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Transistores (100539)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
UPA1727G-E1-AT Renesas UPA1727G-E1-AT 1.5400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Renesas - Una granela Obsoleto 150 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SOP - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156 UPA1727G-E1-AT EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 60 V 10a (TA) 4V, 10V 19mohm @ 5a, 10v 2.5V @ 1MA 45 NC @ 10 V ± 20V 2400 pf @ 10 V - 2W (TA)
HS54095TZ-E Renesas HS54095TZ-E 0.7900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Renesas - Una granela Obsoleto 150 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mosfet (Óxido de metal) Un 92 - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-HS54095TZ-E EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 600 V 200MA (TA) 10V 16.5ohm @ 100 mA, 10V 5V @ 1MA 4.8 NC @ 10 V ± 30V 66 pf @ 25 V - 750MW (TA)
FD1200R12IE4B1S1BDMA1 Infineon Technologies FD1200R12IE4B1S1BDMA1 1.0000
RFQ
 ECAD 156 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Obsoleto FD1200R descascar Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-FD1200R12IE4B1S1BDMA1 EAR99 8541.29.0095 1
NTMFS4C13NBT1G onsemi Ntmfs4c13nbt1g 0.2100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-NTMFS4C13NBT1G EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 7.2a (TA), 38a (TC) 4.5V, 10V 9.1mohm @ 30a, 10V 2.1V @ 250 µA 15.2 NC @ 10 V ± 20V 770 pf @ 15 V - 750MW (TA), 21.6W (TC)
2SJ529L06-E Renesas 2SJ529L06-E 0.9400
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 Renesas - Una granela Obsoleto 150 ° C A Través del Aguetero Un 251-3 cables Largos, ipak, un 251ab Mosfet (Óxido de metal) DPAK (L)-(2) - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 2156-2SJ529L06-E EAR99 8541.29.0095 1 Canal P 60 V 10a (TA) 4V, 10V 160mohm @ 5a, 10v 2v @ 1 mapa ± 20V 580 pf @ 10 V - 20W (TC)
BLF175C Rochester Electronics, LLC BLF175C 66.6600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rochester Electronics, LLC - Una granela Obsoleto 125 V Sot-123a - Mosfet CRFM4 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 2156-Blf175c EAR99 8541.29.0075 1 N-canal 100 µA 800 Ma 30W - - 50 V
BLF245B Rochester Electronics, LLC BLF245B -
RFQ
 ECAD 8772 0.00000000 Rochester Electronics, LLC - Una granela Obsoleto 65 V Sot-279a 175MHz Mosfet CDFM4 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 2156-Blf245b EAR99 8541.29.0075 1 2 Fuente Común de Canal N (Dual) 1mera 50 Ma 30W 18dB - 28 V
FDMS8350L Fairchild Semiconductor FDMS8350L 2.1700
RFQ
 ECAD 981 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) Power56 descascar Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-FDMS8350L EAR99 8541.29.0095 139 N-canal 40 V 47a (TA), 290A (TC) 4.5V, 10V 0.85mohm @ 47a, 10V 3V @ 250 µA 242 NC @ 10 V ± 20V 17500 pf @ 20 V - 2.7W (TA), 113W (TC)
FDMS3672 Fairchild Semiconductor FDMS3672 -
RFQ
 ECAD 7179 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Mosfet (Óxido de metal) 8-MLP (5x6), Power56 descascar Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-FDMS3672 EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 100 V 7.4a (TA), 22a (TC) 6V, 10V 23mohm @ 7.4a, 10v 4V @ 250 µA 44 NC @ 10 V ± 20V 2680 pf @ 50 V - 2.5W (TA), 78W (TC)
2SK1581-T1B-A Renesas 2SK1581-T1B-A 0.1600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Renesas - Una granela Obsoleto 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) SC-59 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 2156-2SK1581-T1B-A EAR99 8541.21.0095 1 N-canal 16 V 200MA (TA) 2.5V, 4V 5ohm @ 1 MMA, 4V 1.6V @ 10 µA ± 16V 27 pf @ 3 V - 200MW (TA)
RJL5014DPP-E0#T2 Renesas Rjl5014dpp-e0#t2 5.7400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Renesas - Una granela Obsoleto 150 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-RJL5014DPP-E0#T2 EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 500 V 19a (TA) 10V 400mohm @ 9.5a, 10V 4V @ 1MA 43 NC @ 10 V ± 30V 1700 pf @ 25 V - 35W (TC)
HAT2203C-EL-E Renesas Hat2203c-el-e 0.2300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Renesas - Una granela Obsoleto 150 ° C Montaje en superficie 6-smd, planos de cables Mosfet (Óxido de metal) 6-cmfpak - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-hat2203c-el-e EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 20 V 2a (TA) 2.5V, 4.5V 90mohm @ 1a, 4.5V 1.4V @ 1MA 1.8 NC @ 4.5 V ± 12V 165 pf @ 10 V - 830MW (TA)
FDB8445 Fairchild Semiconductor FDB8445 -
RFQ
 ECAD 5935 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-FDB8445 EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 40 V 70A (TC) 10V 9mohm @ 70a, 10v 4V @ 250 µA 62 NC @ 10 V ± 20V 3805 pf @ 25 V - 92W (TC)
HAT2218R0T-EL-E Renesas Hat2218r0t-el-e 0.7600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Renesas - Una granela Obsoleto - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 2156-hat2218r0t-el-e EAR99 8541.29.0075 1
RJK6012DPP-E0#T2 Renesas Rjk6012dpp-e0#t2 2.6600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Renesas - Una granela Obsoleto 150 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 2156-RJK6012DPP-E0#T2 EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 600 V 10a (TA) 10V 920mohm @ 5a, 10v 4.5V @ 1MA 30 NC @ 10 V ± 30V 1100 pf @ 25 V - 30W (TA)
UPA1601GS-E1-A Renesas UPA1601GS-E1-A 1.8400
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Renesas - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.220 ", 5.59 mm de ancho) UPA1601 Mosfet (Óxido de metal) 1W (TA) 16-SOP - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 2156 UPA1601GS-E1-A EAR99 8542.39.0001 163 7 Canal de n 30V 270MA (TA) 5.3ohm @ 150 mm, 4V 800mv @ 150 mm - 15pf @ 10V -
MMRF1304NR1 NXP Semiconductors MMRF1304NR1 25.6700
RFQ
 ECAD 410 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Obsoleto 133 V Montaje en superficie Un 270AA 1.8MHz ~ 2GHz Ldmos Un 270-2 descascar Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-MMRF1304NR1 EAR99 8541.29.0075 1 7 µA 10 Ma 25W 25.4db - 50 V
UPA1759G-E1-A Renesas UPA1759G-E1-A 0.5300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Renesas - Una granela Obsoleto 150 ° C Montaje en superficie 8-POWERSOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-POWERSOP - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 2156 UPA1759G-E1-A EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 60 V 5A (TC) 4V, 10V 150mohm @ 2.5a, 10v 2.5V @ 1MA 8 NC @ 10 V ± 20V 190 pf @ 10 V - 2W (TA)
RJK1003DPP-E0#T2 Renesas RJK1003DPP-E0#T2 2.4000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Renesas - Una granela Obsoleto 150 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 2156-RJK1003DPP-E0#T2 EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 100 V 50A (TA) 10V 11mohm @ 25A, 10V 4V @ 1MA 59 NC @ 10 V ± 20V 4150 pf @ 10 V - 25W (TC)
FCD600N60Z Fairchild Semiconductor FCD600N60Z -
RFQ
 ECAD 6401 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-FCD600N60Z EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 600 V 7.4a (TC) 10V 600mohm @ 3.7a, 10V 3.5V @ 250 µA 26 NC @ 10 V ± 20V 1120 pf @ 25 V - 89W (TC)
2SK4150TZ-E Renesas 2sk4150tz-e 0.6300
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Renesas - Una granela Obsoleto 150 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mosfet (Óxido de metal) Un 92 - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-2SK4150TZ-E EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 250 V 400 mA (TA) 2.5V, 4V 5.7ohm @ 200Ma, 4V 1.5V @ 1MA 3.7 NC @ 4 V ± 10V 80 pf @ 25 V - 750MW (TA)
PMPB20EN/S500X NXP Semiconductors PMPB20EN/S500X 0.0700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición Mosfet (Óxido de metal) DFN2020MD-6 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 2156-PMPB20EN/S500X EAR99 8541.21.0075 1 N-canal 30 V 7.2a (TA) 4.5V, 10V 19.5mohm @ 7a, 10v 2V @ 250 µA 10.8 NC @ 10 V ± 20V 435 pf @ 10 V - 1.7W (TA), 12.5W (TC)
RQA0004LXAQS#H1 Renesas RQA0004LXAQS#H1 -
RFQ
 ECAD 8694 0.00000000 Renesas - Una granela Obsoleto 150 ° C Montaje en superficie To-243AA Mosfet (Óxido de metal) Zagal - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 2156-RQA0004LXAQS#H1 EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 16 V 300 mA (TA) - - 900mv @ 1 MMA ± 5V 10 pf @ 0 V - 3W (TA)
NP82N10PUF-E1-AY Renesas NP82N10PUF-E1-AY 2.4900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Renesas - Una granela Obsoleto 175 ° C Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) Un 263-3 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 2156-NP82N10PUF-E1-AY EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 100 V 82a (TC) 5.8v, 10v 15mohm @ 41a, 10V 3.3V @ 250 µA 96 NC @ 10 V ± 20V 4350 pf @ 25 V - 1.8W (TA), 150W (TC)
HAT1091C-EL-E Renesas Hat1091c-el-e 0.2500
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Renesas - Una granela Obsoleto 150 ° C Montaje en superficie 6-smd, planos de cables Mosfet (Óxido de metal) 6-cmfpak - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-hat1091c-el-e EAR99 8541.29.0095 1 Canal P 20 V 1.5a (TA) 2.5V, 4V 175mohm @ 800 mA, 4.5V 1.4V @ 1MA 2.6 NC @ 4.5 V ± 12V 200 pf @ 10 V - 830MW (TA)
SBC847BWT1G-M02 onsemi SBC847BWT1G-M02 0.0600
RFQ
 ECAD 243 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 310 MW SC-70-3 (SOT323) - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-SBC847BWT1G-M02 EAR99 8541.21.0095 1 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
2SC4942-AZ Renesas 2SC4942-AZ 1.2500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Renesas - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 2 W MP-2 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 2156-2SC4942-AZ EAR99 8541.29.0095 1 600 V 1 A 10 µA (ICBO) NPN 1V @ 80mA, 400 Ma 30 @ 100 mapa, 5v 30MHz
SBC846BWT1G-M02 onsemi SBC846BWT1G-M02 -
RFQ
 ECAD 4814 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 310 MW SC-70-3 (SOT323) - Rohs no conforme Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0095 1 65 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
RQA0005AQS#H1 Renesas RQA0005AQS#H1 0.5300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Renesas - Una granela Obsoleto - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 2156-RQA0005AQS#H1 EAR99 8541.29.0095 1
PMDXB550UNE,147 Nexperia USA Inc. PMDXB550UNE, 147 -
RFQ
 ECAD 4662 0.00000000 Nexperia USA Inc. - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-xfdfn almohadilla exposición PMDXB550 Mosfet (Óxido de metal) 285MW (TA), 4.03W (TC) DFN1010B-6 - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-PMDXB550UNE, 147 EAR99 8541.21.0095 1 2 Canal N (Dual) 30V 590MA (TA) 670MOHM @ 590MA, 4.5V 950MV @ 250 µA 1.05nc @ 4.5V 30.3pf @ 15V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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