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Transistores (257)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max)
RM50P30DF Rectron USA RM50P30DF 0.4200
RFQ
 ECAD 2671 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-DFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM50P30DFTR 8541.10.0080 25,000 Canal P 30 V 50A (TC) 10V 7mohm @ 10a, 10v 2.2V @ 250 µA ± 20V 3590 pf @ 15 V - 35W (TC)
RM50P30D3 Rectron USA RM50P30D3 0.2300
RFQ
 ECAD 3274 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-DFN-EP (3x3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM50P30D3TR 8541.10.0080 25,000 Canal P 30 V 50A (TC) 4.5V, 10V 8.7mohm @ 30a, 10v 2.5V @ 250 µA ± 20V 3448 pf @ 15 V - 38W (TC)
RM7N40S4 Rectron USA RM7N40S4 0.2200
RFQ
 ECAD 4861 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM7N40S4TR 8541.10.0080 30,000 N-canal 40 V 5A (TA) 4.5V, 10V 50mohm @ 4.5a, 10V 2V @ 250 µA ± 20V 770 pf @ 40 V - 16W (TA)
RM15N650TI Rectron USA RM15N650TI 0.9200
RFQ
 ECAD 7598 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM15N650TI 8541.10.0080 5,000 N-canal 650 V 15A (TC) 10V 260mohm @ 8a, 10v 3.5V @ 250 µA ± 30V 1360 pf @ 50 V - 33.5W (TC)
RM12N650T2 Rectron USA RM12N650T2 0.6700
RFQ
 ECAD 2682 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM12N650T2 8541.10.0080 5,000 N-canal 650 V 11.5A (TC) 10V 360mohm @ 7a, 10v 4V @ 250 µA ± 30V 870 pf @ 50 V - 101W (TC)
RM45N60DF Rectron USA RM45N60DF 0.4500
RFQ
 ECAD 9267 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-DFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM45N60DFTR 8541.10.0080 40,000 N-canal 60 V 45a (TC) 4.5V, 10V 13mohm @ 20a, 10v 2.2V @ 250 µA ± 20V 2180 pf @ 30 V - 60W (TC)
2N7002K36 Rectron USA 2N7002K36 0.0450
RFQ
 ECAD 2683 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo - Montaje en superficie Sot-23-6 2N7002 Mosfet (Óxido de metal) 350MW (TA) Sot-23-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-2N7002K36TR 8541.10.0080 30,000 2 Canal N (Dual) 60V 250 mA (TA) 3ohm @ 500 mA, 10V 1.9V @ 250 µA - - -
RM135N100T2 Rectron USA RM135N100T2 1.0100
RFQ
 ECAD 9997 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM135N100T2 8541.10.0080 5,000 N-canal 100 V 135A (TC) 10V 4.5mohm @ 60a, 10V 4.5V @ 250 µA ± 20V 7500 pf @ 50 V - 220W (TC)
RM60N40LD Rectron USA RM60N40LD 0.3300
RFQ
 ECAD 5995 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM60N40LDTR 8541.10.0080 25,000 N-canal 40 V 60A (TC) 10V 13mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA ± 20V 1800 pf @ 20 V - 65W (TC)
RM2302 Rectron USA RM2302 0.0420
RFQ
 ECAD 7094 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM2302TR 8541.10.0080 30,000 N-canal 20 V 4A (TA) 2.5V, 4.5V 45mohm @ 2.9a, 4.5V 1.2V @ 250 µA ± 12V 300 pf @ 10 V - 1W (TA)
RM6N800TI Rectron USA RM6N800TI 0.8200
RFQ
 ECAD 7478 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM6N800TI 8541.10.0080 5,000 N-canal 800 V 6a (TJ) 10V 900mohm @ 4a, 10v 4V @ 250 µA ± 30V 1320 pf @ 50 V - 32.4W (TC)
RM6A5P30S8 Rectron USA RM6A5P30S8 0.1900
RFQ
 ECAD 7721 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) RM6A5 Mosfet (Óxido de metal) 1.5W (TA) 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM6A5P30S8TR 8541.10.0080 40,000 2 Canal P (Dual) 30V 6.5a (TA) 25mohm @ 6a, 10v 2.5V @ 250 µA 12.6nc @ 4.5V 1345pf @ 15V -
RMA4N60092 Rectron USA RMA4N60092 0.1400
RFQ
 ECAD 9871 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales Mosfet (Óxido de metal) Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RMA4N60092TR 8541.10.0080 10,000 N-canal 600 V 400 mA (TC) 10V 8.5ohm @ 200 MMA, 10V 5V @ 250 µA ± 30V 130 pf @ 25 V - 2.5W (TC)
RM2333 Rectron USA RM2333 0.0520
RFQ
 ECAD 7834 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM2333TR 8541.10.0080 30,000 Canal P 12 V 6a (TA) 2.5V, 4.5V 30mohm @ 6a, 4.5V 1V @ 250 µA ± 12V 1100 pf @ 6 V - 1.8w (TA)
2N7002KS6 Rectron USA 2N7002KS6 0.0430
RFQ
 ECAD 6245 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo - Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 2N7002 Mosfet (Óxido de metal) 350MW (TA) Sot-363-6l descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-2N7002KS6TR 8541.10.0080 30,000 2 Canal N (Dual) 60V 250 mA (TA) 5ohm @ 500 mA, 10V 1.9V @ 250 µA - - -
RM1A4N150S6 Rectron USA RM1A4N150S6 0.1800
RFQ
 ECAD 1722 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM1A4N150S6TR 8541.10.0080 30,000 N-canal 150 V 1.4a (TC) 6V, 10V 480mohm @ 1a, 10v 4V @ 250 µA ± 20V 700 pf @ 25 V - 1.56W (TC)
RM8N700IP Rectron USA RM8N700IP 0.4700
RFQ
 ECAD 6594 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak Mosfet (Óxido de metal) Un 251 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM8N700IP 8541.10.0080 4.000 N-canal 700 V 8a (TC) 10V 600mohm @ 4a, 10v 4V @ 250 µA ± 30V 590 pf @ 50 V - 69W (TC)
RM4953 Rectron USA RM4953 0.0880
RFQ
 ECAD 8727 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) RM495 Mosfet (Óxido de metal) 2.5W (TA) 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM4953TR 8541.10.0080 40,000 2 Canal P (Dual) 30V 5.1a (TA) 55mohm @ 5.1a, 10V 3V @ 250 µA 11NC @ 10V 520pf @ 15V -
RM10N100LD Rectron USA RM10N100LD 0.1480
RFQ
 ECAD 2964 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM10N100LDTR 8541.10.0080 25,000 N-canal 100 V 10a (TC) 4.5V, 10V 130mohm @ 10a, 10v 2V @ 250 µA ± 20V 730 pf @ 50 V - 40W (TC)
RM70P30DF Rectron USA RM70P30DF 0.2900
RFQ
 ECAD 1320 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-DFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM70P30DFTR 8541.10.0080 40,000 Canal P 30 V 70A (TA) 4.5V, 10V 7.2mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA ± 20V 3450 pf @ 25 V - 90W (TA)
RM80N150T2 Rectron USA RM80N150T2 0.8800
RFQ
 ECAD 4712 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM80N150T2 8541.10.0080 5,000 N-canal 150 V 80a (TC) 10V 12.5mohm @ 40a, 10v 4.5V @ 250 µA ± 20V 3200 pf @ 75 V - 210W (TC)
RM5N800HD Rectron USA RM5N800HD 0.6700
RFQ
 ECAD 5232 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) Un 263-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM5N800HDTR 8541.10.0080 8,000 N-canal 800 V 5A (TC) 10V 1.2ohm @ 2a, 10v 4.5V @ 250 µA ± 30V 1320 pf @ 50 V - 98W (TC)
RM110N150HD Rectron USA RM110N150HD 1.4400
RFQ
 ECAD 8528 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) Un 263-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM110N150HDTR 8541.10.0080 8,000 N-canal 150 V 113A (TC) 10V 8.8mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA ± 20V 4362 pf @ 75 V - 273W (TC)
RM1002 Rectron USA RM1002 0.0440
RFQ
 ECAD 9360 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM1002TR 8541.10.0080 30,000 N-canal 100 V 2a (TA) 10V 220mohm @ 1a, 10v 2.5V @ 250 µA ± 20V 190 pf @ 50 V - 1.1W (TA)
RM40N100LD Rectron USA RM40N100LD 0.3800
RFQ
 ECAD 7839 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM40N100LDTR 8541.10.0080 25,000 N-canal 100 V 40A (TC) 10V 17mohm @ 28a, 10v 4V @ 250 µA ± 20V 3400 pf @ 30 V - 140W (TC)
RM130N30D3 Rectron USA RM130N30D3 0.2200
RFQ
 ECAD 2210 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-DFN-EP (3x3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM130N30D3TR 8541.10.0080 25,000 N-canal 30 V 130A (TC) 4.5V, 10V 3.2mohm @ 30a, 10V 2.4V @ 250 µA ± 20V 4200 pf @ 15 V - 45W (TC)
RM6005S4 Rectron USA RM6005S4 0.1550
RFQ
 ECAD 1297 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM6005S4TR 8541.10.0080 30,000 N-canal 60 V 5A (TA) 4.5V, 10V 55mohm @ 4.5a, 10V 2.5V @ 250 µA ± 20V 450 pf @ 25 V - 2W (TA)
RM60N30DF Rectron USA RM60N30DF 0.1400
RFQ
 ECAD 4964 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-DFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM60N30DFTR 8541.10.0080 40,000 N-canal 30 V 58a (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 30a, 10v 2.5V @ 250 µA ± 20V 1844 pf @ 15 V - 46W (TC)
RM50N60TI Rectron USA RM50N60TI 0.2400
RFQ
 ECAD 2760 0.00000000 RECTRON USA - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM50N60TI 8541.10.0080 5,000 N-canal 60 V 50A (TA) 10V 20mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA ± 20V 2050 pf @ 30 V - 85W (TA)
RM35P30LDV Rectron USA RM35P30LDV 0.1980
RFQ
 ECAD 8698 0.00000000 RECTRON USA - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-2 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 2516-RM35P30LDVTR 8541.10.0080 25,000 Canal P 30 V 35A (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 15a, 10v 2.5V @ 250 µA ± 20V 1345 pf @ 15 V - 40W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

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    Fabricantes mundiales

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