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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Condición de PrueBa | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) | Figura de Ruido (db typ @ f) |
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![]() | 2SK3814-AZ | 1.5200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 60A (TC) | 8.7mohm @ 30a, 10v | - | 95 NC @ 10 V | 5450 pf @ 10 V | - | 1W (TA), 84W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksc2258astu | 0.1200 | ![]() | 33 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | 4 W | A-126-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0075 | 60 | 300 V | 100 mA | - | NPN | 1.2V @ 5 mm, 50 Ma | 40 @ 40mA, 20V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDH50N50 | 10.3700 | ![]() | 761 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Unifet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Mosfet (Óxido de metal) | To-247 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 500 V | 48a (TC) | 10V | 105mohm @ 24a, 10v | 5V @ 250 µA | 137 NC @ 10 V | ± 30V | 6460 pf @ 25 V | - | 625W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqu4n50tu | 0.7000 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.040 | N-canal | 500 V | 2.6a (TC) | 10V | 2.7ohm @ 1.3a, 10v | 5V @ 250 µA | 13 NC @ 10 V | ± 30V | 460 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQD5N50CTM | 0.5100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 500 V | 4A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 2a, 10v | 4V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 30V | 625 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 48W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqu6n25tu | 0.5500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 70 | N-canal | 250 V | 4.4a (TC) | 10V | 1ohm @ 2.2a, 10v | 5V @ 250 µA | 8.5 NC @ 10 V | ± 30V | 300 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UPA2521T1H-T2-AT | 0.7200 | ![]() | 84 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Mosfet (Óxido de metal) | 8-VSOF | - | No Aplicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 8a (TA) | 16.5mohm @ 8a, 10v | 2.5V @ 1MA | 7.6 NC @ 5 V | 780 pf @ 15 V | - | 1W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KST63MTF | - | ![]() | 1399 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Darlington | 1.5V @ 100 µA, 100 mA | 10000 @ 100mA, 5V | 125MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksc2756ymtf | 0.0200 | ![]() | 6280 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 150MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,295 | 15dB ~ 23dB | 20V | 30mera | NPN | 120 @ 5mA, 10V | 850MHz | 6.5dB @ 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDS9410A | 0.6800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 7.3a (TA) | 4.5V, 10V | 28mohm @ 7.3a, 10v | 3V @ 250 µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 830 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksc1845pta | 1.0000 | ![]() | 9449 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 120 V | 50 Ma | 50NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 1 mapa, 10 ma | 200 @ 1 MMA, 6V | 110MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76013P3 | 0.2900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 20 V | 20A (TC) | 5V, 10V | 22mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 624 pf @ 20 V | - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76432S3ST | 0.5100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 59A (TC) | 4.5V, 10V | 17mohm @ 59a, 10v | 3V @ 250 µA | 53 NC @ 10 V | ± 16V | 1765 pf @ 25 V | - | 130W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTJD4401NT2 | - | ![]() | 7333 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | NTJD44 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDF05N50ZH | 0.2800 | ![]() | 1874 | 0.00000000 | Sanyo | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | To20-3 paqueto entero | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 5.5a (TA) | 1.5ohm @ 2.2a, 10v | 4.5V @ 50 µA | 28 NC @ 10 V | ± 30V | 632 pf @ 25 V | - | 30W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NE4210S01-T1B | 1.0000 | ![]() | 5276 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 4 V | 4-SMD | 12 GHz | HFET | SMD | descascar | No Aplicable | EAR99 | 8541.21.0075 | 4.000 | 15 Ma | 10 Ma | - | 13dB | 0.5db | 2 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UPA620TT-E1-A | 0.2700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | 6-smd, planos de cables | Mosfet (Óxido de metal) | 6-WSOF | - | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 5A (TA) | 38mohm @ 2.5a, 4.5V | 1.5V @ 1MA | 5.5 NC @ 4 V | 450 pf @ 10 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76413DK8T | 0.6400 | ![]() | 2206 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | HUFA76413 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.5w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 5.1a | 49mohm @ 5.1a, 10V | 3V @ 250 µA | 23nc @ 10V | 620pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGH30n120ftdtu | 1.0000 | ![]() | 7432 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Estándar | 339 W | To-247 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 150 | - | 730 ns | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 60 A | 90 A | 2V @ 15V, 30a | - | 208 NC | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSW56RLRP | 0.0700 | ![]() | 287 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) | MPSW56 | 1 W | TO-92 (TO-226) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 80 V | 500 mA | 500NA | PNP | 500mv @ 10 Ma, 250 Ma | 50 @ 250 Ma, 1V | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1977-T1B-A | - | ![]() | 2721 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 200MW | SOT23-3 (TO-236) | descascar | No Aplicable | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12dB | 12V | 50mera | PNP | 20 @ 20MA, 8V | 8.5 GHz | 1.5db @ 1ghz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTD65N03R-35G | 0.1400 | ![]() | 524 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | To-251-3 Stub Leads, ipak | NTD65 | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 25 V | 65a (TC) | 8.4mohm @ 30a, 10v | 2V @ 250 µA | 16 NC @ 5 V | 1400 pf @ 20 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSP8098TA | 0.0200 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 60 V | 500 mA | 100na | NPN | 300mv @ 10 Ma, 100 Ma | 100 @ 1 mapa, 5v | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJY3015R | 0.0200 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | FJY301 | SOT-523F | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB5N50CFTM | - | ![]() | 3311 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | FRFET® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 58 | N-canal | 500 V | 5A (TC) | 10V | 1.55ohm @ 2.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 30V | 625 pf @ 25 V | - | 96W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Si4420dy | - | ![]() | 1290 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 272 | N-canal | 30 V | 12.5a (TA) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 12.5a, 10v | 1V @ 250 µA | 53 NC @ 5 V | ± 20V | 2180 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76619D3ST | 0.3600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 18a (TC) | 4.5V, 10V | 85mohm @ 18a, 10v | 3V @ 250 µA | 29 NC @ 10 V | ± 16V | 767 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS4080N3 | 1.6600 | ![]() | 39 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 V | 13a (TA) | 10V | 10.5mohm @ 13a, 10v | 5V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 1750 pf @ 20 V | - | 3W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMPQ2907 | 1.0000 | ![]() | 2228 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | - | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | MMPQ29 | 1W | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 40V | 600mA | 50NA (ICBO) | 4 PNP (Quad) | 1.6v @ 30 mA, 300 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDS9959 | 0.4700 | ![]() | 7722 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | NDS995 | Mosfet (Óxido de metal) | 900MW | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 50V | 2A | 300mohm @ 1.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 15NC @ 10V | 250pf @ 25V | - |
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