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Transistores (100539)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
PMCM6501VPE/S500Z NXP Semiconductors PMCM6501VPE/S500Z 0.1900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductorores nxp * Una granela Activo descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-PMCM6501VPE/S500Z-954 1
PSMN2R0-60PS,127 NXP Semiconductors PSMN2R0-60PS, 127 1.0000
RFQ
 ECAD 5598 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 PSMN2R0 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado 2156-PSMN2R0-60PS, 127-954 1 N-canal 60 V 120a (TC) 10V 2.2mohm @ 25A, 10V 4V @ 1MA 137 NC @ 10 V ± 20V 9997 pf @ 30 V - 338W (TC)
HC55185GCR Intersil HC55185GCR 1.0000
RFQ
 ECAD 1715 0.00000000 Criar * Una granela Activo descascar Vendedor indefinido Vendedor indefinido 2156-HC55185GCR-600010 1
BSP100,135 NXP Semiconductors BSP100,135 0.2000
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Semiconductorores nxp Trenchmos ™ Una granela Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-BSP100,135-954 EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 3.2a (TA) 4.5V, 10V 100mohm @ 2.2a, 10V 2.8V @ 1MA 6 NC @ 10 V ± 20V 250 pf @ 20 V - 8.3W (TC)
FDP039N08B Fairchild Semiconductor FDP039N08B 2.4200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo - Vendedor indefinido Vendedor indefinido 2156-FDP039N08B-600039 1
BC807,215 NXP Semiconductors BC807,215 0.0200
RFQ
 ECAD 497 0.00000000 Semiconductorores nxp Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW To-236ab descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-BC807,215-954 1 45 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 100 maja, 1v 80MHz
PMXB56ENZ NXP Semiconductors PMXB56ENZ 1.0000
RFQ
 ECAD 7694 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición 3-xdfn Mosfet (Óxido de metal) DFN1010D-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-PMXB56ENZ-954 EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 3.2a (TA) 4.5V, 10V 55mohm @ 3.2a, 10v 2V @ 250 µA 6.3 NC @ 10 V ± 20V 209 pf @ 15 V - 400MW (TA), 8.33W (TC)
FDMF6823 Fairchild Semiconductor FDMF6823 -
RFQ
 ECAD 1548 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo descascar Vendedor indefinido Vendedor indefinido 2156-FDMF6823-600039 1
BC56-10PA,115 NXP Semiconductors BC56-10PA, 115 0.0600
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Semiconductorores nxp - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-Powerudfn 420 MW 3-Huson (2x2) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-BC56-10PA, 115-954 1 80 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mA, 500 mA 63 @ 150mA, 2V 180MHz
2SK1449 onsemi 2SK1449 3.2900
RFQ
 ECAD 900 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-2SK1449-488 1
NTNS41S006PZTCG onsemi NTNS41S006PZTCG 0.0900
RFQ
 ECAD 280 0.00000000 onde * Una granela Activo - Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-NTNS41S006PZTCG-488 1
FS75R12KT4B15BOSA1 Infineon Technologies FS75R12KT4B15BOSA1 -
RFQ
 ECAD 4003 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-FS75R12KT4B15BOSA1-448 1
2SA1319S-AA Fairchild Semiconductor 2SA1319S-AA 0.1000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-2SA1319S-AA-600039 1
2N5086 Fairchild Semiconductor 2N5086 -
RFQ
 ECAD 2079 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 1.5 W Un 92 descascar Vendedor indefinido Alcanzar Afectados 2156-2N5086-600039 1 50 V 50 Ma 50NA (ICBO) PNP 300mv @ 1 mapa, 10 ma 150 @ 1 MMA, 5V 40MHz
BD678AS Fairchild Semiconductor Bd678as 0.2800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 14 W A-126-3 descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-BD678As-600039 1 60 V 4 A 500 µA PNP - Darlington 2.8V @ 40 mm, 2a 750 @ 2a, 3V -
BUK7219-55A,118 NXP Semiconductors BUK7219-55A, 118 0.5400
RFQ
 ECAD 1712 0.00000000 Semiconductorores nxp Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-BUK7219-55A, 118-954 1 N-canal 55 V 55A (TC) 10V 19mohm @ 25A, 10V 4V @ 1MA ± 20V 2108 pf @ 25 V - 114W (TC)
F4150R17ME4B11BPSA2 Infineon Technologies F4150R17ME4B11BPSA2 295.4880
RFQ
 ECAD 7879 0.00000000 Infineon Technologies ECONODUAL ™ 3 Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo F4150R Estándar Ag-ECONOD-6 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Inversor de puente entero Parada de Campo de Trinchera 1700 V 230 A 2.3V @ 15V, 150a 3 MA No 12 NF @ 25 V
IAUC26N10S5L245ATMA1 Infineon Technologies IAUC26N10S5L245ATMA1 0.5973
RFQ
 ECAD 1870 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-33 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 100 V 26a (TJ) 4.5V, 10V 24.5mohm @ 13a, 10v 2.2V @ 13 µA 12 NC @ 10 V ± 20V 762 pf @ 50 V - 40W (TC)
FS75R12KE3BPSA1 Infineon Technologies FS75R12KE3BPSA1 143.2800
RFQ
 ECAD 4271 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FS75R12 350 W Estándar Ag-ECONO2B descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 15 Inversor de puente entero - 1200 V 105 A 2.15V @ 15V, 75a 5 Ma Si 5.3 NF @ 25 V
FS100R07N2E4BPSA1 Infineon Technologies FS100R07N2E4BPSA1 136.6000
RFQ
 ECAD 5677 0.00000000 Infineon Technologies ECONOPACK ™ 2 Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FS100R07 335 W Estándar Ag-ECONO2B descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 15 Inversor trifásico Parada de Campo de Trinchera 650 V 100 A 1.95V @ 15V, 100A 1 MA Si 6.2 NF @ 25 V
ISC011N06LM5ATMA1 Infineon Technologies ISC011N06LM5ATMA1 4.0900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn ISC011N Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-17 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 60 V 37a (TA), 288a (TC) 4.5V, 10V 1.15mohm @ 50A, 10V 2.3V @ 116 µA 170 NC @ 10 V ± 20V 11000 pf @ 30 V - 3W (TA), 188W (TC)
FS50R17KE3B17BPSA1 Infineon Technologies FS50R17KE3B17BPSA1 179.0947
RFQ
 ECAD 3428 0.00000000 Infineon Technologies ECONOPACK ™ 2 Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FS50R17 345 W Estándar Ag-ECONO2B descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 15 Inversor trifásico Parada de Campo de Trinchera 1700 V 82 A 2.45V @ 15V, 50A 1 MA No 4.5 NF @ 25 V
IFF600B12ME4B11BPSA1 Infineon Technologies IFF600B12ME4B11BPSA1 392.9980
RFQ
 ECAD 2449 0.00000000 Infineon Technologies ECONODUAL ™ 3 Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo IFF600 20 MW Estándar Agonod-5 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Inversor de Medio Puente Parada de Campo de Trinchera 1200 V 600 A 2.1V @ 15V, 600A 3 MA Si 37 NF @ 25 V
IQE065N10NM5CGATMA1 Infineon Technologies IQE065N10NM5CGATMA1 2.9300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8-Powertdfn Iqe065n Mosfet (Óxido de metal) PG-TTFN-9-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 100 V 14A (TA), 85A (TC) 6V, 10V 6.5mohm @ 20a, 10v 3.8V @ 48 µA 42 NC @ 10 V ± 20V 3000 pf @ 50 V - 2.5W (TA), 100W (TC)
IAUC50N08S5N102ATMA1 Infineon Technologies IAUC50N08S5N102ATMA1 0.6636
RFQ
 ECAD 8176 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-33 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 80 V 50A (TJ) 6V, 10V 10.2mohm @ 25A, 10V 3.8V @ 24 µA 21 NC @ 10 V ± 20V 1394 pf @ 40 V - 60W (TC)
IXFA34N65X3 IXYS Ixfa34n65x3 8.5300
RFQ
 ECAD 4526 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra X3 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Ixfa34 Mosfet (Óxido de metal) TO-263AA (IXFA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 238-IXFA34N65X3 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 34a (TC) 10V 100mohm @ 17a, 10v 5.2V @ 2.5MA 29 NC @ 10 V ± 20V 2025 pf @ 25 V - 446W (TC)
IXBH14N300HV IXYS IXBH14N300HV 62.9650
RFQ
 ECAD 8020 0.00000000 Ixys Bimosfet ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IXBH14 Estándar 200 W TO-247HV (IXBH) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 238-IXBH14N300HV EAR99 8541.29.0095 30 - 1.4 µs - 3000 V 38 A 120 A 2.7V @ 15V, 14A - 62 NC -
FF1500R17IP5RBPSA1 Infineon Technologies FF1500R17IP5RBPSA1 2.0000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Primepack ™ 3 Banda Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FF1500R 20 MW Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2 2 Independientes Parada de Campo de Trinchera 1700 V 1500 A 2.2V @ 15V, 1.5ka 10 Ma Si 88 NF @ 25 V
DDB6U180N16RRB37BPSA1 Infineon Technologies DDB6U180N16RRB37BPSA1 167.7600
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Infineon Technologies ECONOPACK ™ 2 Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo Ddb6u180 20 MW Estándar Ag-ECONO2B descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 15 Piquero Parada de Campo de Trinchera 1200 V 100 A 2.1V @ 15V, 100A 1 MA Si 6.2 NF @ 25 V
DDB6U134N16RRB11BPSA2 Infineon Technologies DDB6U134N16RRB11BPSA2 107.6700
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Infineon Technologies ECONOPACK ™ 2 Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo Ddb6u134 400 W Estándar Ag-ECONO2B descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 15 Piquero - 1200 V 125 A 2.6V @ 15V, 75a 1 MA Si 5.1 NF @ 25 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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