SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE
SIA4446DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA4446DJ-T1-GE3 0.6800
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SC-70-6 Dual Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SC-70-6 Dual descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 13a (TA), 31a (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 10a, 10v 2.4V @ 250 µA 19 NC @ 10 V +20V, -16V 915 pf @ 20 V - 3.5W (TA), 19.2W (TC)
TQM019NH04CR-V RLG Taiwan Semiconductor Corporation TQM019NH04CR-V RLG 3.3893
RFQ
ECAD 2041 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101, Perfet ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-PDFNU (4.9x5.75) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 30A (TA), 100A (TC) 7V, 10V 1.9mohm @ 50A, 10V 3.6V @ 250 µA 134 NC @ 10 V ± 20V 9044 pf @ 25 V - 150W (TC)
TQM025NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Tqm025nh04lcr rlg 6.3900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101, Perfet ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-PDFNU (4.9x5.75) - 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 26a (TA), 100a (TC) 4.5V, 10V 2.5mohm @ 50A, 10V 2.2V @ 250 µA 95 NC @ 10 V ± 16V 6228 pf @ 25 V - 136W (TC)
CE7613M4-C2 CEL CE7613M4-C2 0.3151
RFQ
ECAD 5654 0.00000000 Cela - Tape & Reel (TR) Activo 4 V Montaje en superficie Sot-343f 12 GHz - Mini molde de 4 super - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 51-CE7613M4-C2TR 15,000 - 31.9 MA 10 Ma - 14.1db 0.35db 2 V
C3M0040120J1-MVF Wolfspeed, Inc. C3M0040120J1-MVF 20.3616
RFQ
ECAD 9239 0.00000000 Wolfspeed, Inc. - Tubo Activo - ROHS3 Cumplante No Aplicable EAR99 8541.29.0095 1
TW030Z120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage Tw030Z120C, S1F 30.4100
RFQ
ECAD 120 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 175 ° C A Través del Aguetero TO-247-4 SIC (Transistor de Unión de CARBURO de Silicio) TO-247-4L (X) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1200 V 60A (TC) 18V 41mohm @ 30a, 18V 5V @ 13MA 82 NC @ 18 V +25V, -10V 2925 pf @ 800 V - 249W (TC)
TW140Z120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW140Z120C, S1F 10.2200
RFQ
ECAD 120 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 175 ° C A Través del Aguetero TO-247-4 SIC (Transistor de Unión de CARBURO de Silicio) TO-247-4L (X) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1200 V 20A (TC) 18V 191mohm @ 10a, 18V 5V @ 1MA 24 NC @ 18 V +25V, -10V 691 pf @ 800 V - 107W (TC)
ISC015N06NM5LFATMA1 Infineon Technologies ISC015N06NM5LFATMA1 3.5100
RFQ
ECAD 2722 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 5 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8 FL - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 60 V 32a (TA), 275a (TC) 10V 1.55mohm @ 50A, 10V 3.45V @ 120 µA 113 NC @ 10 V ± 20V 9000 pf @ 30 V - 3W (TA), 217W (TC)
R6009KND3TL1 Rohm Semiconductor R6009KND3TL1 0.9200
RFQ
ECAD 3599 0.00000000 Semiconductor rohm * Tape & Reel (TR) Activo - 1 (ilimitado) 2.500
PMPB13XNEAX Nexperia USA Inc. PMPB13XNEAX -
RFQ
ECAD 1164 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Preliminar -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición PMPB13 Mosfet (Óxido de metal) DFN2020MD-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 8a (TJ) 4.5V 16mohm @ 8a, 4.5V 900MV @ 250 µA 36 NC @ 4.5 V ± 8V 2.195 pf @ 15 V - 1.7w (TA)
QIF4515002 Powerex Inc. QIF4515002 -
RFQ
ECAD 6869 0.00000000 Powerex Inc. Riñonal Una granela Descontinuado en sic -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo 1.5 kW Estándar - - 835-QIF4515002 1 Medio puente - 4500 V 150 A 3.8v @ 15V, 150a 1.8 Ma No 19000 pf @ 10 V
QID6508001 Powerex Inc. QID6508001 -
RFQ
ECAD 5750 0.00000000 Powerex Inc. Riñonal Una granela Descontinuado en sic -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo 1.1 kW Estándar - - 835-QID6508001 1 Medio puente - 6300 V 85 A 3V @ 15V, 85a 3 MA No 15000 pf @ 10 V
QID3340001 Powerex Inc. QID3340001 -
RFQ
ECAD 1011 0.00000000 Powerex Inc. Riñonal Una granela Descontinuado en sic -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo 3.47 kW Estándar - - 835-QID3340001 1 2 Independientes - 3300 V 400 A 2.85V @ 15V, 400A 2 MA No 46000 pf @ 10 V
MSCSM70XM45CTYZBNMG Microchip Technology MSCSM70XM45CTYZBNMG -
RFQ
ECAD 1435 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo CARBURO DE SILICIO (SIC) 141W (TC), 292W (TC) - descascar ROHS3 Cumplante 1 6 Canal N (Puente 3 Formas) 700V 52A (TC), 110A (TC) 44mohm @ 30a, 20V, 19mohm @ 40a, 20V 2.7V @ 2mA, 2.4V @ 4MA 99nc @ 20V, 215nc @ 20V 2010pf @ 700V, 4500pf @ 700V CARBURO DE SILICIO (SIC)
MSCGLQ40X120CTYZBNMG Microchip Technology MSCGLQ40X120CTYZBNMG -
RFQ
ECAD 3228 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo 294 W Rectificador de Puente Trifásico - descascar 150-MSCGLQ40X120CTYZBNMG 1 Inversor trifásico con freno - 1200 V 75 A 2.4V @ 15V, 40A 100 µA Si 2300 pf @ 25 V
IPT60T040S7XTMA1 Infineon Technologies IPT60T040S7XTMA1 4.8790
RFQ
ECAD 4897 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2,000
IPDQ65R029CFD7AXTMA1 Infineon Technologies IPDQ65R029CFD7AXTMA1 10.1322
RFQ
ECAD 3239 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 750
AIMZA75R008M1HXKSA1 Infineon Technologies AIMZA75R008M1HXKSA1 23.4800
RFQ
ECAD 6381 0.00000000 Infineon Technologies * Tubo Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 448-amza75r008m1hxksa1 240
IPDQ60T017S7XTMA1 Infineon Technologies IPDQ60T017S7XTMA1 11.5917
RFQ
ECAD 6998 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 448-IPDQ60T017S7XTMA1TR 750
IPQC65R125CFD7AXTMA1 Infineon Technologies IPQC65R125CFD7AXTMA1 2.5642
RFQ
ECAD 6257 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, CoolMos ™ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Módulo de 22 poderos Mosfet (Óxido de metal) PG-HDSOP-22-1 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 750 N-canal 650 V 24a (TC) 10V 125mohm @ 7.8a, 10v 4.5V @ 390 µA 32 NC @ 10 V ± 20V 1566 pf @ 400 V - 160W (TC)
F3L600R10W4S7FH11BPSA1 Infineon Technologies F3L600R10W4S7FH11BPSA1 225.1700
RFQ
ECAD 6798 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 448-F3L600R10W4S7FH11BPSA1 6
IPDQ65R060CFD7AXTMA1 Infineon Technologies IPDQ65R060CFD7AXTMA1 5.9223
RFQ
ECAD 7256 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, CoolMos ™ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Módulo de 22 poderos Mosfet (Óxido de metal) PG-HDSOP-22-1 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 750 N-canal 650 V 45a (TC) 10V 60mohm @ 16.4a, 10V 4.5V @ 820 µA 65 NC @ 10 V ± 20V 3288 pf @ 400 V - 272W (TC)
IQE036N08NM6CGSCATMA1 Infineon Technologies Iqe036n08nm6cgscatma1 1.2170
RFQ
ECAD 5164 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 448-iqe036n08nm6cgscatma1tr 6,000
AIMZH120R020M1TXKSA1 Infineon Technologies AIMZH120R020M1TXKSA1 29.1415
RFQ
ECAD 5359 0.00000000 Infineon Technologies * Tubo Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 448-AIMZH120R020M1TXKSA1 240
IQE036N08NM6ATMA1 Infineon Technologies IQE036N08NM6ATMA1 1.1064
RFQ
ECAD 2006 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 448-IQE036N08NM6ATMA1TR 5,000
AIMZA75R016M1HXKSA1 Infineon Technologies AIMZA75R016M1HXKSA1 18.9442
RFQ
ECAD 7664 0.00000000 Infineon Technologies * Tubo Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 448-amza75r016m1hxksa1 240
F4250R07W2H5FB11BPSA1 Infineon Technologies F4250R07W2H5FB11BPSA1 52.0800
RFQ
ECAD 8201 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 448-F4250R07W2H5FB11BPSA1 15
IPQC60T017S7AXTMA1 Infineon Technologies IPQC60T017S7AXTMA1 12.7508
RFQ
ECAD 6892 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 448-IPQC60T017S7AXTMA1TR 750
IQDH88N06LM5ATMA1 Infineon Technologies IQDH88N06LM5ATMA1 1.9670
RFQ
ECAD 3793 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 448-IQDH88N06LM5ATMA1TR 5,000
IQD063N15NM5ATMA1 Infineon Technologies IQD063N15NM5ATMA1 2.2578
RFQ
ECAD 6779 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 448-IQD063N15NM5ATMA1TR 5,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock