SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
JAN1N6319 Microchip Technology Jan1n6319 9.5100
RFQ
ECAD 4158 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N6319 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.4 v @ 1 a 5 µA @ 3.5 V 6.2 V 3 ohmios
1N3026B-1/TR Microchip Technology 1N3026B-1/TR 7.4214
RFQ
ECAD 7304 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N3026 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-1N3026B-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 13.7 V 18 V 20 ohmios
SDM100K30L-7 Diodes Incorporated SDM100K30L-7 0.4400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-76, SOD-323 SDM100K30 Schottky Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 485 MV @ 1 A 100 µA @ 20 V -65 ° C ~ 125 ° C 1A 22pf @ 10V, 1 MHz
MM3Z6V8T1GX Nexperia USA Inc. MM3Z6V8T1GX 0.2200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. Mm3z Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-76, SOD-323 300 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.1 V @ 100 Ma 500 na @ 3.5 V 6.8 V 20 ohmios
BAV23CLT1G Texas Instruments Bav23clt1g -
RFQ
ECAD 4391 0.00000000 Instrumentos de Texas * Una granela Activo descascar 0000.00.0000 1
1N6893UTK1 Microchip Technology 1N6893UTK1 259.3500
RFQ
ECAD 6596 0.00000000 Tecnología de Microchip * Una granela Activo - Alcanzar sin afectado 150-1N6893UTK1 1
UF4006-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UF4006-M3/54 0.1287
RFQ
ECAD 2627 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial UF4006 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 10 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17PF @ 4V, 1MHz
SMAJ5934E3/TR13 Microchip Technology Smaj5934e3/tr13 0.6450
RFQ
ECAD 9480 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AC, SMA Smaj5934 3 W DO-214AC (SMAJ) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 18.2 V 24 V 19 ohmios
BAS19 Taiwan Semiconductor Corporation BAS19 0.0322
RFQ
ECAD 2754 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAS19 Estándar Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-Bas19TR EAR99 8541.10.0070 6,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 100 V 1.25 V @ 200 Ma 50 ns 100 na @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C 200 MMA 5PF @ 0V, 1MHz
RD33ES-T4-AZ Renesas Electronics America Inc Rd33es-t4-az 0.0500
RFQ
ECAD 55 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0050 1
CMZ5946B BK PBFREE Central Semiconductor Corp CMZ5946B BK PBFree 0.0905
RFQ
ECAD 9561 0.00000000 Central de semiconductores - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AC, SMA CMZ5946 500 MW SMA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 800 1.5 V @ 200 Ma 1 µA @ 56 V 75 V 140 ohmios
DGP15HE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DGP15HE3/73 -
RFQ
ECAD 8491 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Superectificador® Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial DGP15 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1500 V 1.1 v @ 1 a 20 µs 5 µA @ 1500 V -65 ° C ~ 175 ° C 1.5a -
CBAT54A TR PBFREE Central Semiconductor Corp CBAT54A TR PBFREE 0.4500
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Central de semiconductores - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 CBAT54 Schottky Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Ánodo Común 30 V 200 MMA 800 MV @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 25 V -65 ° C ~ 150 ° C
1N4761UR-1 Microchip Technology 1N4761UR-1 3.4650
RFQ
ECAD 1720 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) 1 W DO-213AB (Melf, LL41) - Alcanzar sin afectado 150-1N4761ur-1 EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 56 V 75 V 175 ohmios
JANTX1N3030DUR-1 Microchip Technology Jantx1n30303030dur-1 46.6950
RFQ
ECAD 5843 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/115 Una granela Activo ± 1% -55 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) 1N3030 1 W DO-213AB (Melf, LL41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 20.6 V 27 V 35 ohmios
SDUR6020WT SMC Diode Solutions Sdur6020wt 2.3700
RFQ
ECAD 43 0.00000000 Soluciones de Diodo SMC - Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 SDUR6020 Estándar Un 247ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V - 1.2 V @ 30 A 45 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
US3GB-HF Comchip Technology US3GB-HF 0.1063
RFQ
ECAD 5741 0.00000000 Tecnología de Collip - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB US3G Estándar SMB/DO-214AA descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 641-US3GB-HFTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 3 A 50 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZX55C11 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C11 0.0287
RFQ
ECAD 4986 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX55C11TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 100 Ma 100 na @ 8.2 V 11 V 20 ohmios
BAS40B5000 Infineon Technologies BAS40B5000 0.0300
RFQ
ECAD 90 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAS40 Schottky PG-SOT23 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0070 10,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 40 V 1 V @ 40 Ma 1 µA @ 30 V 150 ° C 120 Ma 3PF @ 0V, 1MHz
PD3Z284C20-7 Diodes Incorporated PD3Z284C20-7 0.4100
RFQ
ECAD 4064 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie PowerDi ™ 323 PD3Z284 500 MW PowerDi ™ 323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.1 V @ 100 Ma 100 na @ 14 V 20 V 20 ohmios
SZ3C9.1 Diotec Semiconductor SZ3C9.1 0.1504
RFQ
ECAD 1221 0.00000000 Semiconductor diotec - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Do-213ab, melf 3 W Melf do-213ab descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2796-SZ3C9.1TR 8541.10.0000 5,000 1 µA @ 3.5 V 9.1 V 2 ohmios
STPS2L30UF STMicroelectronics STPS2L30UF -
RFQ
ECAD 3671 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-221AA, placas SMB Platos STPS2L30 Schottky Smbflat descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 450 MV @ 2 A 200 µA @ 30 V 150 ° C (Máximo) 2a -
MMSZ5234BS_R1_00001 Panjit International Inc. MMSZ5234BS_R1_00001 0.2100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. MMSZ5221BS Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F MMSZ5234 200 MW Sod-323 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3757-MMSZ5234BS_R1_00001DKR EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 4 V 6.2 V 7 ohmios
RB530S-30TE61 Rohm Semiconductor RB530S-30TE61 -
RFQ
ECAD 2722 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-79, SOD-523 RB530 Schottky EMD2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 30 V 450 MV @ 10 Ma 500 na @ 10 V 125 ° C (Máximo) 100mA -
BZD27B160P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B160P-M3-08 0.6200
RFQ
ECAD 896 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Bzd27b-m Tape & Reel (TR) Activo - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-219AB BZD27B160 800 MW DO-219AB (SMF) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 130 V 160 V 350 ohmios
JANTXV1N4473US Microchip Technology Jantxv1n4473us -
RFQ
ECAD 2205 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/406 Una granela Descontinuado en sic ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Sq-melf, un 1.5 W D-5A descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 Ma 50 na @ 17.6 V 22 V 14 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock