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Diodos (166326)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
1N5370BE3/TR12 Microchip Technology 1N5370BE3/TR12 2.6850
RFQ
 ECAD 4500 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero T-18, axial 1N5370 5 W T-18 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 1 a 500 na @ 40.3 V 56 V 35 ohmios
JANTX1N6639US/TR Microchip Technology Jantx1n6639us/tr 9.3100
RFQ
 ECAD 3200 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/609 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SQ-Melf, D Estándar D-5D - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantX1N6639US/TR EAR99 8541.10.0070 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 75 V 1.2 V @ 300 Ma 4 ns 100 na @ 75 V -65 ° C ~ 175 ° C 300mA -
ES1ALHRUG Taiwan Semiconductor Corporation Es1alhrug -
RFQ
 ECAD 3104 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB ES1A Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
1N5264 Microchip Technology 1N5264 2.1000
RFQ
 ECAD 3406 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - Alcanzar sin afectado 150-1N5264 EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 44 V 60 V 170 ohmios
SMPZ3920B-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMPZ3920B-M3/84A 0.0901
RFQ
 ECAD 9590 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos ESMP® Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO220AA SMPZ3920 500 MW DO-220AA (SMP) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.5 V @ 200 Ma 200 µA @ 4 V 6.2 V 2 ohmios
BZD27B13P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B13P-E3-08 0.1155
RFQ
 ECAD 1504 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Bzd27b Tape & Reel (TR) Activo - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-219AB BZD27 800 MW DO-219AB (SMF) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 30,000 1.2 v @ 200 ma 2 µA @ 10 V 13 V 10 ohmios
1N5234B Taiwan Semiconductor Corporation 1N5234B 0.0271
RFQ
 ECAD 1477 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5234 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-1N5234BTR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 Ma 5 µA @ 4 V 6.2 V 7 ohmios
MMSZ5251C-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5251C-HE3-18 0.0454
RFQ
 ECAD 1199 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ5251 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 17 V 22 V 29 ohmios
BZX84C2V4LYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C2V4LYFHT116 0.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor rohm Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 8.33% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 50 µA @ 1 V 2.4 V 100 ohmios
SCBH2 Semtech Corporation SCBH2 -
RFQ
 ECAD 7358 0.00000000 Corpacia semtech - Una granela Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis 4 Cuadrado SCBH2 Estándar - descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 1 1 v @ 3 a 2 µA @ 200 V 4 A Fase única 200 V
RA201236XX Powerex Inc. RA201236XX -
RFQ
 ECAD 5968 0.00000000 Powerex Inc. - Una granela Activo Monte del Chasis Do-200ad RA201236 Estándar POW-R-DISC descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.15 V @ 3000 A 22 µs 200 mA @ 1200 V 3600A -
CDLL5534D/TR Microchip Technology CDLL5534D/TR 16.3950
RFQ
 ECAD 3802 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AA 500 MW DO-213AA - Alcanzar sin afectado 150-CDLL5534D/TR EAR99 8541.10.0050 100 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 12.6 V 14 V 100 ohmios
JANHCA1N4618 Microchip Technology Janhca1n4618 12.1695
RFQ
 ECAD 5396 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AA, do-7, axial 500 MW DO-7 (DO-204AA) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JANHCA1N4618 EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 1 µA @ 1 V 2.7 V 1500 ohmios
CZRER52C6V8-HF Comchip Technology CZRER52C6V8-HF -
RFQ
 ECAD 8452 0.00000000 Tecnología de Collip - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie 0503 (1308 Métrica) 150 MW 0503 (1308 Métrica) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 4.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 3 V 6.8 V 8 ohmios
MMXZ5244C-TP Micro Commercial Co MMXZ5244C-TP 0.0488
RFQ
 ECAD 3000 0.00000000 Micro Commercial Co - Una granela Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-76, SOD-323 MMXZ5244 200 MW Sod-323 descascar 353-mmxz5244c-tp EAR99 8541.10.0050 1 900 MV @ 100 Ma 100 na @ 10.5 V 14 V 15 ohmios
GSIB1540N-M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GSIB1540N-M3/45 1.8371
RFQ
 ECAD 5936 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GSIB-5S GSIB1540 Estándar GSIB-5S descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.200 950 MV @ 7.5 A 10 µA @ 400 V 15 A Fase única 400 V
JANTXV1N6344D Microchip Technology Jantxv1n6344d 46.9200
RFQ
 ECAD 3022 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - Alcanzar sin afectado 150-jantxv1n6344d EAR99 8541.10.0050 1 1.4 v @ 1 a 50 na @ 52 V 68 V 155 ohmios
JAN1N4107UR-1/TR Microchip Technology Jan1n4107ur-1/TR 5.1870
RFQ
 ECAD 4603 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-ENERO1N4107UR-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 50 na @ 9.9 V 13 V 200 ohmios
BZX384C75-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C75-G3-08 0.0389
RFQ
 ECAD 4062 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos BZX384-G Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 BZX384C75 200 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 15,000 50 na @ 52.5 V 75 V 255 ohmios
CDS5540B-1 Microchip Technology CDS5540B-1 -
RFQ
 ECAD 6165 0.00000000 Tecnología de Microchip * Una granela Activo - Alcanzar sin afectado 150-CDS5540B-1 EAR99 8541.10.0050 50
JANTXV1N4994US/TR Microchip Technology Jantxv1n4994us/tr -
RFQ
 ECAD 8134 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/356 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, E 5 W E-Mada descascar 150-jantxv1n4994us/tr EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µA @ 251 V 330 V 1175 ohmios
BZX84C18-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BZX84C18-AU_R1_000A1 0.2100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. Automotive, AEC-Q101, BZX84C2V4-AU Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 410 MW Sot-23 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3757-BZX84C18-AU_R1_000A1DKR EAR99 8541.10.0050 3.000 100 na @ 12.6 V 18 V 45 ohmios
JAN1N4992US.TR Semtech Corporation Jan1n4992us.tr -
RFQ
 ECAD 1040 0.00000000 Corpacia semtech MIL-PRF-19500/356 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 4.81% -55 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Mel 5 W - - 600-Enero1n4992us.tr EAR99 8541.10.0050 250 2 µA @ 206 V 270 V 800 ohmios
SCAJ6 Semtech Corporation Scaj6 -
RFQ
 ECAD 2324 0.00000000 Corpacia semtech - Una granela Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis 4 Cuadrado Estándar - descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 1 1.1 v @ 1 a 2 µA @ 600 V 2 A Fase única 600 V
JAN1N5538DUR-1/TR Microchip Technology Jan1N5538Dur-1/TR 32.1993
RFQ
 ECAD 8541 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/437 Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 500 MW DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-Enero1n5538dur-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 16.2 V 18 V 100 ohmios
1N5947CP/TR12 Microsemi Corporation 1N5947CP/TR12 -
RFQ
 ECAD 7937 0.00000000 Corpacia microsemi - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N5947 1.5 W DO-204Al (DO-41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 4.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 62.2 V 82 V 160 ohmios
MMSZ4689ET3 onsemi Mmsz4689et3 -
RFQ
 ECAD 9024 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ46 500 MW SOD-123 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 900 MV @ 10 Ma 10 µA @ 3 V 5.1 V
BZT52-C3_R1_00001 Panjit International Inc. BZT52-C3_R1_00001 0.1500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 BZT52 410 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3757-BZT52-C3_R1_00001DKR EAR99 8541.10.0050 3.000 50 µA @ 1 V 3 V 95 ohmios
1N5948CP/TR8 Microsemi Corporation 1N5948CP/TR8 -
RFQ
 ECAD 4260 0.00000000 Corpacia microsemi - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N5948 1.5 W DO-204Al (DO-41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 69.2 V 91 V 200 ohmios
1N5345B Diotec Semiconductor 1N5345B 0.2073
RFQ
 ECAD 7673 0.00000000 Semiconductor diotec - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero DO-201AA, DO-27, AXIAL 5 W DO-2010 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 2796-1N5345BTR 8541.10.0000 1.700 10 µA @ 6.6 V 8.7 V 2 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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