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Transistores (100539)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Condición de PrueBa	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Figura de ruido	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició
Auirf1010ez	1.2600	RFQ	6	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3				Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	0000.00.0000	1	N-canal						60 V	75A (TC)		8.5mohm @ 51a, 10v	4V @ 250 µA	86 NC @ 10 V		2810 pf @ 25 V	-	140W (TC)
IRFR9110	0.6500	RFQ	554	Harris Corporation	-	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63				Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak (TO-252AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	0000.00.0000	1	Canal P						100 V	3.1a (TC)		1.2ohm @ 1.9a, 10V	4V @ 250 µA	8.7 NC @ 10 V	± 20V	200 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 25W (TC)
IRFS7730-7PPBF	-	RFQ	9846	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	0000.00.0000	1	N-canal						75 V	240a (TC)		2mohm @ 100a, 10v	3.7V @ 250 µA	428 NC @ 10 V	± 20V	13970 pf @ 25 V	-	375W (TC)
Ksa733gbu	0.0200	RFQ	105	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA)	KSA733				250 MW	Un 92-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	0000.00.0000	1																				50 V	150 Ma							100NA (ICBO)	PNP	300mv @ 10 Ma, 100 Ma	200 @ 1 MMA, 6V	180MHz
MMBTA14-NB05232	0.1400	RFQ	21	Semiconductor de fairchild	*	Una granela	Activo											-	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido	EAR99	8542.21.0075	3.000
MRF8S18120HSR3,128	-	RFQ	2731	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					MRF8S18120			-			descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido			1															-
Auirfsl8408	1.8100	RFQ	1	Rectificador internacional	Hexfet®	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA				Mosfet (Óxido de metal)		Un 262	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	0000.00.0000	1	N-canal						40 V	195a (TC)		1.6mohm @ 100a, 10v	3.9V @ 250 µA	324 NC @ 10 V		10820 pf @ 25 V	-	294W (TC)
FDMC8010A	1.1100	RFQ	6	Semiconductor de fairchild	*	Una granela	Activo					FDMC8010			-			-	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido	EAR99	8542.39.0001	3.000															-
Buk9e1r9-40e	1.0000	RFQ	1158	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo											-	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	0000.00.0000	1
PHPT610035NK, 115	-	RFQ	8554	Nexperia USA Inc.	*	Una granela	Activo											descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido			1
SGH10N60RUFDTU	2.1000	RFQ	173	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-3P-3, SC-65-3	SGH10N60	Estándar			75 W	Un 3pn	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	0000.00.0000	1			300V, 10a, 20ohm, 15V															60 ns	-	600 V	16 A	30 A	2.8V @ 15V, 10a	141 µJ (Encendido), 215 µJ (apaguado)	30 NC	15ns/36ns
Sps9565rlra	-	RFQ	2703	onde	*	Una granela	Activo											-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados			2,000
2SA1450S-AA	0.1400	RFQ	7598	onde	*	Una granela	Activo											-	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido			1.500
SP000629364	0.4600	RFQ	1	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3				Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO20-3-1	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido			1	N-canal						600 V	4.4a (TC)	10V	950mohm @ 1.5a, 10V	3.5V @ 130 µA	13 NC @ 10 V	± 20V	280 pf @ 100 V	-	37W (TC)
BLF8G10LS-270V, 112	79.6700	RFQ	13	NXP USA Inc.	-	Tubo	Activo	65 V			Sot-1244b	BLF8		871.5MHz ~ 891.5MHz	Ldmos		CDFM6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido	EAR99	0000.00.0000	5		-		2 A	67W	19.5dB											-										28 V
IGT6D10	2.0700	RFQ	8868	Harris Corporation	-	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-204AA		Lógica			75 W	A 3	descascar	No Aplicable	3 (168 Horas)	Vendedor indefinido	EAR99	0000.00.0000	106			-																-	400 V	10 A	40 A	2.7V @ 15V, 10a	-		-
RFP50N06R4034	0.6100	RFQ	3	Harris Corporation	*	Una granela	Activo					RFP50			-			-	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido	EAR99	8542.39.0001	1															-
Buz60bu	9.8400	RFQ	200	Harris Corporation	*	Una granela	Activo					Buz60			-			-	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		0000.00.0000	1															-
AuIRFS3207Z-INF	-	RFQ	5796	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	0000.00.0000	100	N-canal						75 V	120a (TC)		4.1mohm @ 75a, 10v	4V @ 150 µA	170 NC @ 10 V	± 20V	6920 pf @ 50 V	-	300W (TC)
2SB808F-SPA-ON	0.0500	RFQ	35	onde	*	Una granela	Activo					2SB808			-			-	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido	EAR99	8541.21.0075	1															-
PSMN070-200P, 127-NXP	-	RFQ	8242	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3				Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados	EAR99	0000.00.0000	1,000	N-canal						200 V	35A (TC)	10V	70mohm @ 17a, 10v	4V @ 1MA	77 NC @ 10 V	± 20V	4570 pf @ 25 V	-	250W (TC)
Buk7e5r2-100e, 127-nxp	1.0000	RFQ	7907	NXP USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA				Mosfet (Óxido de metal)		I2pak	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados	EAR99	0000.00.0000	1	N-canal						100 V	120a (TC)	10V	5.2mohm @ 25A, 10V	4V @ 1MA	180 NC @ 10 V	± 20V	11810 pf @ 25 V	-	349W (TC)
2sc4521t-td-e-sy	0.2000	RFQ	89	Sanyo	*	Una granela	Activo											-	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido	EAR99	8541.29.0075	1,000
CPH3210-TL-E-SY	0.1600	RFQ	218	Sanyo	*	Una granela	Activo											-	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido	EAR99	8541.21.0075	3.000
MCH6631-TL-E-SY	0.0900	RFQ	93	Sanyo	*	Una granela	Activo					MCH6631			-			-	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido	EAR99	8542.39.0001	3.000															-
IRFHM8334TRPBF-INF	-	RFQ	4457	Infineon Technologies	Hexfet®	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8Powervdfn				Mosfet (Óxido de metal)		8-PQFN-DUAL (3.3x3.3), Power33	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	0000.00.0000	1	N-canal						30 V	13a (TA), 43A (TC)		9mohm @ 20a, 10v	2.35V @ 25 µA	15 NC @ 10 V	± 20V	1180 pf @ 10 V	-	2.7W (TA), 28W (TC)
KST5087MTF-FS	0.0200	RFQ	33	Semiconductor de fairchild	-	Una granela	Activo		-	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3					350 MW	Sot-23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	0000.00.0000	3.000																				50 V	50 Ma							50NA (ICBO)	PNP	300mv @ 1 mapa, 10 ma	250 @ 10mA, 5V	40MHz
5HN01M-TL-E-SA	0.0900	RFQ	246	Sanyo	-	Una granela	Activo		150 ° C	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323				Mosfet (Óxido de metal)		MCP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	0000.00.0000	3.000	N-canal						50 V	100 mA (TA)		7.5ohm @ 50 mm, 10v	2.4V @ 100 µA	1.4 NC @ 10 V	± 20V	6200 pf @ 10 V	-	150MW (TA)
PMN40UPE, 115-NEX	-	RFQ	6751	Nexperia USA Inc.	-	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-74, SOT-457				Mosfet (Óxido de metal)		6-TSOP	-	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	0000.00.0000	3.000	Canal P						20 V	4.7a (TA)	1.8V, 4.5V	43mohm @ 3a, 4.5V	950MV @ 250 µA	23 NC @ 4.5 V	± 8V	1820 pf @ 10 V	-	500MW (TA), 8.33W (TC)
Blp9la25sgz	17.1400	RFQ	1080	AMpleon USA Inc.	BLP	Tape & Reel (TR)	Activo	13.6 V		Montaje en superficie	SOT-1483-1	BLP9		1MHz ~ 941MHz	Ldmos		SOT1483-1	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.29.0095	500		-			25W	18.4db											-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
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Transistores (100539)

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2800+

15,000 m2

15,000 m²