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Transistores (2488)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
RN1131MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1131MFV, L3F 0.1800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sot-723 RN1131 150 MW Vesm descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 100 kohms
RN2707JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2707JE (TE85L, F) 0.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-553 RN2707 100MW ESV descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 10 kohms 47 kohms
TPH9R00CQH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH9R00CQH, LQ 2.0000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar 1 (ilimitado) 264-TPH9R00CQHLQTR EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 150 V 64a (TC) 8V, 10V 9mohm @ 32a, 10V 4.3V @ 1MA 44 NC @ 10 V ± 20V 5400 pf @ 75 V - 960MW (TA), 210W (TC)
2SA1954-A(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1954-A (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 8074 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 125 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 2SA1954 100 MW SC-70 - 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 12 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 250 mv @ 10 ma, 200 ma 300 @ 10mA, 2V 130MHz
RN1415(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1415 (TE85L, F) 0.3400
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN1415 200 MW S-Mini descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 250 MHz 2.2 kohms 10 kohms
RN2109ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2109ACT (TPL3) 0.3400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-101, SOT-883 RN2109 100 MW CST3 - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 50 V 80 Ma 500NA PNP - Pre -Sesgado 150mv @ 250 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 47 kohms 22 kohms
SSM3K17SU,LF(D Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K17SU, LF (D -
RFQ
 ECAD 9558 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Obsoleto SSM3K17 - 1 (ilimitado) SSM3K17SULF (D EAR99 8541.21.0095 3.000 100 mA (TA)
TK14C65W5,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TK14C65W5, S1Q -
RFQ
 ECAD 2691 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA TK14C65 Mosfet (Óxido de metal) I2pak descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 13.7a (TA) 10V 300mohm @ 6.9a, 10V 4.5V @ 690 µA 40 NC @ 10 V ± 30V 1300 pf @ 300 V - 130W (TC)
HN1A01F-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01F-Y (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 3952 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Cinta de Corte (CT) Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-74, SOT-457 HN1A01 300MW SM6 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 150 Ma 100NA (ICBO) 2 PNP (dual) 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 120 @ 2mA, 6V 80MHz
RN2415,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2415, LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN2415 200 MW S-Mini descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 200 MHz 2.2 kohms 10 kohms
RN4904FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4904FE, LXHF (CT 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 RN4904 100MW ES6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz, 250MHz 47 kohms 47 kohms
2SA1931,KEHINQ(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931, Kehinq (M -
RFQ
 ECAD 8804 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2SA1931 2 W Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0075 1 50 V 5 A 1 µA (ICBO) PNP 400mv @ 200MA, 2a 100 @ 1a, 1v 60MHz
TPCA8A01-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8A01-H (TE12L, Q -
RFQ
 ECAD 3926 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn TPCA8A01 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 36A (TA) 4.5V, 10V 5.6mohm @ 18a, 10v 2.3V @ 1MA 35 NC @ 10 V ± 20V 1970 pf @ 10 V - 1.6W (TA), 45W (TC)
TPH3R003PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R003PL, LQ 0.9900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosix-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn TPH3R003 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 88a (TC) 4.5V, 10V 4.2mohm @ 44a, 4.5V 2.1V @ 300 µA 50 NC @ 10 V ± 20V 3825 pf @ 15 V - 90W (TC)
SSM3J35CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35CTC, L3F 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvii Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-101, SOT-883 SSM3J35 Mosfet (Óxido de metal) CST3C descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 Canal P 20 V 250 mA (TA) 1.2V, 4.5V 1.4ohm @ 150 mm, 4.5V 1V @ 100 µA ± 10V 42 pf @ 10 V - 500MW (TA)
SSM6P35AFE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P35AFE, LF 0.4200
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvii Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 SSM6P35 Mosfet (Óxido de metal) 150MW (TA) ES6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 2 Canal P (Dual) 20V 250 mA (TA) 1.4ohm @ 150 mm, 4.5V 1V @ 100 µA - 42pf @ 10V Puerta de Nivel de Lógica, Transmisión de 1.2v
TK560P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK560P65Y, RQ 1.3300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosv Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TK560P65 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 650 V 7a (TC) 10V 560mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 240 µA 14.5 NC @ 10 V ± 30V 380 pf @ 300 V - 60W (TC)
TPH8R80ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage Tph8r80anh, l1q 1.7900
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn TPH8R80 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 100 V 32A (TC) 10V 8.8mohm @ 16a, 10v 4V @ 500 µA 33 NC @ 10 V ± 20V 2800 pf @ 50 V - 1.6W (TA), 61W (TC)
TPH7R506NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH7R506NH, L1Q 1.4700
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn TPH7R506 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 60 V 22a (TA) 10V 7.5mohm @ 11a, 10v 4V @ 300 µA 31 NC @ 10 V ± 20V 2320 pf @ 30 V - 1.6W (TA), 45W (TC)
TK15A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK15A50D (STA4, Q, M) 3.2300
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-Mosvii Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK15A50 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 15a (TA) 10V 300mohm @ 7.5a, 10V 4V @ 1MA 40 NC @ 10 V ± 30V 2300 pf @ 25 V - 50W (TC)
TK12A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK12A45D (STA4, Q, M) 2.2300
RFQ
 ECAD 1473 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-Mosvii Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK12A45 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 450 V 12a (TA) 10V 520mohm @ 6a, 10v 4V @ 1MA 24 NC @ 10 V ± 30V 1200 pf @ 25 V - 45W (TC)
TK14A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK14A55D (STA4, Q, M) 3.1600
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-Mosvii Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK14A55 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 550 V 14a (TA) 10V 370mohm @ 7a, 10v 4V @ 1MA 40 NC @ 10 V ± 30V 2300 pf @ 25 V - 50W (TC)
SSM3J306T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J306T (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 5083 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3J306 Mosfet (Óxido de metal) TSM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 30 V 2.4a (TA) 4V, 10V 117mohm @ 1a, 10v - 2.5 NC @ 15 V ± 20V 280 pf @ 15 V - 700MW (TA)
TK30A06N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK30A06N1, S4X 0.9300
RFQ
 ECAD 4866 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK30A06 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 30A (TC) 10V 15mohm @ 15a, 10v 4V @ 200 µA 16 NC @ 10 V ± 20V 1050 pf @ 30 V - 25W (TC)
TK20C60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK20C60W, S1VQ -
RFQ
 ECAD 8691 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA TK20C60 Mosfet (Óxido de metal) I2pak descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 20A (TA) 10V 155mohm @ 10a, 10v 3.7V @ 1MA 48 NC @ 10 V ± 30V 1680 pf @ 300 V - 165W (TC)
SSM3J325F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J325F, LF 0.4100
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3J325 Mosfet (Óxido de metal) S-Mini descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 2a (TA) 1.5V, 4.5V 150mohm @ 1a, 4.5V - 4.6 NC @ 4.5 V ± 8V 270 pf @ 10 V - 600MW (TA)
RN2908FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2908FE, LXHF (CT 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 RN2908 100MW ES6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 500NA 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 22 kohms 47 kohms
TK16J60W5,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16J60W5, S1VQ 5.2000
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 150 ° C A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 TK16J60 Mosfet (Óxido de metal) A-3p (n) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 600 V 15.8a (TA) 10V 230mohm @ 7.9a, 10V 4.5V @ 790 µA 43 NC @ 10 V ± 30V 1350 pf @ 300 V - 130W (TC)
RN1968FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1968FE (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 5591 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 RN1968 100MW ES6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 22 kohms 47 kohms
2SC2235-Y(T6CANOFM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y (T6CANOFM -
RFQ
 ECAD 1780 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SC2235 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) 2sc2235yt6canofm EAR99 8541.21.0075 1 120 V 800 Ma 100NA (ICBO) NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 80 @ 100mA, 5V 120MHz
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

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    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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