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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de funciones | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Condición de PrueBa | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
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![]() | Mps651rlrm | 0.0900 | ![]() | 308 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | MPS651 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTD2955-001 | - | ![]() | 8005 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | NTD29 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDZ208P | 1.3400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 30 WFBGA | Mosfet (Óxido de metal) | 30-BGA (4x3.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 12.5a (TA) | 4.5V, 10V | 10.5mohm @ 12.5a, 10V | 3V @ 250 µA | 35 NC @ 5 V | ± 25V | 2409 pf @ 15 V | - | 2.2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqp3n60 | 0.5900 | ![]() | 45 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 3A (TC) | 10V | 3.6ohm @ 1.5a, 10V | 5V @ 250 µA | 13 NC @ 10 V | ± 30V | 450 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF9N25CT | 0.5700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 250 V | 8.8a (TC) | 10V | 430mohm @ 4.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 35 NC @ 10 V | ± 30V | 710 pf @ 25 V | - | 38W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NE3521M04-T2-A | 0.2100 | ![]() | 39 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 4 V | 4-smd, planos de cables | 20GHz | Gaas HJ-Fet | descascar | No Aplicable | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | N-canal | 70 Ma | 6 MA | - | 11db | 0.85dB | 2 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fjn3303bu | - | ![]() | 6963 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 1.1 W | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400 V | 1.5 A | 10 µA (ICBO) | NPN | 3V @ 500mA, 1.5a | 14 @ 500mA, 2V | 4MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdj1028n | 0.2900 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-75-6 FLMP | FDJ1028 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.5w | SC75-6 FLMP | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 3.2a | 90mohm @ 3.2a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 3NC @ 4.5V | 200pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76409D3S | 0.2500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.224 | N-canal | 60 V | 18a (TC) | 4.5V, 10V | 63mohm @ 18a, 10v | 3V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 16V | 485 pf @ 25 V | - | 49W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75637S3ST | 1.4800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 44a (TC) | 10V | 30mohm @ 44a, 10V | 4V @ 250 µA | 108 NC @ 20 V | ± 20V | 1700 pf @ 25 V | - | 155W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mmbt3416lt3 | 0.0200 | ![]() | 80 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | MMBT3416 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RJK0368DPA-00#J0 | 0.4400 | ![]() | 61 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Mosfet (Óxido de metal) | 8-wpak | - | No Aplicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 20A (TA) | 14.3mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 1MA | 6.2 NC @ 4.5 V | 730 pf @ 10 V | - | 25W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGH20N6S2D | 0.7600 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Estándar | 125 W | To-247 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 150 | 390v, 7a, 25ohm, 15V | 31 ns | - | 600 V | 28 A | 40 A | 2.7V @ 15V, 7a | 25 µJ (Encendido), 58 µJ (apaguado) | 30 NC | 7.7ns/87ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqpf30n06 | 0.5300 | ![]() | 85 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 21a (TC) | 10V | 40mohm @ 10.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 25V | 945 pf @ 25 V | - | 39W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqi13n06ltu | 0.7200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak (TO-262) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 13.6a (TC) | 5V, 10V | 110mohm @ 6.8a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 6.4 NC @ 5 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 3.75W (TA), 45W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
FP7G50US60 | 28.2600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Power-Spm ™ | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | EPM7 | 250 W | Estándar | EPM7 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 11 | Medio puente | - | 600 V | 50 A | 2.8V @ 15V, 50A | 250 µA | No | 2.92 NF @ 30 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP32N12V2 | 0.5900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 120 V | 32A (TC) | 10V | 50mohm @ 16a, 10v | 4V @ 250 µA | 53 NC @ 10 V | ± 30V | 1860 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sgs13n60ufdtu | 0.5100 | ![]() | 118 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | SGS13 | Estándar | 45 W | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 300V, 6.5a, 50ohm, 15V | 55 ns | - | 600 V | 13 A | 52 A | 2.6V @ 15V, 6.5a | 85 µJ (Encendido), 95 µJ (apaguado) | 25 NC | 20ns/70ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB3672 | 1.9100 | ![]() | 160 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 7.2a (TA), 44A (TC) | 6V, 10V | 28mohm @ 44a, 10V | 4V @ 250 µA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 1710 pf @ 25 V | - | 120W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75329D3S | 0.9600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.800 | N-canal | 55 V | 20A (TC) | 10V | 26mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 65 NC @ 20 V | ± 20V | 1060 pf @ 25 V | - | 128W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA42RA | 1.0000 | ![]() | 8905 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | Un 92-3 | - | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 300 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 2 mm, 20 mm | 40 @ 30mA, 10V | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF17N08 | 0.3400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 80 V | 11.2a (TC) | 10V | 115mohm @ 5.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 25V | 450 pf @ 25 V | - | 30W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFP8P05 | 1.0000 | ![]() | 1742 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 50 V | 8a (TC) | 300mohm @ 8a, 10v | 4V @ 250 µA | 80 NC @ 20 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTLTD7900ZR2 | 0.2100 | ![]() | 37 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | Ntltd79 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AFGHL75T65SQDT | 6.5000 | ![]() | 5594 | 0.00000000 | onde | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Afghl75 | Estándar | 375 W | TO-247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 488-AFGHL75T65SQDT | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 75a, 4.7ohm, 15V | 75 ns | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 80 A | 300 A | 2.1V @ 15V, 75a | 2.12mj (Encendido), 1.14mj (apaguado) | 136 NC | 24ns/106ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVHL020N090SC1 | 47.7200 | ![]() | 307 | 0.00000000 | onde | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | NVHL020 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | TO-247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 488-NVHL020N090SC1 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 900 V | 118a (TC) | 15V | 28mohm @ 60a, 15V | 4.3V @ 20MA | 196 NC @ 15 V | +19V, -10V | 4415 pf @ 450 V | - | 503W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Nvtfs014p04m8ltag | 1.0500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | onde | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Nvtfs014 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-WDFN (3.3x3.3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | Canal P | 40 V | 11.3a (TA), 49A (TC) | 4.5V, 10V | 13.8mohm @ 15a, 10v | 2.4V @ 420 µA | 26.5 NC @ 10 V | ± 20V | 1734 pf @ 20 V | - | 3.2W (TA), 61W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVMFS5C628NWFT1G | 2.9500 | ![]() | 9284 | 0.00000000 | onde | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn, 5 cables | Nvmfs5 | Mosfet (Óxido de metal) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 60 V | 28a (TA), 150a (TC) | 10V | 3mohm @ 27a, 10v | 4V @ 135 µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 2630 pf @ 30 V | - | 3.7W (TA), 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTHL020N090SC1 | 41.1400 | ![]() | 3911 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | NTHL020 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | TO-247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 900 V | 118a (TC) | 15V | 28mohm @ 60a, 15V | 4.3V @ 20MA | 196 NC @ 15 V | +19V, -10V | 4415 pf @ 450 V | - | 503W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTHL020N120SC1 | 42.6300 | ![]() | 4884 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | NTHL020 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | TO-247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 488-NTHL020N120SC1 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 1200 V | 103A (TC) | 20V | 28mohm @ 60a, 20V | 4.3V @ 20MA | 203 NC @ 20 V | +25V, -15V | 2890 pf @ 800 V | - | 535W (TC) |
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