SIC
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Transistores (100539)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Tipo de fet Calificación real (amplificador) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
YJQ3622A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd Yjq3622a 0.4300
RFQ
 ECAD 3621 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-DFN (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 30A 4.5V, 10V 13mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA 23.6 NC @ 10 V ± 20V 1015 pf @ 15 V Estándar 21W (TC)
YJQ4666B Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd Yjq4666b 0.4700
RFQ
 ECAD 8598 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición Mosfet (Óxido de metal) 6-DFN (2x2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 7a (TC) 1.8V, 4.5V 36.5mohm @ 7a, 4.5V 1V @ 250 µA 40.1 NC @ 4.5 V ± 10V 852 pf @ 10 V - 2.2W (TC)
RF3L05150CB4 STMicroelectronics RF3L05150CB4 166.2300
RFQ
 ECAD 123 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo 90 V Monte del Chasis LBB 1 GHz Ldmos LBB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 100 1 µA 500 mA 150W 23dB - 28 V
BSS84 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd BSS84 0.1400
RFQ
 ECAD 354 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 60 V 170MA (TA) 4.5V, 10V 8ohm @ 150 mm, 10v 2V @ 250 µA 1.77 NC @ 10 V ± 20V 43 pf @ 30 V - 350MW (TA)
YJQ1216A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd Yjq1216a 0.4100
RFQ
 ECAD 1826 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición Mosfet (Óxido de metal) 6-DFN (2x2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 16a (TC) 1.8V, 4.5V 19mohm @ 10a, 4.5V 1V @ 250 µA 72.8 NC @ 10 V ± 10V 2992 pf @ 10 V - 18W (TC)
MMBT5551 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd MMBT5551 0.1200
RFQ
 ECAD 617 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 300 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 160 V 600 mA 50NA (ICBO) NPN 200 MV a 5 mm, 50 Ma 100 @ 10mA, 5V 300MHz
MMBT4401 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd MMBT4401 0.1300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 300 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 40 V 600 mA 100na NPN 400mv @ 15 mA, 150 mA 100 @ 150mA, 1V 250MHz
YJB200G06B Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd Yjb200g06b 1.6900
RFQ
 ECAD 5464 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Un 263 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 800
NTE342 NTE Electronics, Inc NTE342 19.7200
RFQ
 ECAD 420 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 1.5 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Información de Alcance Disponible A Pedido 2368-NTE342 EAR99 8541.29.0095 1 17 V 2 A 500 µA (ICBO) NPN - 10 @ 100 mapa, 10v -
NTE2984 NTE Electronics, Inc NTE2984 2.7500
RFQ
 ECAD 212 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Información de Alcance Disponible A Pedido 2368-NTE2984 EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 60 V 17a (TC) 5V 140mohm @ 8.5a, 5V 2V @ 250 µA 18 NC @ 5 V ± 10V 870 pf @ 25 V - 60W
NTE2699 NTE Electronics, Inc NTE2699 2.1500
RFQ
 ECAD 372 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 2 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Información de Alcance Disponible A Pedido 2368-NTE2699 EAR99 8541.29.0095 1 60 V 15 A 1mera NPN 500mv @ 600 Ma, 12a 150 @ 3a, 2v -
NTE2517 NTE Electronics, Inc NTE2517 0.9000
RFQ
 ECAD 3181 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-204AA, TO-3 1.5 W TO-204AA (TO-3) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Información de Alcance Disponible A Pedido 2368-NTE2517 EAR99 8541.29.0095 1 50 V 2.5 A 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 50 mm, 1a 140 @ 100mA, 2V 140MHz
SIR510DP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir510DP-T1-RE3 2.2500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen V Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 31a (TA), 126a (TC) 7.5V, 10V 3.6mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 81 NC @ 10 V ± 20V 4980 pf @ 50 V - 6.25W (TA), 104W (TC)
SIHP080N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHP080N60E-GE3 4.3900
RFQ
 ECAD 958 0.00000000 Vishay Siliconix mi Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable 742-SiHP080N60E-GE3 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 35A (TC) 10V 80mohm @ 17a, 10v 5V @ 250 µA 63 NC @ 10 V ± 30V 2557 pf @ 100 V - 227W (TC)
JANTX2N4033UB/TR Microchip Technology Jantx2n4033ub/tr 25.9350
RFQ
 ECAD 5360 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/512 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 500 MW TO-39 (TO-205Ad) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantX2N4033ub/TR EAR99 8541.21.0095 1 80 V 1 A 10 µA (ICBO) PNP 1v @ 100 mapa, 1a 100 @ 100 maja, 5v -
MV2N4856UB/TR Microchip Technology MV2N4856UB/TR 80.6379
RFQ
 ECAD 1056 0.00000000 Tecnología de Microchip * Tape & Reel (TR) Activo - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-MV2N4856UB/TR 1
JANTXV2N5416U4/TR Microchip Technology Jantxv2n5416u4/tr -
RFQ
 ECAD 5956 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/485 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo 1 W U4 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-jantxv2n5416u4/tr EAR99 8541.29.0095 1 300 V 1 A 1mera PNP 2V @ 5 mm, 50 Ma 30 @ 50mA, 10V -
JANHCC2N5153 Microchip Technology JANHCC2N5153 25.8685
RFQ
 ECAD 2748 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/545 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 1 W TO-39 (TO-205Ad) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JANHCC2N5153 EAR99 8541.29.0095 1 80 V 2 A 50 µA PNP 1.5V @ 500mA, 5A 70 @ 2.5a, 5V -
JANSD2N3501UB/TR Microchip Technology Jansd2n3501ub/tr 94.4906
RFQ
 ECAD 1920 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/366 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo 500 MW UB - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-Jansd2n3501ub/TR EAR99 8541.21.0095 1 150 V 300 mA 10 µA (ICBO) NPN 400mv @ 15 mA, 150 mA 100 @ 150mA, 10V -
JANSD2N3439UA Microchip Technology Jansd2n3439ua -
RFQ
 ECAD 2668 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/368 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo 800 MW Ua - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-Jansd2n3439ua EAR99 8541.21.0095 1 350 V 1 A 2 µA NPN 500mv @ 4mA, 50 mA 40 @ 20MA, 10V -
JANSL2N3440UA Microchip Technology Jansl2n3440ua -
RFQ
 ECAD 9350 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/368 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo 800 MW Ua - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-Jansl2n3440ua EAR99 8541.21.0095 1 250 V 1 A 2 µA NPN 500mv @ 4mA, 50 mA 40 @ 20MA, 10V -
MX2N4391UB/TR Microchip Technology Mx2n4391ub/tr 69.5324
RFQ
 ECAD 5587 0.00000000 Tecnología de Microchip * Tape & Reel (TR) Activo - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-MX2N4391UB/TR 1
JANSP2N2369AUA/TR Microchip Technology Jansp2n2369aua/tr 166.8512
RFQ
 ECAD 4739 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/317 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 200 ° C Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo 2369a 360 MW Ua - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JANSP2N2369AUA/TR EAR99 8541.21.0095 1 15 V 400NA NPN 450mv @ 10 Ma, 100 Ma 20 @ 100 maja, 1v -
JANTXV2N2906AUA/TR Microchip Technology Jantxv2n2906aua/tr 29.7388
RFQ
 ECAD 1017 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/291 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo 2N2906 500 MW 4-SMD - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-jantxv2n2906aua/tr EAR99 8541.21.0095 1 60 V 600 mA 50NA PNP 1.6v @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150mA, 10V -
JANS2N2920U/TR Microchip Technology Jans2n2920u/tr 153.9408
RFQ
 ECAD 6239 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/355 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-SMD, sin Plomo 2N2920 350MW 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-Jans2N2920U/TR EAR99 8541.21.0095 1 60V 30mera 10 µA (ICBO) 2 NPN (dual) 300mV @ 100 µA, 1 mA 300 @ 1 mapa, 5V -
2C5153 Microchip Technology 2C5153 8.7381
RFQ
 ECAD 3216 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-2C5153 1
NVTFS8D1N08HTAG onsemi Nvtfs8d1n08htag 1.3000
RFQ
 ECAD 6564 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Mosfet (Óxido de metal) 8-WDFN (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-nvtfs8d1n08htagtr EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 80 V 14a (TA), 61a (TC) 6V, 10V 8.3mohm @ 16a, 10v 4V @ 270 µA 23 NC @ 10 V ± 20V 1450 pf @ 40 V - 3.8W (TA), 75W (TC)
NTMFSC010N08M7 onsemi NTMFSC010N08M7 1.6500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 onde Dual Cool ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-DFN (5x6.15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 12.5A (TA), 61A (TC) 10V 10mohm @ 10a, 10v 4.5V @ 120 µA 38 NC @ 10 V ± 20V 2700 pf @ 40 V - 3.3W (TA), 78.1W (TC)
PCRU3060W onsemi PCRU3060W -
RFQ
 ECAD 9604 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-PCRU3060W EAR99 8541.29.0095 1
FDWS86381-F085 onsemi FDWS86381-F085 -
RFQ
 ECAD 2367 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-FDWS86381-F085TR 3.000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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