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Diodos (166326)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
1N4757A NTE Electronics, Inc 1N4757A 0.1400
RFQ
 ECAD 474 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo ± 0.5% -65 ° C ~ 20 ° C A Través del Aguetero Axial 1 W Axial descascar Rohs no conforme 2368-1N4757A EAR99 8541.10.0050 1 5 µA @ 38.8 V 51 V 95 ohmios
1N1199AR Microchip Technology 1n1199ar 75.5700
RFQ
 ECAD 7996 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje DO-203AA, DO-4, semento 1N1199 Polaridad Inversa Estándar DO-4 (DO-203AA) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 1N1199 brazos EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.2 V @ 30 A 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 200 ° C 12A -
SBA0840CS_R1_00001 Panjit International Inc. SBA0840CS_R1_00001 0.3600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-90, SOD-323F SBA0840 Schottky Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3757-sba0840cs_r1_00001dkr EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 700 MV @ 800 Ma 50 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA -
BAS40-HF Comchip Technology BAS40-HF 0.0460
RFQ
 ECAD 7539 0.00000000 Tecnología de Collip BAS40-XX-HF Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAS40 Schottky Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 641-BAS40-HFTR EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 40 V 1 V @ 40 Ma 5 ns 200 na @ 30 V 125 ° C 200 MMA 5PF @ 0V, 1MHz
SC3BH15FF Semtech Corporation Sc3bh15ff -
RFQ
 ECAD 3711 0.00000000 Corpacia semtech - Una granela Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 rectángulo SC3BH15 Estándar - descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 1 970 MV @ 5 A 30 µA @ 150 V 4 A Fase triple 150 V
VS-E5TH2112S2LHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-E5TH2112S2LHM3 3.0200
RFQ
 ECAD 850 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, Fred PT® G5 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Estándar To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1200 V 2.66 V @ 20 A 125 ns 50 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 20A -
SX32_R1_00001 Panjit International Inc. SX32_R1_00001 0.3800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA SX32 Schottky SMA (DO-214AC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3757-SX32_R1_00001DKR EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 500 MV @ 3 A 200 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
US1BFL-TP Micro Commercial Co US1BFL-TP 0.0509
RFQ
 ECAD 3331 0.00000000 Micro Commercial Co - Una granela Activo Montaje en superficie DO-221AC, SMA Flat Leads US1B Estándar DO-221AC (SMA-FL) descascar 353-US1BFL-TP EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1 V @ 1 A 50 ns 10 µA @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1 MHz
KBL401 Rectron USA KBL401 0.5500
RFQ
 ECAD 2554 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBL Estándar KBL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-KBL401 EAR99 8541.10.0080 4.600 1.1 v @ 4 a 10 µA @ 50 V 4 A Fase única 50 V
1N5818-1/TR Microchip Technology 1N5818-1/TR -
RFQ
 ECAD 1524 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Schottky Do-41 - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 145 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 600 MV @ 1 A 100 µA @ 30 V - 1A -
V30KM100-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30KM100-M3/I 0.4843
RFQ
 ECAD 2042 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 8-Powertdfn Schottky Flatpak (5x6) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 112-V30KM100-M3/ITR EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 810 MV @ 30 A 300 µA @ 100 V -40 ° C ~ 165 ° C 4.4a 2450pf @ 4V, 1MHz
JANTX1N4965CUS Microsemi Corporation Jantx1n4965cus 20.4300
RFQ
 ECAD 3002 0.00000000 Corpacia microsemi Militar, MIL-PRF-19500/435 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie SQ-Melf, E 1N4965 5 W D-5B descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µA @ 15.2 V 20 V 4.5 ohmios
ACZRW5240B-HF Comchip Technology ACZRW5240B-HF 0.0511
RFQ
 ECAD 5331 0.00000000 Tecnología de Collip Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 350 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 641-ACZRW5240B-HFTR EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 3 µA @ 8 V 10 V 17 ohmios
S1AFG-M3/6A Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1AFG-M3/6A 0.0858
RFQ
 ECAD 1103 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AC, SMA Flat Leads S1a Estándar DO-221AC (SLIMSMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.1 v @ 1 a 1.47 µs 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 7.9pf @ 4V, 1MHz
RS2D-E3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division RS2D-E3/5BT 0.4200
RFQ
 ECAD 4129 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB Rs2d Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,200 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 1.5 A 150 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 20pf @ 4V, 1 MHz
BZX55B3V9-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55B3V9-TAP 0.2200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, BZX55 Cinta de Corte (CT) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55B3V9 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 Ma 2 µA @ 1 V 3.9 V 90 ohmios
S1BL RUG Taiwan Semiconductor Corporation Alfombra S1BL 0.1605
RFQ
 ECAD 1865 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB S1B Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9PF @ 4V, 1MHz
1N4148WS_R1_00001 Panjit International Inc. 1N4148WS_R1_00001 0.1300
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Panjit International Inc. - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-90, SOD-323F 1N4148 Estándar Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3757-1N4148WS_R1_00001TR EAR99 8541.10.0070 5,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 75 V 1.25 V @ 150 Ma 4 ns 2.5 µA @ 75 V -55 ° C ~ 150 ° C 200 MMA 1.5pf @ 0v, 1 MHz
RB228NS100FHTL Rohm Semiconductor RB228NS100FHTL 1.5700
RFQ
 ECAD 6286 0.00000000 Semiconductor rohm Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab RB228 Schottky LPDS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 30A 870 MV @ 5 A 8.2 ns 5 µA @ 100 V 150 ° C (Máximo)
VS-15CTQ035-1-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15CTQ035-1-M3 0.6544
RFQ
 ECAD 6121 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA 15CTQ035 Schottky Un 262-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 35 V 7.5a 550 MV @ 7.5 A 800 µA @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZD27C24PHRFG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c24phrfg -
RFQ
 ECAD 7989 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5.78% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 18 V 24.2 V 15 ohmios
VS-VS24EDR20L Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VS24EDR20L -
RFQ
 ECAD 3255 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela La Última Vez Que Compre VS24 - 112-VS-VS24EDR20L 1
JANTX1N4966 Semtech Corporation Jantx1n4966 -
RFQ
 ECAD 3059 0.00000000 Corpacia semtech MIL-PRF-19500/356 Una granela Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Axial 1N4966 5 W Axial descascar EAR99 8541.10.0050 1 2 µA @ 16.7 V 22 V 5 ohmios
JAN1N5521DUR-1/TR Microchip Technology Jan1N5521Dur-1/TR 41.1768
RFQ
 ECAD 8859 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/437 Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 500 MW DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-ENERO1N5521DUR-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 3 µA @ 1.5 V 4.3 V 18 ohmios
1N961B NTE Electronics, Inc 1N961B 0.1100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW Do-35 descascar Rohs no conforme 2368-1N961B EAR99 8541.10.0050 1 10 µA @ 7.6 V 10 V 8.5 ohmios
CZRA4748-G Comchip Technology CZRA4748-G 0.1550
RFQ
 ECAD 1501 0.00000000 Tecnología de Collip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AC, SMA Flat Leads CZRA4748 1 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2,000 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 16.7 V 22 V 23 ohmios
1N4735CP/TR12 Microchip Technology 1N4735CP/TR12 2.2800
RFQ
 ECAD 2172 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4735 1 W DO-204Al (DO-41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 4.000 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 3 V 6.2 V 2 ohmios
1N5233A Microchip Technology 1N5233A 1.8600
RFQ
 ECAD 8314 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5233 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 Ma 5 µA @ 3.5 V 6 V 7 ohmios
BZD17C43P M2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C43P M2G -
RFQ
 ECAD 8221 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.97% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 33 V 43 V 45 ohmios
GL34M Diotec Semiconductor GL34M 0.0528
RFQ
 ECAD 3935 0.00000000 Semiconductor diotec - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-213AA Estándar DO-213AA, Mini Masa descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2796-GL34MTR 8541.10.0000 2.500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 V @ 500 Ma 1.5 µs 5 µA @ 1000 V -50 ° C ~ 175 ° C 500mA -
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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