SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
2SK3814-AZ Renesas Electronics America Inc 2SK3814-AZ 1.5200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) Un 251 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 60A (TC) 8.7mohm @ 30a, 10v - 95 NC @ 10 V 5450 pf @ 10 V - 1W (TA), 84W (TC)
KSC2258ASTU Fairchild Semiconductor Ksc2258astu 0.1200
RFQ
ECAD 33 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 4 W A-126-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0075 60 300 V 100 mA - NPN 1.2V @ 5 mm, 50 Ma 40 @ 40mA, 20V 100MHz
FDH50N50 Fairchild Semiconductor FDH50N50 10.3700
RFQ
ECAD 761 0.00000000 Semiconductor de fairchild Unifet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 500 V 48a (TC) 10V 105mohm @ 24a, 10v 5V @ 250 µA 137 NC @ 10 V ± 30V 6460 pf @ 25 V - 625W (TC)
FQU4N50TU Fairchild Semiconductor Fqu4n50tu 0.7000
RFQ
ECAD 27 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 5.040 N-canal 500 V 2.6a (TC) 10V 2.7ohm @ 1.3a, 10v 5V @ 250 µA 13 NC @ 10 V ± 30V 460 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 45W (TC)
FQD5N50CTM Fairchild Semiconductor FQD5N50CTM 0.5100
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 500 V 4A (TC) 10V 1.4ohm @ 2a, 10v 4V @ 250 µA 24 NC @ 10 V ± 30V 625 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 48W (TC)
FQU6N25TU Fairchild Semiconductor Fqu6n25tu 0.5500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 70 N-canal 250 V 4.4a (TC) 10V 1ohm @ 2.2a, 10v 5V @ 250 µA 8.5 NC @ 10 V ± 30V 300 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 45W (TC)
UPA2521T1H-T2-AT Renesas Electronics America Inc UPA2521T1H-T2-AT 0.7200
RFQ
ECAD 84 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano Mosfet (Óxido de metal) 8-VSOF - No Aplicable EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 8a (TA) 16.5mohm @ 8a, 10v 2.5V @ 1MA 7.6 NC @ 5 V 780 pf @ 15 V - 1W (TA)
KST63MTF Fairchild Semiconductor KST63MTF -
RFQ
ECAD 1399 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto - Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP - Darlington 1.5V @ 100 µA, 100 mA 10000 @ 100mA, 5V 125MHz
KSC2756YMTF Fairchild Semiconductor Ksc2756ymtf 0.0200
RFQ
ECAD 6280 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 150MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,295 15dB ~ 23dB 20V 30mera NPN 120 @ 5mA, 10V 850MHz 6.5dB @ 200MHz
NDS9410A Fairchild Semiconductor NDS9410A 0.6800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 7.3a (TA) 4.5V, 10V 28mohm @ 7.3a, 10v 3V @ 250 µA 22 NC @ 10 V ± 20V 830 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
KSC1845PTA Fairchild Semiconductor Ksc1845pta 1.0000
RFQ
ECAD 9449 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 120 V 50 Ma 50NA (ICBO) NPN 300mv @ 1 mapa, 10 ma 200 @ 1 MMA, 6V 110MHz
HUF76013P3 Fairchild Semiconductor HUF76013P3 0.2900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 20 V 20A (TC) 5V, 10V 22mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 20V 624 pf @ 20 V - 50W (TC)
HUFA76432S3ST Fairchild Semiconductor HUFA76432S3ST 0.5100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 59A (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 59a, 10v 3V @ 250 µA 53 NC @ 10 V ± 16V 1765 pf @ 25 V - 130W (TC)
NTJD4401NT2 onsemi NTJD4401NT2 -
RFQ
ECAD 7333 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto NTJD44 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000
NDF05N50ZH Sanyo NDF05N50ZH 0.2800
RFQ
ECAD 1874 0.00000000 Sanyo - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) To20-3 paqueto entero descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 5.5a (TA) 1.5ohm @ 2.2a, 10v 4.5V @ 50 µA 28 NC @ 10 V ± 30V 632 pf @ 25 V - 30W (TC)
NE4210S01-T1B Renesas Electronics America Inc NE4210S01-T1B 1.0000
RFQ
ECAD 5276 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - Una granela Obsoleto 4 V 4-SMD 12 GHz HFET SMD descascar No Aplicable EAR99 8541.21.0075 4.000 15 Ma 10 Ma - 13dB 0.5db 2 V
UPA620TT-E1-A Renesas Electronics America Inc UPA620TT-E1-A 0.2700
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - Una granela Obsoleto Montaje en superficie 6-smd, planos de cables Mosfet (Óxido de metal) 6-WSOF - ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 5A (TA) 38mohm @ 2.5a, 4.5V 1.5V @ 1MA 5.5 NC @ 4 V 450 pf @ 10 V -
HUFA76413DK8T Fairchild Semiconductor HUFA76413DK8T 0.6400
RFQ
ECAD 2206 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) HUFA76413 Mosfet (Óxido de metal) 2.5w 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 30 2 Canal N (Dual) 60V 5.1a 49mohm @ 5.1a, 10V 3V @ 250 µA 23nc @ 10V 620pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
FGH30N120FTDTU Fairchild Semiconductor FGH30n120ftdtu 1.0000
RFQ
ECAD 7432 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar 339 W To-247 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 150 - 730 ns Parada de Campo de Trinchera 1200 V 60 A 90 A 2V @ 15V, 30a - 208 NC -
MPSW56RLRP onsemi MPSW56RLRP 0.0700
RFQ
ECAD 287 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) MPSW56 1 W TO-92 (TO-226) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 80 V 500 mA 500NA PNP 500mv @ 10 Ma, 250 Ma 50 @ 250 Ma, 1V 50MHz
2SA1977-T1B-A Renesas Electronics America Inc 2SA1977-T1B-A -
RFQ
ECAD 2721 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 200MW SOT23-3 (TO-236) descascar No Aplicable EAR99 8541.21.0075 3.000 12dB 12V 50mera PNP 20 @ 20MA, 8V 8.5 GHz 1.5db @ 1ghz
NTD65N03R-35G onsemi NTD65N03R-35G 0.1400
RFQ
ECAD 524 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak NTD65 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 25 V 65a (TC) 8.4mohm @ 30a, 10v 2V @ 250 µA 16 NC @ 5 V 1400 pf @ 20 V -
KSP8098TA Fairchild Semiconductor KSP8098TA 0.0200
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 60 V 500 mA 100na NPN 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 100 @ 1 mapa, 5v 150MHz
FJY3015R Fairchild Semiconductor FJY3015R 0.0200
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto Montaje en superficie SC-89, SOT-490 FJY301 SOT-523F descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 33 @ 10mA, 5V 250 MHz 2.2 kohms 10 kohms
FQB5N50CFTM Fairchild Semiconductor FQB5N50CFTM -
RFQ
ECAD 3311 0.00000000 Semiconductor de fairchild FRFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 58 N-canal 500 V 5A (TC) 10V 1.55ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250 µA 24 NC @ 10 V ± 30V 625 pf @ 25 V - 96W (TC)
SI4420DY Fairchild Semiconductor Si4420dy -
RFQ
ECAD 1290 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 272 N-canal 30 V 12.5a (TA) 4.5V, 10V 9mohm @ 12.5a, 10v 1V @ 250 µA 53 NC @ 5 V ± 20V 2180 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
HUFA76619D3ST Fairchild Semiconductor HUFA76619D3ST 0.3600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 18a (TC) 4.5V, 10V 85mohm @ 18a, 10v 3V @ 250 µA 29 NC @ 10 V ± 16V 767 pf @ 25 V - 75W (TC)
FDS4080N3 Fairchild Semiconductor FDS4080N3 1.6600
RFQ
ECAD 39 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 13a (TA) 10V 10.5mohm @ 13a, 10v 5V @ 250 µA 40 NC @ 10 V ± 20V 1750 pf @ 20 V - 3W (TA)
MMPQ2907 Fairchild Semiconductor MMPQ2907 1.0000
RFQ
ECAD 2228 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto - Montaje en superficie 16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) MMPQ29 1W 16-soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 40V 600mA 50NA (ICBO) 4 PNP (Quad) 1.6v @ 30 mA, 300 mA 100 @ 150mA, 10V -
NDS9959 Fairchild Semiconductor NDS9959 0.4700
RFQ
ECAD 7722 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) NDS995 Mosfet (Óxido de metal) 900MW 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 50V 2A 300mohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250 µA 15NC @ 10V 250pf @ 25V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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    15,000 m2

    Almacén en stock