Semiconductors BZV55-B3V9,115 0.0200
RFQ
ECAD 81 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 500 MW Llds; Mínimo descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-BZV55-B3V9,115-954 EAR99 8541.10.0070 1 900 MV @ 10 Ma 3 µA @ 1 V 3.9 V 90 ohmios
BZV49-C47,115 NXP Semiconductors BZV49-C47,115 0.1600
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie To-243AA 1 W Sot-89 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-BZV49-C47,115-954 1 1 V @ 50 Ma 50 na @ 32.9 V 47 V 170 ohmios
PNS40010ER,115 NXP Semiconductors PNS40010er, 115 -
RFQ
ECAD 6908 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo Montaje en superficie SOD-123W Estándar SOD-123W - Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-PNS40010er, 115-954 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 1 µA @ 400 V 175 ° C (Máximo) 1A 20pf @ 4V, 1 MHz
BAS321115 NXP Semiconductors BAS321115 1.0000
RFQ
ECAD 1886 0.00000000 Semiconductorores nxp * Una granela Activo descascar EAR99 8541.10.0070 1
BZB984-C2V4,115 NXP Semiconductors BZB984-C2V4,115 1.0000
RFQ
ECAD 2756 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo ± 5% - Montaje en superficie SOT-663 BZB984-C2V4 265 MW SOT-663 descascar 0000.00.0000 1 1 par Ánodo Común 900 MV @ 10 Ma 50 µA @ 1 V 2.4 V 70 ohmios
NZX9V1C,133 NXP Semiconductors NZX9V1C, 133 -
RFQ
ECAD 5504 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW ALF2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-NZX9V1C, 133-954 1 1.5 V @ 200 Ma 500 na @ 6 V 9.1 V 20 ohmios
BZX79-C13,133 NXP Semiconductors BZX79-C13,133 0.0200
RFQ
ECAD 170 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 400 MW ALF2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-BZX79-C13,133-954 1 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 8 V 13 V 30 ohmios
BZX79-B15143 NXP Semiconductors BZX79-B15143 -
RFQ
ECAD 2053 0.00000000 Semiconductorores nxp BZX79 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 400 MW ALF2 - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-BZX79-B15143-954 1 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 10.5 V 15 V 30 ohmios
BZV90-C51,115 NXP Semiconductors BZV90-C51,115 -
RFQ
ECAD 8346 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA 1.5 W SOT-223 descascar EAR99 8541.10.0050 1 1 V @ 50 Ma 50 na @ 35.7 V 51 V 180 ohmios
BZT52H-B68,115 NXP Semiconductors BZT52H-B68,115 -
RFQ
ECAD 6010 0.00000000 Semiconductorores nxp Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TA) Montaje en superficie SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-BZT52H-B68,115-954 1 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 47.6 V 68 V 160 ohmios
BZX79-C3V6,133 NXP Semiconductors BZX79-C3V6,133 0.0200
RFQ
ECAD 620 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 400 MW ALF2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-BZX79-C3V6,133-954 1 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 1 V 3.6 V 90 ohmios
BZX884-B68,315 NXP Semiconductors BZX884-B68,315 0.0300
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie Sod-882 250 MW DFN1006-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-BZX884-B68,315-954 EAR99 8541.10.0070 1 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 47.6 V 68 V 240 ohmios
NZX6V2A,133 NXP Semiconductors NZX6V2A, 133 0.0200
RFQ
ECAD 218 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW ALF2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-NZX6V2A, 133-954 1 1.5 V @ 200 Ma 3 µA @ 4 V 6.2 V 15 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock