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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Ss215hr5g | - | ![]() | 2997 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SS215 | Schottky | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 950 MV @ 2 A | 100 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | - | ||||||||||
![]() | Jans1n4477us/tr | 92.0400 | ![]() | 4176 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | - | 150-jans1n4477us/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 v @ 1 a | 50 na @ 26.4 V | 33 V | 25 ohmios | ||||||||||||||
![]() | CD3A20 | 9.1500 | ![]() | 1292 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Morir | Schottky | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD3A20 | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 550 MV @ 3 A | 100 µA @ 20 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 3A | - | |||||||||||
![]() | RB085T-60NZC9 | 2.0200 | ![]() | 980 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | RB085 | Schottky | Un 220FN | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RB085T-60NZC9 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 10A | 580 MV @ 5 A | 300 µA @ 60 V | 150 ° C | |||||||||
![]() | RB160QS-40T18R | 0.4400 | ![]() | 68 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 2-smd, sin plomo | RB160 | Schottky | SMD1006 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 18,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 650 MV @ 1.5 A | 20 µA @ 40 V | 150 ° C | 1.5a | - | ||||||||||
![]() | FR3D_R1_00001 | 0.3700 | ![]() | 660 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Fr3d | Estándar | SMC (DO-214AB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 3 A | 150 ns | 1 µA @ 200 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | UFT1500S-AQ | 1.6691 | ![]() | 9754 | 0.00000000 | Semiconductor diotec | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO20AC | - | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Vendedor indefinido | 2796-UFT1500S-AQ | 8541.10.0000 | 1,000 | 1200 V | 15A | ||||||||||||||||||
![]() | MUR1040CD | 0.7000 | ![]() | 8468 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Estándar | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 400 V | 10A | 1.25 v @ 5 a | 35 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | UTR3310/TR | 13.0200 | ![]() | 1063 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | B, axial | Polaridad Inversa Estándar | B, axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-UTR3310/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.1 v @ 3 a | 250 ns | 5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | 400pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||
![]() | SS58B | 0.0690 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-SS58BTR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||
![]() | MBRB10150CT-TP | 0.5639 | ![]() | 6109 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRB10150 | Schottky | D2pak | descascar | 353-MBRB10150CT-TP | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 150 V | 10A | 920 MV @ 5 A | 50 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
BZX84B36W | 0.0180 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-BZX84B36WTR | EAR99 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6660D | 183.2850 | ![]() | 8216 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Un 254-3, un 254AA | 1N6660 | Schottky | Un 254AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N6660D | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 45 V | 15A | 750 MV @ 15 A | 1 ma @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | Sk36bh-ltp | 0.0773 | ![]() | 6369 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | Sk36 | Schottky | DO-214AA (SMB) | descascar | 353-SK36BH-LTP | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 750 MV @ 3 A | 100 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||||||
![]() | BZX84B4V3Q | 0.0290 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Tecnología yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | Alcanzar sin afectado | 4617-BZX84B4V3QTR | EAR99 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N662A TR | - | ![]() | 7713 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | Estándar | Do-7 | - | 1514-1N662ATR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 80 V | 1 V @ 100 Ma | 300 ns | 20 µA @ 75 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 150 Ma | - | ||||||||||||
![]() | FSM13PL-TP | 0.0474 | ![]() | 8608 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | FSM13 | Estándar | SOD-123FL | descascar | 353-FSM13PL-TP | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | G3S12005A | - | ![]() | 1389 | 0.00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO20AC | - | Vendedor indefinido | 4436-G3S12005A | 1 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1200 V | 1.7 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 22A | 475pf @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | MBR20150CD-HF | 0.4666 | ![]() | 7407 | 0.00000000 | Tecnología de Collip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | MBR20150 | Schottky | D-Pak (A 252) | - | 1 (ilimitado) | 641-MBR20150CD-HFTR | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 150 V | 20A | 920 MV @ 10 A | 50 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||
![]() | 1SS196-TP | 0.0633 | ![]() | 6625 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 1SS196 | Estándar | Sot-23 | descascar | 353-1SS196-TP | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 80 V | 1.2 V @ 100 Ma | 4 ns | 500 na @ 80 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 100mA | 3PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||
![]() | SA264 | 0.2154 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Semiconductor diotec | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | Estándar | Melf do-213ab | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2796-SA264TR | 8541.10.0000 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1800 V | 1.8 V @ 2 A | 500 ns | 5 µA @ 1800 V | -50 ° C ~ 175 ° C | 2a | - | |||||||||||
![]() | RB751SL | - | ![]() | 3042 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | Sod-923 | Schottky | Sod-923f | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-RB751SL-600039 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 30 V | 370 MV @ 1 MA | 8 ns | 500 na @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 30mera | 2.5pf @ 1v, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | Jankca1n5543b | - | ![]() | 1291 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jankca1n5543b | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 22.4 V | 25 V | 100 ohmios | ||||||||||||
![]() | PMEG150G20ELP-QX | 0.4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | Sige (Silicio Germanio) | SOD-128/CFP5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 850 MV @ 2 A | 14 ns | 30 na @ 150 V | 175 ° C | 2a | 70pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | 1N6077E3 | 21.6150 | ![]() | 9371 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | E, axial | Estándar | E, axial | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N6077E3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.76 V @ 18.8 A | 30 ns | 5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 155 ° C | 6A | - | ||||||||||
![]() | ES2DAF-T | 0.1258 | ![]() | 7255 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-221AC, SMA Flat Leads | Estándar | SMAF | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-ES2DAF-TTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 950 MV @ 2 A | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | 27pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | BAS40E8224HTMA1 | 0.5200 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Activo | BAS40E8224 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 10,000 | |||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C4V7S | 0.1300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | Bzt52cxxxs | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.38% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | 500 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 3 µA @ 2 V | 4.7 V | 80 ohmios | |||||||||||||
![]() | 1SS119-21TE-E | 0.1000 | ![]() | 35 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | BAV23CA | 0.1700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor diotec | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAV23 | Estándar | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 200 V | 225 Ma | 1.25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 na @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C |
Volumen de RFQ promedio diario
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