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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RFD3055SM9A | 0.4600 | ![]() | 2537 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 40 | N-canal | 60 V | 12a (TC) | 10V | 150mohm @ 12a, 10v | 4V @ 250 µA | 23 NC @ 20 V | ± 20V | 300 pf @ 25 V | - | 53W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | FQA13N50C | 2.0800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3p | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | N-canal | 500 V | 13.5A (TC) | 10V | 480mohm @ 6.75a, 10V | 4V @ 250 µA | 56 NC @ 10 V | ± 30V | 2055 pf @ 25 V | - | 218W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | FDU8878 | 0.3000 | ![]() | 41 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 30 V | 11a (TA), 40a (TC) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 35a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 26 NC @ 10 V | ± 20V | 880 pf @ 15 V | - | 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | PZT751T1 | - | ![]() | 1426 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | - | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | PZT751 | 800 MW | SOT-223 (TO-261) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 60 V | 2 A | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 200MA, 2a | 75 @ 1a, 2v | 75MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | FQB9N08TM | 0.3100 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 80 V | 9.3a (TC) | 10V | 210mohm @ 4.65a, 10v | 4V @ 250 µA | 7.7 NC @ 10 V | ± 25V | 250 pf @ 25 V | - | 3.75W (TA), 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | MJ15025 | - | ![]() | 5506 | 0.00000000 | onde | - | Banda | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | MJ150 | 250 W | TO-204 (TO-3) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | MJ15025OS | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | 250 V | 16 A | 500 µA | PNP | 1.4V @ 800mA, 8a | 15 @ 8a, 4v | 4MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | RJK0364DPA-00#J0 | 0.6500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Wpak (3) | descascar | No Aplicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 35A (TA) | 7.8mohm @ 17.5a, 10v | - | 10 NC @ 4.5 V | 1600 pf @ 10 V | - | 35W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | NP80N04PDG-E1B-AY | 1.8400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | Un 263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 40 V | 80a (TC) | 4.5mohm @ 40a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 135 NC @ 10 V | 6900 pf @ 25 V | - | 1.8W (TA), 115W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksc3569ytu | 1.0000 | ![]() | 6299 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | 15 W | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V | 2 A | 10 µA (ICBO) | NPN | 1V @ 100 mm, 500 mA | 40 @ 100mA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ndh832p | 0.3700 | ![]() | 73 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.130 ", 3.30 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | Supersot ™ -8 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 4.2a (TA) | 2.7V, 4.5V | 60mohm @ 4.2a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 30 NC @ 4.5 V | -8v | 1000 pf @ 10 V | - | 1.8w (TA) | ||||||||||||||||||||||
FDW2501NZ | - | ![]() | 8759 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | FDW25 | Mosfet (Óxido de metal) | 600MW | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 3 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 5.5a | 18mohm @ 5.5a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 17NC @ 4.5V | 1286pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Fds7296n3 | 1.0700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 15a (TA) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 15a, 10v | 3V @ 250 µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 1540 pf @ 15 V | - | 3W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | FDB8442 | 1.6700 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 V | 28a (TA), 80a (TC) | 10V | 2.9mohm @ 80a, 10v | 4V @ 250 µA | 235 NC @ 10 V | ± 20V | 12200 pf @ 25 V | - | 254W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | NTHD5903T1 | - | ![]() | 5698 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | NTHD59 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1020RLRA | 0.0800 | ![]() | 310 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) | 2SA1020 | 900 MW | TO-92 (TO-226) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 50 V | 2 A | 1 µA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50 mm, 1a | 70 @ 500mA, 2V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | Consejo111 | 0.2700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 50 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 200 | 80 V | 2 A | 2mera | NPN - Darlington | 2.5V @ 8MA, 2A | 1000 @ 1a, 4V | 25MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGPF90N30 | 0.9600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Estándar | 56.8 W | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | 300 V | 220 A | 1.55V @ 15V, 30a | - | 93 NC | - | ||||||||||||||||||||||||
UPA1818GR-9JG-E1-A | 0.8000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 10a (TA) | 15.2mohm @ 5a, 4.5V | 1.5V @ 1MA | 20 NC @ 4 V | 2200 pf @ 10 V | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP247-CEN1104-CT | - | ![]() | 6785 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | CP247 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1514-CP247-CEN1104-TR | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP147-CEN1104-CT | - | ![]() | 4164 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1514-CP147-CEN1104-TR | Obsoleto | 1 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP247-MJ11016 WN | - | ![]() | 1079 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | CP247 | 200 W | Morir | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1514-CP247-MJ11016 WN | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 120 V | 30 A | 1mera | NPN - Darlington | 4V @ 300 Ma, 30a | 1000 @ 20a, 5V | 4MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | CP147-2N6284 WN | - | ![]() | 8120 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | 160 W | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1514-CP147-2N6284 WN | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 20 A | 1mera | NPN - Darlington | 3V @ 200Ma, 20a | 750 @ 10a, 3V | 4MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | AONR36368 | 0.5100 | ![]() | 1265 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | AONR363 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-DFN-EP (3x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 23a (TA), 32A (TC) | 4.5V, 10V | 5mohm @ 20a, 10v | 2.1V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 1305 pf @ 15 V | - | 4.1W (TA), 24W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | Aosd3233338c | 0.1473 | ![]() | 1556 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | AOSD323 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W (TA) | 8-Soico | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 785-AOSD32338CTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 6a (TA) | 30mohm @ 6a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 6.3nc @ 10V | 310pf @ 15V | - | ||||||||||||||||||||
Ixta200n055t2-trl | 2.6471 | ![]() | 3190 | 0.00000000 | Ixys | Trencht2 ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Ixta200 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (D2PAK) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 238-ItA200N055T2-TRLTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 55 V | 200a (TC) | 10V | 4.2mohm @ 50A, 10V | 4V @ 250 µA | 109 NC @ 10 V | ± 20V | 6970 pf @ 25 V | - | 360W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | NTGS3433T1 | 0.0900 | ![]() | 50 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | NTGS34 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB8878 | - | ![]() | 9640 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | - | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 V | 48a (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 40a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 1235 pf @ 15 V | - | 47.3W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | Fqu7n20tu | 0.6000 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.040 | N-canal | 200 V | 5.3a (TC) | 10V | 690mohm @ 2.65a, 10V | 5V @ 250 µA | 10 NC @ 10 V | ± 30V | 400 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 45W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | FDB6030L | 0.4900 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 V | 48a (TA) | 4.5V, 10V | 13mohm @ 26a, 10v | 3V @ 250 µA | 18 NC @ 5 V | ± 20V | 1250 pf @ 15 V | - | 52W (TC) | ||||||||||||||||||||||
FDW2521C | 1.0000 | ![]() | 6749 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | FDW25 | Mosfet (Óxido de metal) | 600MW | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 20V | 5.5a, 3.8a | 21mohm @ 5.5a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 17NC @ 4.5V | 1082pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico |
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