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Transistores (257)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max)
RM2020ES9 Rectron USA RM2020es9 0.0550
RFQ
 ECAD 9570 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RM2020 Mosfet (Óxido de metal) 150MW (TA), 800MW (TA) Sot-363-6l descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-rm2020es9tr 8541.10.0080 30,000 Vecino del canal 20V 750MA (TA), 800 mA (TA) 1.2ohm @ 500mA, 4.5V, 380mohm @ 650 mm, 4.5V 1V @ 250 µA, 1.1V @ 250 µA 0.0018nc @ 10V, 0.75nc @ 4.5V 87pf @ 10V, 120pf @ 16V -
RM2309E Rectron USA RM2309E 0.0540
RFQ
 ECAD 4943 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo - Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM2309 8541.10.0080 30,000 Canal P 30 V - 4.5V, 10V 38mohm @ 1a, 10v 2.5V @ 250 µA ± 20V - -
RM2N650LD Rectron USA RM2N650LD 0.3000
RFQ
 ECAD 3845 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM2N650LDTR 8541.10.0080 25,000 N-canal 650 V 2a (TC) 10V 2.5ohm @ 1a, 10v 3.5V @ 250 µA ± 30V 190 pf @ 50 V - 23W (TC)
RM100N60T2 Rectron USA RM100N60T2 0.3500
RFQ
 ECAD 6793 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM100N60T2TR 8541.10.0080 4.000 N-canal 60 V 100A (TC) 10V 6.5mohm @ 40a, 10v 4V @ 250 µA ± 20V 4800 pf @ 30 V - 170W (TC)
RM30P55LD Rectron USA RM30P55LD 0.3300
RFQ
 ECAD 9543 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM30P55LDTR 8541.10.0080 25,000 Canal P 55 V 30A (TC) 10V 40mohm @ 15a, 10v 4V @ 250 µA ± 20V 3500 pf @ 30 V - 65W (TC)
RM6N800LD Rectron USA RM6N800LD 0.7000
RFQ
 ECAD 3906 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM6N800LDTR 8541.10.0080 25,000 N-canal 800 V 6a (TC) 10V 900mohm @ 4a, 10v 4V @ 250 µA ± 30V 1290 pf @ 50 V - 98W (TC)
RMD7N40DN Rectron USA RMD7N40DN 0.2400
RFQ
 ECAD 1566 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Rmd7n Mosfet (Óxido de metal) 1.9W (TA), 12W (TC) 8-DFN (3x3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RMD7N40DNTR 8541.10.0080 25,000 2 Canal N (Dual) 40V 7a (TA), 20a (TC) 20mohm @ 7a, 10v 3V @ 250 µA 11NC @ 10V 720pf @ 20V -
RM8810 Rectron USA RM8810 0.0900
RFQ
 ECAD 4687 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 RM88 Mosfet (Óxido de metal) 1.5W (TA) Sot-23-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM8810TR 8541.10.0080 30,000 2 Canal N (Dual) 20V 7a (TA) 20mohm @ 6a, 4.5V 1V @ 250 µA 14NC @ 4.5V 1295pf @ 10V -
RM3N700S4 Rectron USA RM3N700S4 0.2900
RFQ
 ECAD 2302 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Un 261-3 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM3N700S4TR 8541.10.0080 30,000 N-canal 700 V 3A (TC) 10V 1.5ohm @ 1.5a, 10v 4V @ 250 µA ± 20V 225 pf @ 100 V - 6.2W (TC)
RM80N30DN Rectron USA RM80N30DN 0.2900
RFQ
 ECAD 6630 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Mosfet (Óxido de metal) 8-Papak (3x3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM80N30DNTR 8541.10.0080 25,000 N-canal 30 V 80a (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 24a, 10v 2.5V @ 250 µA ± 20V 3190 pf @ 25 V - 66W (TC)
RM150N40DF Rectron USA RM150N40DF 0.5600
RFQ
 ECAD 3261 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-DFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM150N40DFTR 8541.10.0080 40,000 N-canal 40 V 150A (TC) 4.5V, 10V 1.8mohm @ 75a, 10v 2.2V @ 250 µA ± 20V 7150 pf @ 20 V - 88W (TC)
RM4435 Rectron USA RM4435 0.1400
RFQ
 ECAD 5534 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM4435TR 8541.10.0080 40,000 Canal P 30 V 9.1a (TA), 11a (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 9.1a, 10V 3V @ 250 µA ± 20V 1600 pf @ 15 V - 3.1W (TA)
RM130N200T2 Rectron USA RM130N200T2 3.8400
RFQ
 ECAD 4306 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM130N200T2 8541.10.0080 5,000 N-canal 200 V 132a (TC) 10V 11mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA ± 20V 4970 pf @ 100 V - 429W (TC)
RM15P55LD Rectron USA RM15P55LD 0.2800
RFQ
 ECAD 7424 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM15P55LDTR 8541.10.0080 25,000 Canal P 55 V 15A (TC) 10V 75mohm @ 5a, 10v 3.5V @ 250 µA ± 20V 1450 pf @ 20 V - 35W (TC)
RM4N650IP Rectron USA RM4N650IP 0.3300
RFQ
 ECAD 6734 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak Mosfet (Óxido de metal) Un 251 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM4N650IP 8541.10.0080 4.000 N-canal 650 V 4A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.5a, 10V 3.5V @ 250 µA ± 30V 280 pf @ 50 V - 46W (TC)
RM21N700T2 Rectron USA RM21N700T2 1.3300
RFQ
 ECAD 4395 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM21N700T2 8541.10.0080 5,000 N-canal 700 V 21a (TC) 10V 190mohm @ 10.5a, 10v 3.5V @ 250 µA ± 30V 1950 pf @ 50 V - 200W (TC)
RM3010 Rectron USA RM3010 0.1300
RFQ
 ECAD 6757 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM3010TR 8541.10.0080 40,000 N-canal 30 V 10a (TA) 4.5V, 10V 12mohm @ 10a, 10v 3V @ 250 µA ± 20V 1550 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
RM20N150LD Rectron USA RM20N150LD 0.2600
RFQ
 ECAD 1142 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM20N150LDTR 8541.10.0080 25,000 N-canal 150 V 20A (TA) 10V 65mohm @ 10a, 10v 4.5V @ 250 µA ± 20V 600 pf @ 75 V - 68W (TA)
RM4N650LD Rectron USA RM4N650LD 0.3300
RFQ
 ECAD 3330 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM4N650LDTR 8541.10.0080 25,000 N-canal 650 V 4A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.5a, 10V 3.5V @ 250 µA ± 30V 280 pf @ 50 V - 46W (TC)
RM80N20DN Rectron USA RM80N20DN 0.2600
RFQ
 ECAD 3119 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Mosfet (Óxido de metal) 8-Papak (3x3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM80N20DNTR 8541.10.0080 25,000 N-canal 20 V 80a (TC) 1.8V, 4.5V 3.5mohm @ 15a, 4.5V 1V @ 250 µA ± 12V 5500 pf @ 10 V - 66W (TC)
RM35N30DN Rectron USA RM35N30DN 0.2500
RFQ
 ECAD 1173 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-DFN-EP (3x3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM35N30DNTR 8541.10.0080 25,000 N-canal 30 V 35A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 12a, 10v 3V @ 250 µA ± 20V 1265 pf @ 15 V - 35W (TC)
RM830 Rectron USA RM830 0.2400
RFQ
 ECAD 2168 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM830 8541.10.0080 5,000 N-canal 500 V 5A (TC) 10V 1.4ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250 µA ± 30V 900 pf @ 25 V - 87.5W (TC)
2N7002KD1 Rectron USA 2N7002KD1 0.0300
RFQ
 ECAD 1143 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-101, SOT-883 2N7002 Mosfet (Óxido de metal) DFN1006-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-2N7002KD1TR 8541.10.0080 30,000 N-canal 60 V 350MA (TA) 5V, 10V 2.8ohm @ 200 MMA, 10V 1.9V @ 250 µA ± 20V 50 pf @ 25 V - 350MW (TA)
RM50N60T2 Rectron USA RM50N60T2 0.2400
RFQ
 ECAD 2291 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM50N60T2 8541.10.0080 5,000 N-canal 60 V 50A (TC) 10V 20mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA ± 20V 2050 pf @ 30 V - 85W (TC)
RM40P07 Rectron USA RM40P07 0.1450
RFQ
 ECAD 3800 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM40P07TR 8541.10.0080 40,000 Canal P 40 V 6.2a (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 5a, 10v 2.5V @ 250 µA ± 20V 1750 pf @ 20 V - 2.5W (TA)
RM12N100LD Rectron USA RM12N100LD 0.1600
RFQ
 ECAD 6776 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM12N100LDTR 8541.10.0080 25,000 N-canal 100 V 12a (TC) 4.5V, 10V 112mohm @ 10a, 10v 2.5V @ 250 µA ± 20V 1535 pf @ 15 V - 34.7W (TC)
RM2A8N60S4 Rectron USA RM2A8N60S4 0.1100
RFQ
 ECAD 9497 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM2A8N60S4TR 8541.10.0080 30,000 N-canal 60 V 2.8a (TA) 4.5V, 10V 100mohm @ 2.5a, 10v 2.5V @ 250 µA ± 20V 715 pf @ 15 V - 1.5W (TA)
RM5N800IP Rectron USA RM5N800IP 0.6900
RFQ
 ECAD 4172 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak Mosfet (Óxido de metal) Un 251 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM5N800IP 8541.10.0080 4.000 N-canal 800 V 5A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.5a, 10V 3.5V @ 250 µA ± 30V 680 pf @ 50 V - 81W (TC)
RM2A3P60S4 Rectron USA RM2A3P60S4 0.1000
RFQ
 ECAD 2753 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM2A3P60S4TR 8541.10.0080 30,000 Canal P 60 V 2.3a (TA) 4.5V, 10V 180mohm @ 2a, 10v 2.5V @ 250 µA ± 20V 600 pf @ 15 V - 1.5W (TA)
RM80N60LD Rectron USA RM80N60LD 0.3100
RFQ
 ECAD 7058 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM80N60LDTR 8541.10.0080 25,000 N-canal 60 V 80a (TC) 10V 8.5mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA ± 20V 4000 pf @ 30 V - 110W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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