SIC
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Transistores (100539)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
BUK7M8R5-40HX Nexperia USA Inc. Buk7m8r5-40hx 0.9800
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-LEAD) Buk7m8 Mosfet (Óxido de metal) LFPAK33 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 40 V 40a (TA) 10V 8.5mohm @ 15a, 10v 3.6V @ 1MA 20 NC @ 10 V +20V, -10V 1309 pf @ 25 V - 59W (TC)
PSMNR90-40YLHX Nexperia USA Inc. PSMNR90-40LHX 3.8700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-1023, 4-LFPAK PSMNR90 Mosfet (Óxido de metal) LFPAK56; Potencia-so8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 40 V 300A (TA) 4.5V, 10V 0.94mohm @ 25A, 10V 2.05V @ 1MA 168 NC @ 10 V ± 20V 12673 pf @ 20 V Diodo Schottky (Cuerpo) 333W (TA)
2N7002/HAMR Nexperia USA Inc. 2N7002/HAMR 0.2500
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 Nexperia USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 Mosfet (Óxido de metal) To-236ab descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 300 mA (TC) 4.5V, 10V 5ohm @ 500 mA, 10V 2.5V @ 250 µA ± 30V 50 pf @ 10 V - 830MW (TC)
BUK6D385-100EX Nexperia USA Inc. Buk6d385-100ex 0.5300
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición Buk6d385 Mosfet (Óxido de metal) DFN2020MD-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 1.4a (TA), 3.7a (TC) 4.5V, 10V 385mohm @ 1.5, 10V 2.7V @ 250 µA 6.8 NC @ 10 V ± 20V 195 pf @ 50 V - 2W (TA), 15W (TC)
PMV28ENEAR Nexperia USA Inc. PMV28ENEBERA 0.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 PMV28 Mosfet (Óxido de metal) To-236ab descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 4.4a (TA) 4.5V, 10V 37mohm @ 4.4a, 10V 2.5V @ 250 µA 8 NC @ 10 V ± 20V 266 pf @ 15 V - 660MW (TA), 8.3W (TC)
PMV30ENEAR Nexperia USA Inc. PMV30Enear 0.4600
RFQ
 ECAD 9492 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 PMV30 Mosfet (Óxido de metal) To-236ab descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 4.8a (TA) 4.5V, 10V 30mohm @ 4.8a, 10V 2.5V @ 250 µA 11.7 NC @ 10 V ± 20V 440 pf @ 20 V - 710MW (TA), 8.3W (TC)
ZXMN3B01FTC Diodes Incorporated Zxmn3b01ftc 0.1721
RFQ
 ECAD 3752 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 ZXMN3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Zxmn3b01ftcdi EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 30 V 1.7a (TA) 2.5V, 4.5V 150mohm @ 1.7a, 4.5V 700mV @ 250 µA (min) 2.93 NC @ 4.5 V ± 12V 258 pf @ 15 V - 625MW (TA)
ZXTD6717E6QTA Diodes Incorporated Zxtd6717e6qta 0.3493
RFQ
 ECAD 6323 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 Zxtd6717 1.1w Sot-26 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Zxtd6717e6qtadi EAR99 8541.29.0075 3.000 15V, 12V 1.5a, 1.25a 10NA NPN, PNP 245mv @ 20MA, 1.5A / 240MV @ 100MA, 1.25A 300 @ 100 mapa, 2v 180MHz, 220MHz
DMP2077UCA3-7 Diodes Incorporated Dmp2077uca3-7 0.4100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-xfdfn DMP2077 Mosfet (Óxido de metal) X4-DSN1006-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 Canal P 20 V 4A (TA) 1.5V, 8V 78mohm @ 500 mA, 8V 1V @ 250 µA 1.34 NC @ 4.5 V ± 12V 143 pf @ 10 V - 660MW
DMP2079LCA3-7 Diodes Incorporated DMP2079LCA3-7 0.1027
RFQ
 ECAD 5282 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-xfdfn DMP2079 Mosfet (Óxido de metal) X4-DSN1006-3 (TUPO B) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMP2079LCA3-7DI EAR99 8541.21.0095 10,000 Canal P 20 V 3.4a (TA) 1.8v, 8V 78mohm @ 500 mA, 8V 1.2V @ 250 µA 1.1 NC @ 4.5 V -12V 152 pf @ 10 V - 810MW
DMP2109UVT-13 Diodes Incorporated DMP2109UVT-13 0.0874
RFQ
 ECAD 6996 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 DMP2109 Mosfet (Óxido de metal) TSOT-26 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMP2109UVT-13DI EAR99 8541.29.0095 10,000 Canal P 20 V 3.7a (TA) 2.5V, 4.5V 80mohm @ 2.8a, 4.5V 1V @ 250 µA 6 NC @ 4.5 V ± 10V 443 pf @ 10 V - 1.2W (TA)
DMP2900UW-13 Diodes Incorporated DMP2900UW-13 0.0498
RFQ
 ECAD 2364 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 DMP2900 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMP2900UW-13DI EAR99 8541.21.0095 10,000 Canal P 20 V 600 mA (TA) 1.8V, 4.5V 750mohm @ 430mA, 4.5V 1V @ 250 µA 0.7 NC @ 4.5 V ± 6V 49 pf @ 16 V - 300MW
DMP3007SCGQ-13 Diodes Incorporated DMP3007SCGQ-13 0.5835
RFQ
 ECAD 5273 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMP3007 Mosfet (Óxido de metal) V-DFN3333-8 (TUPO B) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMP3007SCGQ-13DI EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 50A (TC) 4.5V, 10V 6.8mohm @ 11.5a, 10V 3V @ 250 µA 64.2 NC @ 10 V ± 25V 2826 pf @ 15 V - 1W (TA)
DMP3007SCGQ-7 Diodes Incorporated DMP3007SCGQ-7 1.3800
RFQ
 ECAD 980 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMP3007 Mosfet (Óxido de metal) V-DFN3333-8 (TUPO B) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 Canal P 30 V 50A (TC) 4.5V, 10V 6.8mohm @ 11.5a, 10V 3V @ 250 µA 64.2 NC @ 10 V ± 25V 2826 pf @ 15 V - 1W (TA)
DMP31D7LDW-7 Diodes Incorporated Dmp31d7ldw-7 0.0706
RFQ
 ECAD 6056 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 DMP31 Mosfet (Óxido de metal) Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Dmp31d7ldw-7di EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 550 mA (TA) 900mohm @ 420 mm, 10V 2.6V @ 250 µA -
DMP32D9UDA-7B Diodes Incorporated Dmp32d9uda-7b 0.0820
RFQ
 ECAD 5966 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-SMD, sin Plomo DMP32 Mosfet (Óxido de metal) X2-DFN0806-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Dmp32d9uda-7bdi EAR99 8541.21.0095 10,000 2 Canal P (Dual) 220 Ma (TA) 5ohm @ 100 mm, 4.5V 1V @ 250 µA -
DMP4011SK3Q-13 Diodes Incorporated DMP4011SK3Q-13 0.5555
RFQ
 ECAD 8804 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMP4011 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados DMP4011SK3Q-13DI EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 40 V 14a (TA), 74A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 9.8a, 10V 2.5V @ 250 µA 52 NC @ 10 V ± 20V 2747 pf @ 20 V - 1.8W (TA), 5W (TC)
DMT10H009LH3 Diodes Incorporated Dmt10h009lh3 0.8644
RFQ
 ECAD 8310 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak DMT10 Mosfet (Óxido de metal) Un 251 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados Dmt10h009lh3di EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 100 V 84a (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA 20.2 NC @ 4.5 V ± 20V 2309 pf @ 50 V - 96W (TC)
DMT10H009LPS-13 Diodes Incorporated DMT10H009LPS-13 0.9100
RFQ
 ECAD 6685 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMT10 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 10a (TA), 90A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA 40.2 NC @ 10 V ± 20V 2309 pf @ 50 V - 1.3W (TA)
DMT10H015SK3-13 Diodes Incorporated DMT10H015SK3-13 0.4122
RFQ
 ECAD 1151 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMT10 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados DMT10H015SK3-13DI EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 54a (TC) 6V, 10V 14mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 30.1 NC @ 10 V ± 20V 2343 pf @ 50 V - 1.8W (TA), 4.2W (TC)
DMT3006LPB-13 Diodes Incorporated DMT3006LPB-13 0.2533
RFQ
 ECAD 4085 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMT3006 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 (TUPO S) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMT3006LPB-13DI EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 11a (TA), 35A (TC), 14a (TA), 50A (TC) 11.1mohm @ 11.5a, 10v, 6mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA -
DMT47M2LDVQ-7 Diodes Incorporated DMT47M2LDVQ-7 1.1000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMT47 Mosfet (Óxido de metal) 2.34W (TA), 14.8W (TC) PowerDI3333-8 (TUPO UXC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 2 Canal N (Dual) 40V 11.9a (TA), 30.2a (TC) 10.8mohm @ 20a, 10v 2.3V @ 250 µA 14nc @ 10V 891pf @ 20V -
DMT47M2SFVW-13 Diodes Incorporated DMT47M2SFVW-13 0.2451
RFQ
 ECAD 7657 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8Powervdfn DMT47 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (SWP) Tipo UX descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMT47M2SFVW-13DI EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 15.4a (TA), 49.1a (TC) 10V 7.5mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 12.1 NC @ 10 V ± 20V 897 pf @ 20 V - 2.67W (TA), 27.1W (TC)
DMT47M2SFVWQ-13 Diodes Incorporated DMT47M2SFVWQ-13 0.3546
RFQ
 ECAD 9283 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8Powervdfn DMT47 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (SWP) Tipo UX descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMT47M2SFVWQ-13DI EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 15.4a (TA), 49.1a (TC) 10V 7.5mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 12.1 NC @ 10 V ± 20V 897 pf @ 20 V - 2.67W (TA), 27.1W (TC)
DMT6012LFV-13 Diodes Incorporated DMT6012LFV-13 0.2478
RFQ
 ECAD 2623 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMT6012 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (Tipo UX) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMT6012LFV-13DI EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 43.3a (TC) 4.5V, 10V 12mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA 22.2 NC @ 10 V ± 20V 1522 pf @ 30 V - 1.95W (TA), 33.78W (TC)
DMT8008SPS-13 Diodes Incorporated DMT8008SPS-13 0.3849
RFQ
 ECAD 6114 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMT8008 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados DMT8008SPS-13DI EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 80 V 83A (TC) 6V, 10V 7.8mohm @ 14a, 10v 4V @ 1MA 34 NC @ 10 V ± 20V 1950 pf @ 40 V - 1.3W (TA), 83W (TC)
DMTH41M8SPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH41M8SPSQ-13 1.8200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH41 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 (Tipo K) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 100A (TC) 10V 1.8mohm @ 30a, 10v 4V @ 250 µA 79.5 NC @ 10 V ± 20V 6968 pf @ 20 V - 3.03W
DMTH43M8LFG-13 Diodes Incorporated DMTH43M8LFG-13 0.4035
RFQ
 ECAD 2701 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMTH43 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados DMTH43M8LFG-13DI EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 24a (TA), 100a (TC) 5V, 10V 3mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA 40.1 NC @ 10 V ± 20V 2798 pf @ 20 V - 2.62W (TA), 65.2W (TC)
IMW120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies IMW120R220M1HXKSA1 9.4500
RFQ
 ECAD 368 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IMW120 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) PG-TO247-3-41 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado SP001946188 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1200 V 13a (TC) 15V, 18V 286mohm @ 4a, 18V 5.7V @ 1.6MA 8.5 NC @ 18 V +23V, -7V 289 pf @ 800 V - 75W (TC)
IMZ120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies IMZ120R090M1HXKSA1 14.1900
RFQ
 ECAD 665 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-4 IMZ120 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) PG-TO247-4-1 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1200 V 26a (TC) 15V, 18V 117mohm @ 8.5a, 18V 5.7V @ 3.7MA 21 NC @ 18 V +23V, -7V 707 pf @ 800 V - 115W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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