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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZX79-C2V4,113 | 0.0200 | ![]() | 317 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX79-C2V4,113-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 µA @ 1 V | 2.4 V | 100 ohmios | |||
![]() | BZX884-C2V4,315 | - | ![]() | 7068 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Sod-882 | 250 MW | DFN1006-2 | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX884-C2V4,315-954 | 3,200 | 900 MV @ 10 Ma | 50 µA @ 1 V | 2.4 V | 100 ohmios | |||||
![]() | PMBD7100,215 | 0.0200 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PMBD7100,215-954 | 1 | |||||||||||||||
![]() | PZU27B, 115 | 0.0300 | ![]() | 1401 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 310 MW | Sod-323f | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-Pzu27b, 115-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 30 | 1.1 V @ 100 Ma | 50 na @ 21 V | 27 V | 40 ohmios | |||
![]() | PZU8.2bl, 315 | 0.0300 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Sod-882 | 250 MW | DFN1006-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-Pzu8.2bl, 315-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 500 na @ 5 V | 8.2 V | 10 ohmios | |||
![]() | BZT52H-C20,115 | 0.0200 | ![]() | 129 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montaje en superficie | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZT52H-C20,115-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 14 V | 20 V | 20 ohmios | ||||
![]() | PZU7.5B, 115 | 0.0300 | ![]() | 110 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 310 MW | Sod-323f | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PZU7.5B, 115-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 500 na @ 4 V | 7.5 V | 10 ohmios | |||
![]() | NZH3V3A, 115 | 0.0200 | ![]() | 52 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 3% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123F | 500 MW | SOD-123F | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-NZH3V3A, 115-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 20 µA @ 1 V | 3.3 V | 70 ohmios | |||||
![]() | BZV55-C18,115 | 0.0200 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Llds; Mínimo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV55-C18,115-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 12.6 V | 18 V | 45 ohmios | |||||
![]() | BYV32E-200,127 | - | ![]() | 7891 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | BYV32 | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-byv32e-200,127-954 | EAR99 | 8541.10.0080 | 381 | ||||||||||||
![]() | BZV85-C3V6,133 | 0.0300 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.3 W | Do-41 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV85-C3V6,133-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 50 µA @ 1 V | 3.6 V | 15 ohmios | |||||
![]() | BZX84-A4V3,215 | 0.1000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX84-A4V3,215-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 3 µA @ 1 V | 4.3 V | 90 ohmios | |||||
![]() | BZB84-C3V0,215 | 0.0200 | ![]() | 149 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 MW | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZB84-C3V0,215-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 10 µA @ 1 V | 3 V | 95 ohmios | ||
![]() | BZX84-B3V3,215 | 1.0000 | ![]() | 1891 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | To-236ab | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX84-B3V3,215-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 V | 95 ohmios | |||||
![]() | BZX79-C33,133 | 0.0200 | ![]() | 510 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX79-C33,133-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 700 mv | 33 V | 80 ohmios | |||||
![]() | BZX79-B5V1,113 | 0.0200 | ![]() | 140 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX79-B5V1,113-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 2 µA @ 2 V | 5.1 V | 60 ohmios | |||||
![]() | PZU7.5B3,115 | 0.0300 | ![]() | 33 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 310 MW | Sod-323f | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-PZU7.5B3,115-954 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 500 na @ 4 V | 7.5 V | 10 ohmios | |||||
![]() | BZV55-B2V4,115 | 0.0200 | ![]() | 145 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Llds; Mínimo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV55-B2V4,115-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 µA @ 1 V | 2.4 V | 100 ohmios | |||||
![]() | BZV85-C62,133 | 0.0300 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.3 W | Do-41 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZV85-C62,133-954 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 50 na @ 43 V | 62 V | 175 ohmios | |||||
![]() | TDZ5V6J/ZL, 135 | 0.0300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotive, AEC-Q101, TDZXJ | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | TDZ5V6 | 500 MW | Sod-323f | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-TDZ5V6J/ZL, 135-954 | 1 | 1.1 V @ 100 Ma | 10 µA @ 2.5 V | 5.6 V | 40 ohmios | ||||
![]() | BZB984-C6V8,115 | 0.0400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | SOT-663 | 265 MW | SOT-663 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZB984-C6V8,115-954 | 1 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 2 µA @ 4 V | 6.8 V | 6 ohmios | ||||
![]() | BZX884-B30,315 | 0.0300 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Sod-882 | 250 MW | DFN1006-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX884-B30,315-954 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 21 V | 30 V | 80 ohmios | |||
![]() | BZT52H-C7V5,115 | 0.0200 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montaje en superficie | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZT52H-C7V5,115-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 1 µA @ 5 V | 7.5 V | 10 ohmios | ||||
![]() | NZX22C, 133 | 0.0200 | ![]() | 84 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-NZX22C, 133-954 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 50 na @ 15.4 V | 22 V | 65 ohmios | |||||
![]() | BZX884-B68,315 | 0.0300 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Sod-882 | 250 MW | DFN1006-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX884-B68,315-954 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 47.6 V | 68 V | 240 ohmios | |||
![]() | BZX884-B2V4,315 | - | ![]() | 7880 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Sod-882 | 250 MW | DFN1006-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX884-B2V4,315-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 µA @ 1 V | 2.4 V | 100 ohmios | |||||
![]() | PMEG6010ESBC, 315 | 0.0300 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | PMEG6010 | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-PMEG6010ESBC, 315-954 | 1 | ||||||||||||||
![]() | BZX79-B27,143 | 0.0200 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | ALF2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZX79-B27,143-954 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 50 na @ 18.9 V | 27 V | 80 ohmios | |||||
![]() | BAT754C, 215 | 0.0500 | ![]() | 530 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | * | Una granela | Activo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-bat754c, 215-954 | 6,138 | |||||||||||||||
![]() | BZB984-C13,115 | 0.0400 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Semiconductorores nxp | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | SOT-663 | 265 MW | SOT-663 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-BZB984-C13,115-954 | 1 | 1 par Ánodo Común | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 8 V | 13 V | 10 ohmios |
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