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Transistores (2488)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
RN4903(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4903 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 4486 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN4903 200MW US6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 200MHz 22 kohms 22 kohms
MT3S20P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S20P (TE12L, F) -
RFQ
 ECAD 2879 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA MT3S20 1.8w PW-Mini - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1,000 16.5dB 12V 80mera NPN 100 @ 50mA, 5V 7GHz 1.45db @ 1ghz
2SC5201,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5201, F (J -
RFQ
 ECAD 5246 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SC5201 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 1 600 V 50 Ma 1 µA (ICBO) NPN 1V @ 500 Ma, 20 Ma 100 @ 20MA, 5V -
2SC3303-Y(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3303-Y (T6L1, NQ) 1.3500
RFQ
 ECAD 206 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA 2SC3303 1 W Moldeado descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0075 2,000 80 V 5 A 1 µA (ICBO) NPN 400mv @ 150 mA, 3a 120 @ 1a, 1V 120MHz
TPN4R303NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R303NL, L1Q 0.8900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn TPN4R303 Mosfet (Óxido de metal) Advance 8-TSON (3.1x3.1) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 40A (TC) 4.5V, 10V 4.3mohm @ 20a, 10v 2.3V @ 200 µA 14.8 NC @ 10 V ± 20V 1400 pf @ 15 V - 700MW (TA), 34W (TC)
RN1964TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Rn1964te85lf 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN1964 200MW US6 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 47 kohms 47 kohms
2SC3668-Y,T2F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3668-Y, T2F (J -
RFQ
 ECAD 3546 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero SC-71 2SC3668 1 W MSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0075 1 50 V 2 A 1 µA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mm, 1a 70 @ 500mA, 2V 100MHz
SSM3K324R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K324R, LF 0.4500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-3 Platos Platos SSM3K324 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 4A (TA) 1.8V, 4.5V 55mohm @ 4a, 4.5V - ± 12V 190 pf @ 30 V - 1W (TA)
TPCA8008-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8008-H (TE12L, Q -
RFQ
 ECAD 6043 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn TPCA8008 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 250 V 4A (TA) 10V 580mohm @ 2a, 10v 4V @ 1MA 10 NC @ 10 V ± 20V 600 pf @ 10 V - 1.6W (TA), 45W (TC)
2SD2695(T6CANO,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695 (T6cano, A, F -
RFQ
 ECAD 9225 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SD2695 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 60 V 2 A 10 µA (ICBO) NPN 1.5V @ 1MA, 1A 2000 @ 1a, 2v 100MHz
SSM3J118TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J118TU (TE85L) 0.4000
RFQ
 ECAD 104 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosii Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, planos de cables SSM3J118 Mosfet (Óxido de metal) UFM descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 30 V 1.4a (TA) 4V, 10V 240MOHM @ 650MA, 10V - ± 20V 137 pf @ 15 V - 500MW (TA)
TPCP8F01(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8F01 (TE85L, F, M -
RFQ
 ECAD 3838 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 20V Interruptor de Carga Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano TPCP8 PS-8 descascar Cumplimiento de Rohs TPCP8F01 (TE85LFM EAR99 8541.21.0095 3.000 3A PNP, N-Canal
XPQ1R004PB,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPQ1R004PB, LXHQ 3.0000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101, U-Mosix-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 8-PowerBSFN XPQ1R004 Mosfet (Óxido de metal) L-togl ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 40 V 200a (TA) 6V, 10V 1mohm @ 100a, 10v 3V @ 500 µA 84 NC @ 10 V ± 20V 6890 pf @ 10 V - 230W (TC)
RN2305,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2305, LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 RN2305 100 MW SC-70 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 2.2 kohms 47 kohms
T2N7002AK,LM Toshiba Semiconductor and Storage T2N7002AK, LM 0.1500
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 T2N7002 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 200MA (TA) 4.5V, 10V 3.9ohm @ 100 mA, 10V 2.1V @ 250 µA 0.35 NC @ 4.5 V ± 20V 17 pf @ 10 V - 320MW (TA)
2SA1588-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1588-Gr, LF 0.2700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 2SA1588 100 MW SC-70 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 200 @ 100 mapa, 1v 200MHz
2SK2009TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2009TE85LF 0.5600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2SK2009 Mosfet (Óxido de metal) SC-59-3 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 200MA (TA) 2.5V 2ohm @ 50 mm, 2.5V 1.5V @ 100 µA ± 20V 70 pf @ 3 V - 200MW (TA)
2SA1020-O,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-O, F (J -
RFQ
 ECAD 1486 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SA1020 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mm, 1a 70 @ 500mA, 2V 100MHz
2SA949-Y(T6SHRP,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-Y (T6SHRP, FM -
RFQ
 ECAD 5283 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SA949 800 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 150 V 50 Ma 100NA (ICBO) PNP 800mv @ 1 MMA, 10a 70 @ 10mA, 5V 120MHz
TTC009,F(M Toshiba Semiconductor and Storage TTC009, F (M -
RFQ
 ECAD 2791 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TTC009 2 W Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0075 1 80 V 3 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 100 mm, 1a 100 @ 500 mA, 5V 150MHz
2SC5359-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5359-O (Q) 3.4000
RFQ
 ECAD 74 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A-3PL 2SC5359 180 W A-3P (L) descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable EAR99 8541.29.0075 100 230 V 15 A 5 µA (ICBO) NPN 3V @ 800mA, 8A 80 @ 1a, 5v 30MHz
2SA1837,TOA1F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837, TOA1F (J -
RFQ
 ECAD 8224 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2SA1837 2 W Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0075 1 230 V 1 A 1 µA (ICBO) PNP 1.5V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 100 maja, 5v 70MHz
RN2108(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2108 (T5L, F, T) 0.2800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-75, SOT-416 RN2108 100 MW SSM descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 22 kohms 47 kohms
RN1911FETE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Rn1911fete85lf -
RFQ
 ECAD 8032 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 RN1911 100MW ES6 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 250MHz 10 kohms -
RN2418,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2418, LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN2418 200 MW S-Mini descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 200 MHz 47 kohms 10 kohms
2SC2235-Y(T6FJT,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y (T6FJT, FM -
RFQ
 ECAD 6913 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SC2235 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 120 V 800 Ma 100NA (ICBO) NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 80 @ 100mA, 5V 120MHz
2SA1225-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1225-Y (Q) -
RFQ
 ECAD 5342 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 2SA1225 1 W Moldeado - 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0075 200 160 V 1.5 A 1 µA (ICBO) PNP 1.5V @ 50 Ma, 500 Ma 120 @ 100 mapa, 5V 100MHz
GT8G133(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage GT8G133 (TE12L, Q) -
RFQ
 ECAD 4443 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) GT8G133 Estándar 600 MW 8-TSOP descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 - - 400 V 150 A 2.9V @ 4V, 150a - 1.7 µs/2 µs
TPN19008QM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN19008QM, LQ 0.6800
RFQ
 ECAD 3445 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-MOSX-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 8Powervdfn TPN19008 Mosfet (Óxido de metal) Advance 8-TSON (3.1x3.1) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 80 V 34a (TC) 6V, 10V 19mohm @ 17a, 10v 3.5V @ 200 µA 16 NC @ 10 V ± 20V 1400 pf @ 40 V - 630MW (TA), 57W (TC)
TK39J60W5,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK39J60W5, S1VQ 12.2700
RFQ
 ECAD 3287 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 TK39J60 Mosfet (Óxido de metal) A-3p (n) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 600 V 38.8a (TA) 10V 65mohm @ 19.4a, 10v 3.7V @ 1.9MA 135 NC @ 10 V ± 30V 4100 pf @ 300 V - 270W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

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    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

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