SIC
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Diodos (168966)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
ES2K Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd ES2K 0.3000
RFQ
 ECAD 8502 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.85 v @ 2 a 35 ns 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 12PF @ 4V, 1MHz
KBPC1510 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd KBPC1510 1.7700
RFQ
 ECAD 4796 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - Caja Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrados, KBPC-8 Estándar KBPC8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 50 1.1 V @ 7.5 A 10 µA @ 1000 V 15 A Fase única 1 kV
GBJ1006 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GBJ1006 0.8200
RFQ
 ECAD 6277 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBJ Estándar GBJ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 750 1 v @ 5 a 5 µA @ 600 V 10 A Fase única 600 V
D3UB80 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd D3ub80 0.4500
RFQ
 ECAD 4247 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-ESIP Estándar D3K descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 1.500 1 V @ 1.5 A 5 µA @ 800 V 3 A Fase única 800 V
MB6SA Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd MB6SA 0.2800
RFQ
 ECAD 4118 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Estándar MBS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 2.500 1 V @ 500 Ma 5 µA @ 600 V 800 Ma Fase única 600 V
RBV806 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV806 1.2500
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - Bolsa Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, RBV-25 Estándar RBV-25 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Información de Alcance Disponible A Pedido 2439-RBV806 8541.10.0000 100 1 v @ 4 a 10 µA @ 600 V 8 A Fase única 600 V
RBV5002 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV5002 1.8300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - Bolsa Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, RBV-25 Estándar RBV-25 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Información de Alcance Disponible A Pedido 2439-RBV5002 8541.10.0000 100 1.1 v @ 25 a 10 µA @ 200 V 50 A Fase única 200 V
RBV1510 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV1510 1.6100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - Bolsa Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, RBV-25 Estándar RBV-25 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Información de Alcance Disponible A Pedido 2439-RBV1510 8541.10.0000 100 1.1 V @ 7.5 A 10 µA @ 1000 V 15 A Fase única 1 kV
RBV2501 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV2501 1.6400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - Bolsa Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, RBV-25 Estándar RBV-25 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Información de Alcance Disponible A Pedido 2439-RBV2501 8541.10.0000 100 1.1 V @ 12.5 A 10 µA @ 100 V 25 A Fase única 100 V
RBV3506 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV3506 2.8100
RFQ
 ECAD 900 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - Bolsa Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, RBV-25 Estándar RBV-25 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Información de Alcance Disponible A Pedido 2439-RBV3506 8541.10.0000 100 1.1 V @ 17.5 A 10 µA @ 600 V 35 A Fase única 600 V
RBV5004 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV5004 3.0000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC Semiconductor Inc. - Bolsa Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, RBV-25 Estándar RBV-25 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Información de Alcance Disponible A Pedido 2439-RBV5004 8541.10.0000 100 1.1 v @ 25 a 10 µA @ 400 V 50 A Fase única 400 V
MBRF1040CT-HF Comchip Technology MBRF1040CT-HF -
RFQ
 ECAD 1157 0.00000000 Tecnología de Collip - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 MBRF1040 Schottky ITO-220AB - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 641-MBRF1040CT-HF Obsoleto 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 40 V 10A 650 MV @ 5 A 100 µA @ 40 V 175 ° C
DF02S-T Diodes Incorporated DF02S-T 0.1607
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota DF02 Estándar DF-S descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 1.500 1.1 v @ 1 a 10 µA @ 200 V 1 A Fase única 200 V
GBJ25005-F Diodes Incorporated GBJ25005-F 1.6693
RFQ
 ECAD 2076 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBJ GBJ25005 Estándar GBJ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 15 1.05 V @ 12.5 A 10 µA @ 50 V 25 A Fase única 50 V
PD3Z284C3V9-7 Diodes Incorporated PD3Z284C3V9-7 0.1465
RFQ
 ECAD 2394 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.13% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie PowerDi ™ 323 PD3Z284 500 MW PowerDi ™ 323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.1 V @ 100 Ma 3 µA @ 1 V 3.9 V 90 ohmios
DDB6U104N16RRB37BOSA1 Infineon Technologies DDB6U104N16RRB37BOSA1 -
RFQ
 ECAD 9551 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Descontinuado en sic Ddb6u104 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 10
DDB6U180N16RRPB37BPSA1 Infineon Technologies DDB6U180N16RRPB37BPSA1 185.9900
RFQ
 ECAD 6647 0.00000000 Infineon Technologies ECONOPACK ™ 2 Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo Ddb6u180 Estándar Ag-ECONO2-7 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10 2.15 V @ 50 A 1 ma @ 1600 V 50 A Fase triple 1.6 kV
CD0603-B0340R Bourns Inc. CD0603-B0340R 0.3900
RFQ
 ECAD 330 0.00000000 Bourns Inc. - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 0603 (1608 Métrica) CD0603 Schottky 0603 (1608 Métrica) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 200 Ma 50 µA @ 10 V -40 ° C ~ 125 ° C 300mA 35pf @ 4V, 1MHz
APT10SCE170B Microsemi Corporation Apt10sce170b -
RFQ
 ECAD 6495 0.00000000 Corpacia microsemi - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero To-247-2 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY To-247 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1700 V 1.8 V @ 10 A 0 ns 200 µA @ 1700 V -55 ° C ~ 175 ° C 23A 1120pf @ 0V, 1MHz
CMH02A(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH02A (TE12L, Q, M) -
RFQ
 ECAD 2840 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SOD-128 CMH02A Estándar M-FLAT (2.4x3.8) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) CMH02A (TE12LQM) EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.8 V @ 3 A 100 ns 10 µA @ 400 V -40 ° C ~ 150 ° C 3A -
CRS30I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS30I30A (TE85L, QM 0.5000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123F CRS30I30 Schottky S-FLAT (1.6x3.5) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 490 MV @ 3 A 100 µA @ 30 V 150 ° C (Máximo) 3A 82pf @ 10V, 1 MHz
CRZ18(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ18 (TE85L, Q, M) 0.4900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F CRZ18 700 MW S-FLAT (1.6x3.5) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 Ma 10 µA @ 13 V 18 V 30 ohmios
CUS10I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CUS10I40A (TE85L, QM -
RFQ
 ECAD 1671 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-76, SOD-323 Cus10i40 Schottky US-Flat (1.25x2.5) descascar Cumplimiento de Rohs CUS10I40A (TE85LQM EAR99 8541.10.0080 4.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 490 MV @ 700 Ma 60 µA @ 40 V 150 ° C (Máximo) 1A 35pf @ 10V, 1 MHz
BZG03B11-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03B11-M3-08 0.2228
RFQ
 ECAD 8283 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos BZG03B-M Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA Bzg03b11 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 6,000 1.2 V @ 500 Ma 4 µA @ 8.2 V 11 V 7 ohmios
BZG03B120-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03B120-HM3-08 0.2310
RFQ
 ECAD 9617 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, BZG03B-M Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA BZG03B120 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 6,000 1.2 V @ 500 Ma 1 µA @ 91 V 120 V 250 ohmios
BZG03B15-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03B15-M3-18 0.2228
RFQ
 ECAD 5465 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos BZG03B-M Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA BZG03B15 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 6,000 1.2 V @ 500 Ma 1 µA @ 11 V 15 V 10 ohmios
BZG03B30-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03B30-M3-18 0.2228
RFQ
 ECAD 2705 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos BZG03B-M Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA BZG03B30 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 6,000 1.2 V @ 500 Ma 1 µA @ 22 V 30 V 15 ohmios
BZG03B33-HM3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03B33-HM3-18 0.2310
RFQ
 ECAD 5284 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, BZG03B-M Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA BZG03B33 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 6,000 1.2 V @ 500 Ma 1 µA @ 24 V 33 V 15 ohmios
BZG03C13-HM3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03C13-HM3-18 0.1898
RFQ
 ECAD 9705 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, BZG03C-M Tape & Reel (TR) Activo ± 6.54% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA BZG03C13 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 6,000 1.2 V @ 500 Ma 2 µA @ 10 V 13 V 10 ohmios
BZG03C15-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03C15-M3-08 0.5000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos BZG03C-M Tape & Reel (TR) Activo ± 6% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA BZG03C15 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 1.2 V @ 500 Ma 1 µA @ 11 V 15 V 10 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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