SIC
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Transistores (2488)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
SSM3K44FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K44FS, LF 0.2800
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie SC-75, SOT-416 SSM3K44 Mosfet (Óxido de metal) SSM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 100 mA (TA) 2.5V, 4V 4ohm @ 10mA, 4V 1.5V @ 100 µA ± 20V 8.5 pf @ 3 V - 150MW (TA)
2SK3462(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3462 (TE16L1, NQ) -
RFQ
 ECAD 7650 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 2SK3462 Mosfet (Óxido de metal) Moldeado descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 250 V 3a (TA) 10V 1.7ohm @ 1.5a, 10v 3.5V @ 1MA 12 NC @ 10 V ± 20V 267 pf @ 10 V - 20W (TC)
RN4602TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Rn4602te85lf 0.3800
RFQ
 ECAD 1144 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-74, SOT-457 RN4602 300MW SM6 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 200MHz 10 kohms 10 kohms
RN1904FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1904FE, LXHF (CT 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 RN1904 100MW ES6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 500NA 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 47 kohms 47 kohms
TK12A50E,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK12A50E, S5X -
RFQ
 ECAD 5246 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK12A50 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 12a (TA) 10V 520mohm @ 6a, 10v 4V @ 1.2MA 40 NC @ 10 V ± 30V 1300 pf @ 25 V - 45W (TC)
TPC8035-H(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage TPC8035-H (TE12L, QM -
RFQ
 ECAD 2642 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi-H Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) TPC8035 Mosfet (Óxido de metal) 8-SOP (5.5x6.0) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 18a (TA) 4.5V, 10V 3.2mohm @ 9a, 10v 2.3V @ 1MA 82 NC @ 10 V ± 20V 7800 pf @ 10 V - 1W (TA)
RN2910FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2910FE, LF (CT 0.2600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 RN2910 100MW ES6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 200MHz 4.7 kohms -
SSM3J117TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J117TU, LF 0.3700
RFQ
 ECAD 366 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosii Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 3-SMD, planos de cables SSM3J117 Mosfet (Óxido de metal) UFM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 30 V 2a (TA) 4V, 10V 117mohm @ 1a, 10v 2.6V @ 1MA ± 20V 280 pf @ 15 V - 500MW (TA)
SSM6K361NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K361NU, LF 0.4500
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie Almohadilla exposición de 6 wdfn SSM6K361 Mosfet (Óxido de metal) 6-udfnb (2x2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 3.5a (TA) 4.5V, 10V 69mohm @ 2a, 10v 2.5V @ 100 µA 3.2 NC @ 4.5 V ± 20V 430 pf @ 15 V - 1.25W (TA)
2SA965-Y(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-Y (F, M) -
RFQ
 ECAD 9438 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SA965 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 120 V 800 Ma 100NA (ICBO) PNP 1V @ 50 Ma, 500 Ma 80 @ 100mA, 5V 120MHz
TK39J60W5,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK39J60W5, S1VQ 12.2700
RFQ
 ECAD 3287 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 TK39J60 Mosfet (Óxido de metal) A-3p (n) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 600 V 38.8a (TA) 10V 65mohm @ 19.4a, 10v 3.7V @ 1.9MA 135 NC @ 10 V ± 30V 4100 pf @ 300 V - 270W (TC)
RN1101MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1101MFV, L3XHF (CT 0.3400
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sot-723 RN1101 150 MW Vesm descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 5 mA 30 @ 10mA, 5V 4.7 kohms 4.7 kohms
TK31E60X,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK31E60X, S1X 5.6700
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv-h Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TK31E60 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 30.8a (TA) 10V 88mohm @ 9.4a, 10v 3.5V @ 1.5MA 65 NC @ 10 V ± 30V 3000 pf @ 300 V - 230W (TC)
TPH2900ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage Tph2900enh, l1q 2.5800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn TPH2900 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 200 V 33a (TA) 10V 29mohm @ 16.5a, 10V 4V @ 1MA 22 NC @ 10 V ± 20V 2200 pf @ 100 V - 78W (TC)
RN1106,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1106, LF (CT 0.2300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-75, SOT-416 RN1106 100 MW SSM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 4.7 kohms 47 kohms
TK380P60Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK380P60Y, RQ 1.6900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosv Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TK380P60 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 600 V 9.7a (TC) 10V 380mohm @ 4.9a, 10V 4V @ 360 µA 20 NC @ 10 V ± 30V 590 pf @ 300 V - 30W (TC)
TPN4R203NC,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R203NC, L1Q 0.4595
RFQ
 ECAD 1481 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn TPN4R203 Mosfet (Óxido de metal) Advance 8-TSON (3.1x3.1) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 23a (TA) 4.5V, 10V 4.2mohm @ 11.5a, 10V 2.3V @ 200 µA 24 NC @ 10 V ± 20V 1370 pf @ 15 V - 700MW (TA), 22W (TC)
2SK2993(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2993 (TE24L, Q) -
RFQ
 ECAD 9210 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 2SK2993 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 250 V 20A (TA) 10V 105mohm @ 10a, 10v 3.5V @ 1MA 100 NC @ 10 V ± 20V 4000 pf @ 10 V - 100W (TC)
SSM3K15ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15ACT (TPL3) 0.0672
RFQ
 ECAD 1826 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosiii Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-101, SOT-883 SSM3K15 Mosfet (Óxido de metal) CST3 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 30 V 100 mA (TA) 2.5V, 4V 3.6ohm @ 10mA, 4V 1.5V @ 100 µA ± 20V 13.5 pf @ 3 V - 100MW (TA)
SSM3J356R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J356R, LF 0.4100
RFQ
 ECAD 318 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-3 Platos Platos SSM3J356 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 60 V 2a (TA) 4V, 10V 300mohm @ 1a, 10v 2v @ 1 mapa 8.3 NC @ 10 V +10V, -20V 330 pf @ 10 V - 1W (TA)
TK4P50D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK4P50D (T6RSS-Q) -
RFQ
 ECAD 2672 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-Mosvii Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Tk4p50 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TK4P50DT6RSSQ EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 500 V 4A (TA) 10V 2ohm @ 2a, 10v 4.4V @ 1MA 9 NC @ 10 V ± 30V 380 pf @ 25 V - 80W (TC)
TK12A80W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK12A80W, S4X 3.1200
RFQ
 ECAD 4351 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv Tubo Activo 150 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK12A80 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 800 V 11.5a (TA) 10V 450mohm @ 5.8a, 10V 4V @ 570 µA 23 NC @ 10 V ± 20V 1400 pf @ 300 V - 45W (TC)
RFM01U7P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RFM01U7P (TE12L, F) 1.2713
RFQ
 ECAD 3591 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 20 V Montaje en superficie To-243AA Rfm01u7 520MHz Mosfet PW-Mini descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 1A 100 mA 1.2w 10.8db - 7.2 V
RN1111ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1111ACT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 3758 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-101, SOT-883 RN1111 100 MW CST3 - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 50 V 80 Ma 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 150mv @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 10 kohms
RN1313,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1313, LF 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 RN1313 100 MW Usm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 250 MHz 47 kohms
SSM3J130TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J130TU, LF 0.4600
RFQ
 ECAD 166 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, planos de cables SSM3J130 Mosfet (Óxido de metal) UFM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 4.4a (TA) 1.5V, 4.5V 25.8mohm @ 4a, 4.5V 1V @ 1MA 24.8 NC @ 4.5 V ± 8V 1800 pf @ 10 V - 500MW (TA)
RN1963(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1963 (TE85L, F) 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN1963 200MW US6 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz 22 kohms 22 kohms
TPC8115(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8115 (TE12L, Q, M) -
RFQ
 ECAD 7961 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosiv Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) TPC8115 Mosfet (Óxido de metal) 8-SOP (5.5x6.0) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 10a (TA) 1.8V, 4.5V 10mohm @ 5a, 4.5V 1.2V @ 200 µA 115 NC @ 5 V ± 8V 9130 pf @ 10 V - 1W (TA)
2SC5088-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5088-O (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 8450 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 125 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-82A, SOT-343 2SC5088 100MW Usq - 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 18dB 12V 80mera NPN 80 @ 20MA, 10V 7GHz 1DB @ 500MHz
TK20S06K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK20S06K3L (T6L1, NQ -
RFQ
 ECAD 3491 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosiv Tape & Reel (TR) Obsoleto 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TK20S06 Mosfet (Óxido de metal) DPAK+ descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 60 V 20A (TA) 6V, 10V 29mohm @ 10a, 10v 3V @ 1MA 18 NC @ 10 V ± 20V 780 pf @ 10 V - 38W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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