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Transistores (100539)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Condición de PrueBa | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MCG30N06Y-TP | - |  | 4865 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-vdfn | MCG30 | Mosfet (Óxido de metal) | DFN3333 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 353-MCG30N06Y-TPTR | 5,000 | N-canal | 60 V | 30A | 4.5V, 10V | 14.4mohm @ 20a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 724 pf @ 30 V | - | 20.8w | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCG20N08-TP | - | | 3353 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-vdfn | MCG20N08 | Mosfet (Óxido de metal) | DFN3333 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 353-MCG20N08-TPTR | 5,000 | N-canal | 80 V | 20A | 6V, 10V | 12mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 1396 pf @ 40 V | - | 20.8w | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SB1260-R-TP | - | | 3330 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-243AA | 2SB1260 | Sot-89 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 353-2SB1260-R-TPTR | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SD1766-R-TP | - | | 6816 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2SD1766 | 500 MW | Sot-89 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 353-2SD1766-R-TPTR | 1,000 | 32 V | 1 A | 1 µA (ICBO) | 800mv @ 200MA, 2A | 180 @ 500 Ma, 3V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN4R2-80YSEX | 3.3600 | | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-1023, 4-LFPAK | Mosfet (Óxido de metal) | LFPAK56, POWER-SO8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 80 V | 170A (TA) | 10V | 4.2mohm @ 25A, 10V | 3.6V @ 1MA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 8000 pf @ 40 V | - | 294W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DMP3011SFVWQ-7 | 0.3045 | | 6 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | DMP3011 | Mosfet (Óxido de metal) | PowerDI3333-8 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 30 V | 19.8a (TA), 50A (TC) | 4.5V, 10V | 10mohm @ 11.5a, 10v | 3V @ 250 µA | 46 NC @ 10 V | ± 25V | 2380 pf @ 15 V | - | 980MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Sthu36n60dm6ag | 6.7700 | | 6254 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Automotor | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA | Mosfet (Óxido de metal) | Hu3pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 497-STHU36N60DM6AGTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | N-canal | 600 V | 29a (TC) | 10V | 99mohm @ 14.5a, 10v | 4.75V @ 250 µA | 46 NC @ 10 V | ± 25V | 1960 pf @ 100 V | - | 210W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Art700fhu | 174.9300 | | 4374 | 0.00000000 | AMpleon USA Inc. | - | Banda | Activo | 177 V | Monte del Chasis | SOT-1214A | Art700 | 1MHz ~ 450MHz | Ldmos | Sot1214a | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | Fuente Común Dual | 1.4 µA | 25 Ma | 700W | 28.6db | - | 55 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SI2101A-TP | 0.4100 | | 2 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | SI2101 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 2A | 1.8V, 4.5V | 130mohm @ 1.5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 3.9 NC @ 4.5 V | ± 10V | 290 pf @ 10 V | - | 450MW | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MCAC10H03A-TP | 0.8700 | | 4 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | MCAC10 | Mosfet (Óxido de metal) | DFN5060 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 353-MCAC10H03A-TPCT | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 3mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 85 NC @ 10 V | ± 20V | 3865 pf @ 15 V | - | 49W | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FF600R12ME7B11BPSA1 | - | | 8241 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONODUAL ™ 3 | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FF600R12 | 20 MW | Estándar | Agóndo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 6 | 2 Independientes | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 600 A | 1.75V @ 15V, 600A | 35 µA | Si | 92 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPW65R018CFD7XKSA1 | 24.9500 | | 9651 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CFD7 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IPW65R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 106a (TC) | 10V | 18mohm @ 58.2a, 10v | 4.5V @ 2.91mA | 234 NC @ 10 V | ± 20V | 11659 pf @ 400 V | - | 446W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RN2911, LXHF (CT | 0.4400 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | RN2911 | 200MW | US6 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100mA | 100NA (ICBO) | 2 PNP - Precializado (dual) | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 120 @ 1 MMA, 5V | 200MHz | 10 kohms | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RN2301, LXHF | 0.3900 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | RN2301 | 100 MW | SC-70 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | PNP - Pre -Sesgado | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 30 @ 10mA, 5V | 200 MHz | 4.7 kohms | 4.7 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN1902, LXHF (CT | 0.3600 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | RN1902 | 200MW | US6 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100mA | 500NA | 2 NPN - Precializado (dual) | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 50 @ 10mA, 5V | 250MHz | 10 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN4984, LXHF (CT | 0.4400 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | RN4984 | 200MW | US6 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100mA | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 80 @ 10mA, 5V | 250MHz, 200MHz | 47 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN4901, LXHF (CT | 0.4400 | | 6357 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | RN4901 | 200MW | US6 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100mA | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 30 @ 10mA, 5V | 200MHz, 250MHz | 4.7 kohms | 4.7 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixyh40n120b4 | 15.9115 | | 3403 | 0.00000000 | Ixys | XPT ™, GenX4 ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Estándar | 680 W | TO-247 (IXTH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 238-IXYH40N120B4 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 960V, 32a, 5ohm, 15V | 53 ns | PT | 1200 V | 136 A | 250 A | 2.1V @ 15V, 32a | 5.9mj (Encendido), 2.9mj (apagado) | 94 NC | 19ns/220ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixyp30n120b4 | 14.5226 | | 5510 | 0.00000000 | Ixys | - | Tubo | Activo | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 238-IXYP30N120B4 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXBH32N300HV | 72.6127 | | 7852 | 0.00000000 | Ixys | Bimosfet ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Variatura a 247-3 | Ixbh32 | Estándar | 400 W | Un 247HV | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 238-IXBH32N300HV | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | - | - | 3000 V | 80 A | 280 A | 3.2V @ 15V, 32a | - | 142 NC | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixyt12n250cv1hv | 51.4643 | | 8368 | 0.00000000 | Ixys | XPT ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Estándar | 310 W | TO-268HV (IXYT) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 238-IXYT12N250CV1HV | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 1250V, 12a, 10ohm, 15V | 16 ns | - | 2500 V | 28 A | 80 A | 4.5V @ 15V, 12A | 3.56mj (Encendido), 1.7mj (apaguado) | 56 NC | 12ns/167ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixyp30n120c4 | 15.0810 | | 4449 | 0.00000000 | Ixys | - | Tubo | Activo | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 238-IXYP30N120C4 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXXT100N75B4HV | 25.6637 | | 8797 | 0.00000000 | Ixys | - | Tubo | Activo | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 238-IXXT100N75B4HV | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXBH42N300HV | 117.9213 | | 8987 | 0.00000000 | Ixys | Bimosfet ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Variatura a 247-3 | Ixbh42 | Estándar | 500 W | Un 247HV | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 238-IXBH42N300HV | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | - | 1.7 µs | - | 3000 V | 104 A | 400 A | 3V @ 15V, 42a | - | 200 NC | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixyh20n65b3 | 4.7479 | | 2829 | 0.00000000 | Ixys | XPT ™, GenX3 ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Estándar | 230 W | Un 247ad | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 238-IXYH20N65B3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 20a, 20ohm, 15V | 25 ns | PT | 650 V | 58 A | 108 A | 2.1V @ 15V, 20a | 500 µJ (Encendido), 450 µJ (apaguado) | 29 NC | 12ns/103ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ixyp24n100a4 | 15.2094 | | 4185 | 0.00000000 | Ixys | XPT ™, GenX4 ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Estándar | 375 W | To-220 (ixyp) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 238-IXYP24N100A4 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 800V, 24a, 10ohm, 15V | 47 ns | PT | 1000 V | 85 A | 145 A | 1.9V @ 15V, 24a | 3.5mj (Encendido), 2.3mj (apaguado) | 44 NC | 13ns/216ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXGT25N250HV | 63.6757 | | 6252 | 0.00000000 | Ixys | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Ixgt25 | Estándar | 250 W | TO-268HV (IXGT) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 238-IXGT25N250HV | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | - | - | 2500 V | 60 A | 200 A | 2.9V @ 15V, 25A | - | 75 NC | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Lgd8201th | - | | 8093 | 0.00000000 | Ixys | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Lógica | 125 W | Dpak | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 238-lgd8201thtr | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | - | - | 440 V | 20 A | 50 A | 1.9V @ 4.5V, 20a | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXXH30N60C3 | 4.1893 | | 8415 | 0.00000000 | Ixys | XPT ™, GenX3 ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Estándar | 270 W | Un 247ad | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 238-IXXH30N60C3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 24a, 10ohm, 15V | 33 ns | - | 600 V | 60 A | 110 A | 2.4V @ 15V, 24a | 500 µJ (Encendido), 270 µJ (apaguado) | 37 NC | 23ns/77ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RN4987FE, LXHF (CT | 0.3800 | | 6 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | RN4987 | 100MW | ES6 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100mA | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 80 @ 10mA, 5V | 250MHz, 200MHz | 10 kohms | 47 kohms |
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