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Transistores (2488)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) ECCN Htsus Paquete estándar Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
2SC2655-Y,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y, T6wnlf (J -
RFQ
 ECAD 2036 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SC2655 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1 µA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mm, 1a 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN1905(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1905 (T5L, F, T) 0.3400
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN1905 200MW US6 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500NA 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2 kohms 47 kohms
2SC4116-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4116-Gr, LF 0.1800
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 2SC4116 100 MW SC-70 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) NPN 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 70 @ 2mA, 6V 80MHz
RN2906(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2906 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 4115 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN2906 200MW US6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 4.7 kohms 47 kohms
2SD1407A-Y(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD1407A-Y (f) -
RFQ
 ECAD 9090 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2SD1407 30 W Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 100 V 5 A 100 µA (ICBO) NPN 2V @ 400mA, 4A 120 @ 1a, 5V 12MHz
RN1412TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Rn1412te85lf 0.3000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN1412 200 MW S-Mini descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 250 MHz 22 kohms
RN1318(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1318 (TE85L, F) 0.2800
RFQ
 ECAD 470 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 RN1318 100 MW SC-70 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 250 MHz 47 kohms 10 kohms
RN4901,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4901, LF (CT 0.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN4901 200MW US6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 30 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 4.7 kohms 4.7 kohms
RN4990(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4990 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 4976 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN4990 200MW US6 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100 µA (ICBO) 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 250MHz, 200MHz 4.7 kohms -
RN2908(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2908 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 3244 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN2908 200MW US6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 47 kohms 22 kohms
TPCA8007-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8007-H (TE12L, Q -
RFQ
 ECAD 8492 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Cinta de Corte (CT) Obsoleto TPCA8007 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000
RN1402S,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1402S, LF -
RFQ
 ECAD 4581 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN1402 200 MW S-Mini descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 250 MHz 10 kohms 10 kohms
RN2112,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2112, LF (CT 0.2000
RFQ
 ECAD 6252 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-75, SOT-416 RN2112 100 MW SSM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 200 MHz 22 kohms
RN1961(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1961 (TE85L, F) 0.4600
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN1961 200MW US6 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 30 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7 kohms 4.7 kohms
RN2404,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2404, LF 0.0289
RFQ
 ECAD 6844 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN2404 200 MW S-Mini descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 47 kohms 47 kohms
TK39N60W,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK39N60W, S1VF 5.5100
RFQ
 ECAD 7989 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 TK39N60 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 38.8a (TA) 10V 65mohm @ 19.4a, 10v 3.7V @ 1.9MA 110 NC @ 10 V ± 30V 4100 pf @ 300 V - 270W (TC)
RN2910(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2910 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 8410 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN2910 200MW US6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 200MHz 4.7 kohms -
RN2507(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2507 (TE85L, F) 0.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 RN2507 300MW SMV descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Precializado (Dual) (Emisor Junto) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 10 kohms 47 kohms
TPW1R005PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW1R005PL, L1Q 3.0300
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosix-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 8-PowerWDFN TPW1R005 Mosfet (Óxido de metal) Avance de 8-dsop descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 45 V 300A (TC) 4.5V, 10V 2.4V @ 1MA 122 NC @ 10 V ± 20V 9600 pf @ 22.5 V - 960MW (TA), 170W (TC)
2SC2655-Y(T6ND2,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y (T6ND2, AF -
RFQ
 ECAD 3741 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SC2655 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1 µA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mm, 1a 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN1406,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1406, LF 0.2200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN1406 200 MW S-Mini descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 4.7 kohms 47 kohms
RN1308,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1308, LF 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 RN1308 100 MW SC-70 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 22 kohms 47 kohms
RN1102CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1102CT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 2266 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-101, SOT-883 RN1102 50 MW CST3 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 20 V 50 Ma 500NA NPN - Pre -Sesgado 150mv @ 250 µA, 5 mA 60 @ 10mA, 5V 10 kohms 10 kohms
RN1118(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1118 (TE85L, F) 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-75, SOT-416 RN1118 100 MW SSM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 250 MHz 47 kohms 10 kohms
2SA1428-O,T2CLAF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1428-O, T2Claf (J -
RFQ
 ECAD 6034 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero SC-71 2SA1428 900 MW MSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mm, 1a 70 @ 500mA, 2V 100MHz
2SA1298-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1298-Y, LF 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1298 200 MW S-Mini descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 25 V 800 Ma 100NA (ICBO) PNP 400mv @ 20 mm, 500 mA 160 @ 100mA, 1V 120MHz
2SA1930,ONKQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1930, ONKQ (J -
RFQ
 ECAD 7793 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2SA1930 2 W Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0075 1 180 V 2 A 5 µA (ICBO) PNP 1v @ 100 mapa, 1a 100 @ 100 maja, 5v 200MHz
2SB1495,Q(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1495, Q (M -
RFQ
 ECAD 9800 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2SB1495 2 W Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 100 V 3 A 10 µA (ICBO) PNP 1.5V @ 1.5MA, 1.5a 2000 @ 2a, 2v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

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