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Diodos (166326)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
SMBG4736A/TR13 Microsemi Corporation SMBG4736A/TR13 -
RFQ
 ECAD 7255 0.00000000 Corpacia microsemi - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB SMBG4736 2 W SMBG (DO-215AA) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 4 V 6.8 V 3.5 ohmios
DB2440200L Panasonic Electronic Components DB2440200L -
RFQ
 ECAD 5897 0.00000000 Componentes Electrónicos de Panasonic - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie SOD-128 DB24402 Schottky Tminip2-F2-B - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 470 MV @ 2 A 15 ns 250 µA @ 40 V 150 ° C (Máximo) 2a 50pf @ 10V, 1 MHz
MBRF10150CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRF10150CTH 0.5650
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 ECAD 3425 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA MBRF10150 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MBRF10150CTH EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 10A 980 MV @ 10 A 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
JANTX1N3824A-1/TR Microchip Technology Jantx1n3824a-1/tr 7.7672
RFQ
 ECAD 6191 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/115 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TA) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1 W Do-41 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantX1N3824A-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 1 V 4.3 V 9 ohmios
BAT54AH-TP Micro Commercial Co BAT54AH-TP 0.0592
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 ECAD 4770 0.00000000 Micro Commercial Co - Una granela Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 Schottky Sot-23 descascar 353-bat54AH-TP EAR99 8541.10.0070 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 40 V 300mA 900 MV @ 100 Ma 5 ns 1 µA @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N5819-BP Micro Commercial Co 1N5819-BP 0.0591
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 ECAD 5413 0.00000000 Micro Commercial Co - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N5819 Schottky Do-41 descascar 353-1N5819-BP EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 600 MV @ 1 A 10 ns 1 ma @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A 110pf @ 4V, 1MHz
NTE6247 NTE Electronics, Inc NTE6247 10.4100
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 ECAD 72 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo A Través del Aguetero Top-3 Estándar Top3 descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE6247 EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.5 V @ 15 A 60 ns 10 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 15A -
SB4050PT_T0_00001 Panjit International Inc. SB4050PT_T0_00001 0.8478
RFQ
 ECAD 5327 0.00000000 Panjit International Inc. SB4020PT Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 SB4050 Schottky TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3757-SB4050PT_T0_00001 EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 50 V 40A 700 MV @ 20 A 200 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
PUAD8B Taiwan Semiconductor Corporation Puad8b 0.8600
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 ECAD 1745 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Estándar Thindpak - 1 (ilimitado) 4.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1 v @ 8 a 25 ns 2 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C 8A 101pf @ 4V, 1 MHz
MC5608 Microchip Technology MC5608 -
RFQ
 ECAD 1630 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-MC5608 1
MSASC150H60LS/TR Microchip Technology MSASC150H60LS/TR -
RFQ
 ECAD 7048 0.00000000 Tecnología de Microchip * Tape & Reel (TR) Activo - Alcanzar sin afectado 150-MSASC150H60LS/TR 100
GR3D Yangjie Technology Gr3d 0.0740
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 Tecnología yangjie - Tape & Reel (TR) Activo - Cumplimiento de Rohs Alcanzar sin afectado 4617-gr3dtr EAR99 3.000
SS54B Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd Ss54b 0.4200
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 ECAD 1115 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB Schottky DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 600 MV @ 5 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 5A -
SBR10200CTL-13 Diodes Incorporated SBR10200CTL-13 0.7000
RFQ
 ECAD 448 0.00000000 Diodos incorporados SBR® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SBR10200 Super Barrera Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 5A 940 MV @ 5 A 100 µA @ 200 V -65 ° C ~ 150 ° C
RS2B-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division Rs2b-e3/52t 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB Rs2b Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 750 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.3 V @ 1.5 A 150 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 20pf @ 4V, 1 MHz
NRVBSS24T3G onsemi Nrvbss24t3g -
RFQ
 ECAD 9955 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-214AA, SMB Nrvbss2 Schottky SMB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 500 MV @ 2 A 400 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a -
S4JH Taiwan Semiconductor Corporation S4JH 0.1868
RFQ
 ECAD 4577 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-S4JHTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.15 v @ 4 a 1.5 µs 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 4A 60pf @ 4V, 1MHz
P2000ATL Diotec Semiconductor P2000ATL 1.0087
RFQ
 ECAD 3225 0.00000000 Semiconductor diotec - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero P600, axial Estándar P600 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable 2796-P2000ATLTR 8541.10.0000 1,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.1 V @ 20 A 1.5 µs 10 µA @ 5 V -50 ° C ~ 175 ° C 20A -
LSC10065Q8 Diodes Incorporated LSC10065Q8 -
RFQ
 ECAD 6886 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto Montaje en superficie 4-Powertsfn Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY DFN8080 - 31-LSC10065Q8 Obsoleto 1 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.7 V @ 10 A 0 ns 250 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 10A -
RA356 Diotec Semiconductor RA356 0.3707
RFQ
 ECAD 3884 0.00000000 Semiconductor diotec - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Real Academia de Bellas Artes Estándar Real Academia de Bellas Artes descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable 2796-RA356TR 8541.10.0000 10,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 V @ 80 A 1.5 µs 5 µA @ 600 V -50 ° C ~ 175 ° C 35a -
S8GC R6 Taiwan Semiconductor Corporation S8GC R6 -
RFQ
 ECAD 1407 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-S8GCR6TR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 985 MV @ 8 A 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A 48pf @ 4V, 1 MHz
VX60202PW-M3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division VX60202PW-M3/P 5.2100
RFQ
 ECAD 429 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 Schottky Un 247ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 112-VX60202PW-M3/P EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 30A 840 MV @ 30 A 200 µA @ 200 V -40 ° C ~ 175 ° C
MBRB1045T4 onsemi MBRB1045T4 -
RFQ
 ECAD 7154 0.00000000 onde Switchmode ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRB1045 Schottky D²pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 840 MV @ 20 A 100 µA @ 45 V 10A -
G3S06506C Global Power Technology Co. Ltd G3S06506C -
RFQ
 ECAD 1336 0.00000000 Global Power Technology Co. Ltd - Una granela Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Un 252 - Vendedor indefinido 4436-G3S06506C 1 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.7 v @ 6 a 0 ns 50 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 22.5a 424pf @ 0V, 1MHz
MBRS1660 Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1660 0.6433
RFQ
 ECAD 1362 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRS1660 Schottky TO-263AB (D2PAK) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MBRS1660TR EAR99 8541.10.0080 1.600 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 750 MV @ 16 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A -
ES3D Diotec Semiconductor ES3D 0.3775
RFQ
 ECAD 4615 0.00000000 Semiconductor diotec - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar SMC (DO-214AB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2796-ES3DTR 8541.10.0000 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 900 MV @ 3 A 20 ns 5 µA @ 200 V -50 ° C ~ 150 ° C 3A -
1N4447 onsemi 1N4447 0.1400
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 onde - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N4447 Estándar Do-35 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 175 ° C (Máximo) - -
BYVB32-150-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYVB32-150-E3/81 1.0050
RFQ
 ECAD 4982 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab BYVB32 Estándar To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 18A 1.15 V @ 20 A 25 ns 10 µA @ 150 V -65 ° C ~ 150 ° C
MBRS15200CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBRS15200CT-Y 0.4888
RFQ
 ECAD 4782 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRS15200 Schottky TO-263AB (D2PAK) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MBRS15200CT-YTR EAR99 8541.10.0080 1.600 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 15A 950 MV @ 7.5 A 100 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR2060DC_R2_00001 Panjit International Inc. MBR2060DC_R2_00001 0.8400
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 Panjit International Inc. MBR2040DC Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBR2060 Schottky Un 263 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3757-MBR2060DC_R2_00001CT EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 20A 750 MV @ 10 A 50 µA @ 60 V -50 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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