- RFQ
- Proseperar
- Contáctenos
Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
- Chino
- Inglés
- Francés
- Alemán
- portugués
- Español
- ruso
- japonés
- coreano
- árabe
- irlandés
- Griego
- turco
- italiano
- danés
- rumano
- indonesio
- checo
- africaans
- sueco
- Polaco
- vasco
- catalán
- esperanto
- hindi
- Lao
- albanés
- Amárico
- armenio
- Azerbaiyano
- Bielorruso
- bengalí
- bosnio
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- corso
- croata
- Holandés
- Estonio
- Filipino
- finlandés
- frisio
- gallego
- georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- hawaiano
- hebreo
- Hmong
- húngaro
- islandés
- Igbo
- javanés
- Kannada
- Kazáceo
- Jemer
- kurdo
- Kirguistán
- latín
- letón
- lituano
- Luxembou ..
- macedónio
- madagascarí
- malayo
- Malayalam
- maltés
- maorí
- Marathi
- mongol
- birmano
- Nepalí
- noruego
- Pashto
- persa
- punjabi
- serbio
- Sesotho
- Sinhala
- eslovaco
- esloveno
- somalí
- Samoo
- Escocés gaélico
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- swahili
- Tayiko
- Tamil
- Telugu
- tailandés
- ucranio
- Urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galés
- Xhosa
- yídish
- Yoruba
- zulú
- Kinyarwanda
- Tártaro
- Oriya
- Turco
- Uigur
Transistores (100539)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2SB1098 (6) -Az | 1.9800 |  | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
| FTD2015-TL-E | 0.5400 | | 57 | 0.00000000 | onde | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||
| FTS1011-TL-E | 0.6500 | | 6 | 0.00000000 | onde | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||
| BC857AQA147 | - | | 8489 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BC857 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 5,000 | |||||||||||||||||||||||||
 | Irfw730btmnl | 0.5900 | | 49 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 400 V | 5.5a (TC) | 10V | 1ohm @ 2.75a, 10v | 4V @ 250 µA | 33 NC @ 10 V | ± 30V | 1000 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 73W (TC) | ||||||||||
| Irfw720btm | 0.2900 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 400 V | 3.3a (TC) | 10V | 1.75ohm @ 1.65a, 10V | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 30V | 600 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 49W (TC) | ||||||||||
 | 2SK2158A-T1B-AT | 0.1800 | | 662 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Una granela | Activo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||
| 2SC5617-T3-A | 0.5500 | | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||
 | Irfu130atu | 0.4100 | | 8 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 100 V | 13a (TC) | 10V | 110mohm @ 6.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 36 NC @ 10 V | ± 20V | 790 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 41W (TC) | ||||||||||
| 2SC536KF-NP-AA | 0.0200 | | 105 | 0.00000000 | onde | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
 | BC857C | 0.0700 | | 6936 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BC857 | 250 MW | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 420 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||
 | FW341-TL-E | 0.3000 | | 17 | 0.00000000 | onde | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||
| KSP2222A | - | | 5922 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
 | BC857CWH6327 | 0.0500 | | 336 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BC857 | 250 MW | PG-SOT323-3-1 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 7.053 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 420 @ 2mA, 5V | 250MHz | |||||||||||||
| 2SC6015-TD-E | - | | 4418 | 0.00000000 | onde | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||
| BC858CWH6327 | 0.0400 | | 39 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 250 MW | PG-SOT323-3-1 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 7.053 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 420 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||
| IP111N15N3G | - | | 5769 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
| 2SK2414-AZ | - | | 8916 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Una granela | Activo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 174 | ||||||||||||||||||||||||||
 | 2SB1126-TD-E | 0.1700 | | 21 | 0.00000000 | onde | * | Una granela | Activo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||
| 2SK2167-TD-E | 0.4200 | | 4 | 0.00000000 | onde | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||
| 2SB1131T | 0.2300 | | 4 | 0.00000000 | onde | * | Una granela | Activo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
| Irfu214btu | - | | 2521 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 250 V | 2.2a (TC) | 10V | 2ohm @ 1.1a, 10v | 4V @ 250 µA | 10.5 NC @ 10 V | ± 30V | 275 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||||||||
 | IRFS720B | 0.1800 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 400 V | 3.3a (TJ) | 10V | 1.75ohm @ 1.65a, 10V | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 30V | 600 pf @ 25 V | - | 33W (TC) | ||||||||||
| 2SK2111 (0) -T1 -AZ | 0.4300 | | 25 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Una granela | Activo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||
| Irfw520atm | 0.4000 | | 774 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 774 | N-canal | 100 V | 9.2a (TC) | 10V | 200mohm @ 4.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 480 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 45W (TC) | ||||||||||
| 2SK2373ZE-TL-E | 0.3100 | | 36 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Una granela | Activo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||
 | Bc857cmtf | 0.0200 | | 105 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BC857 | 310 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 110 @ 2mA, 5V | 150MHz | |||||||||||||
| 2SK2133-Z-E1-AZ | 2.3000 | | 335 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Una granela | Activo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||
| IRFS254BFP001 | 0.2700 | | 7 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 250 V | 16a (TC) | 10V | 140mohm @ 8a, 10v | 4V @ 250 µA | 123 NC @ 10 V | ± 30V | 3400 pf @ 25 V | - | 90W (TC) | ||||||||||
 | Ksc2330yh2ta | 0.2100 | | 10 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) | 1 W | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 300 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 1 mapa, 10 ma | 120 @ 20MA, 10V | 50MHz |
2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m2
Almacén en stock
Lista de deseos (0 elementos)