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Transistores (2488)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
TK33S10N1Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1Z, LQ 1.5500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TK33S10 Mosfet (Óxido de metal) DPAK+ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 100 V 33a (TA) 10V 9.7mohm @ 16.5a, 10V 4V @ 500 µA 28 NC @ 10 V ± 20V 2050 pf @ 10 V - 125W (TC)
TK4A60DB(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK4A60DB (STA4, Q, M) -
RFQ
 ECAD 3537 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-Mosvii Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK4A60 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 3.7a (TA) 10V 2ohm @ 1.9a, 10v 4.4V @ 1MA 11 NC @ 10 V ± 30V 540 pf @ 25 V - 35W (TC)
SSM3J328R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J328R, LF 0.4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-3 Platos Platos SSM3J328 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 6a (TA) 1.5V, 4.5V 29.8mohm @ 3a, 4.5V 1V @ 1MA 12.8 NC @ 4.5 V ± 8V 840 pf @ 10 V - 1W (TA)
TPN4R806PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R806PL, L1Q 0.9000
RFQ
 ECAD 4178 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosix-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 8Powervdfn TPN4R806 Mosfet (Óxido de metal) Advance 8-TSON (3.1x3.1) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 60 V 72a (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 36a, 10v 2.5V @ 300 µA 29 NC @ 10 V ± 20V 2770 pf @ 30 V - 630MW (TA), 104W (TC)
SSM3K15AFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15AFS, LF 0.2800
RFQ
 ECAD 107 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosiii Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-75, SOT-416 SSM3K15 Mosfet (Óxido de metal) SSM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 100 mA (TA) 2.5V, 4V 3.6ohm @ 10mA, 4V 1.5V @ 100 µA ± 20V 13.5 pf @ 3 V - 100MW (TA)
TK31E60W,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK31E60W, S1VX 8.2200
RFQ
 ECAD 3779 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TK31E60 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 30.8a (TA) 10V 88mohm @ 15.4a, 10v 3.7V @ 1.5MA 86 NC @ 10 V ± 30V 3000 pf @ 300 V - 230W (TC)
TK35S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK35S04K3L (T6L1, NQ 1.4100
RFQ
 ECAD 5894 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosiv Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TK35S04 Mosfet (Óxido de metal) DPAK+ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 40 V 35A (TA) 6V, 10V 10.3mohm @ 17.5a, 10v 3V @ 1MA 28 NC @ 10 V ± 20V 1370 pf @ 10 V - 58W (TC)
SSM3K329R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K329R, LF 0.4300
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosiii Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-3 Platos Platos SSM3K329 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 3.5a (TA) 1.8v, 4V 126mohm @ 1a, 4V 1V @ 1MA 1.5 NC @ 4 V ± 12V 123 pf @ 15 V - 1W (TA)
2SK2917(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2917 (f) -
RFQ
 ECAD 7510 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 2SK2917 Mosfet (Óxido de metal) A-3p (n) es descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 18a (TA) 10V 270mohm @ 10a, 10v 4V @ 1MA 80 NC @ 10 V ± 30V 3720 pf @ 10 V - 90W (TC)
TK12P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK12P60W, RVQ 1.0490
RFQ
 ECAD 4795 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TK12P60 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 600 V 11.5a (TA) 10V 340mohm @ 5.8a, 10V 3.7V @ 600 µA 25 NC @ 10 V ± 30V 890 pf @ 300 V - 100W (TC)
2SC4944-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4944-Y (TE85L, F) 0.3500
RFQ
 ECAD 557 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 2SC4944 200MW USV descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 150 Ma 100NA (ICBO) 2 NPN (dual) par emparejado, emisor común 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 120 @ 2mA, 6V 80MHz
SSM3J118TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J118TU (TE85L) 0.4000
RFQ
 ECAD 104 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosii Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, planos de cables SSM3J118 Mosfet (Óxido de metal) UFM descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 30 V 1.4a (TA) 4V, 10V 240MOHM @ 650MA, 10V - ± 20V 137 pf @ 15 V - 500MW (TA)
SSM3K324R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K324R, LF 0.4500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-3 Platos Platos SSM3K324 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 4A (TA) 1.8V, 4.5V 55mohm @ 4a, 4.5V - ± 12V 190 pf @ 30 V - 1W (TA)
TPCA8008-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8008-H (TE12L, Q -
RFQ
 ECAD 6043 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn TPCA8008 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 250 V 4A (TA) 10V 580mohm @ 2a, 10v 4V @ 1MA 10 NC @ 10 V ± 20V 600 pf @ 10 V - 1.6W (TA), 45W (TC)
TPN4R303NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R303NL, L1Q 0.8900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn TPN4R303 Mosfet (Óxido de metal) Advance 8-TSON (3.1x3.1) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 40A (TC) 4.5V, 10V 4.3mohm @ 20a, 10v 2.3V @ 200 µA 14.8 NC @ 10 V ± 20V 1400 pf @ 15 V - 700MW (TA), 34W (TC)
TPN13008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN13008NH, L1Q 1.0600
RFQ
 ECAD 656 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn TPN13008 Mosfet (Óxido de metal) Advance 8-TSON (3.1x3.1) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 80 V 18a (TC) 10V 13.3mohm @ 9a, 10v 4V @ 200 µA 18 NC @ 10 V ± 20V 1600 pf @ 40 V - 700MW (TA), 42W (TC)
2SA1837(LBSAN,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837 (LBSAN, F, M) -
RFQ
 ECAD 2923 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2SA1837 2 W Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0075 1 230 V 1 A 1 µA (ICBO) PNP 1.5V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 100 maja, 5v 70MHz
RN2711JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2711JE (TE85L, F) 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-553 RN2711 100MW ESV descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Precializado (Dual) (Emisor Junto) 300mV @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 200MHz 10 kohms -
RN2111CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2111CT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 9861 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-101, SOT-883 RN2111 50 MW CST3 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 20 V 50 Ma 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 150mv @ 250 µA, 5 mA 300 @ 1 mapa, 5V 10 kohms
SSM6N44FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N44FU, LF 0.3600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N44 Mosfet (Óxido de metal) 200MW (TA) US6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 30V 100 mA (TA) 4ohm @ 10mA, 4V 1.5V @ 100 µA - 8.5pf @ 3V -
RN49A1(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN49A1 (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 3359 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN49A1 200MW US6 - 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz, 250MHz 2.2 kohms, 22 kohms 47 kohms
SSM5P15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5P15FU, LF 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 SSM5P15 Mosfet (Óxido de metal) 200MW (TA) USV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 30V 100 mA (TA) 12ohm @ 10mA, 4V 1.7V @ 100 µA - 9.1pf @ 3V -
RN1404S,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1404S, LF -
RFQ
 ECAD 8748 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN1404 200 MW S-Mini descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 47 kohms 47 kohms
RN1305,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1305, LF 0.2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 RN1305 100 MW SC-70 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 2.2 kohms 47 kohms
RN4910(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4910 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 1644 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN4910 200MW US6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 200MHz 4.7 kohms -
SSM6N16FE,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N16FE, L3F 0.3700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 Ssm6n16 Mosfet (Óxido de metal) 150MW (TA) ES6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 8,000 2 Canal N (Dual) 20V 100 mA (TA) 3ohm @ 10mA, 4V 1.1V @ 100 µA - 9.3pf @ 3V -
2SC2235-O(T6ASN,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-O (T6ASN, FM -
RFQ
 ECAD 2868 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SC2235 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 120 V 800 Ma 100NA (ICBO) NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 80 @ 100mA, 5V 120MHz
RN2906FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2906FE, LF (CT 0.2500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 RN2906 100MW ES6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 4.000 50V 100mA 500NA 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 4.7 kohms 47 kohms
RN1417,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1417, LF 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN1417 200 MW S-Mini descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 30 @ 10mA, 5V 250 MHz 10 kohms 4.7 kohms
TTC1949-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage TTC1949-Gr, LF 0.3100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 TTC1949 200 MW S-Mini descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 50 mA, 500 mA 180 @ 100mA, 1V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

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    Fabricantes mundiales

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