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Transistores (100539)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDG6301N-F085 | - |  | 6016 | 0.00000000 | onde | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | FDG6301 | Mosfet (Óxido de metal) | 300MW | SC-88 (SC-70-6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 25V | 220 mm | 4ohm @ 220 mm, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 0.4nc @ 4.5V | 9.5pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||
 | MJE802 | - | | 1092 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | MJE802 | 40 W | Sot-32 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 V | 4 A | 100na | NPN - Darlington | 3V @ 40mA, 4A | 750 @ 1.5a, 3V | - | |||||||||||||||||
 | SI3445Adv-T1-GE3 | - | | 8634 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3445 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 8 V | 4.4a (TA) | 1.8V, 4.5V | 42mohm @ 5.8a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 19 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.1W (TA) | ||||||||||||||
 | FDW2503N | - | | 9358 | 0.00000000 | onde | Powertrench® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | FDW25 | Mosfet (Óxido de metal) | 600MW | 8-TSOP | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 5.5a | 21mohm @ 5.5a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 17NC @ 4.5V | 1082pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||
 | Mmbt3906lt1 | 0.0200 | | 9413 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT3906 | 225 MW | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 V | 200 MA | - | PNP | 400mv @ 5 Ma, 50 Ma | 100 @ 10mA, 1V | 250MHz | |||||||||||||||||
 | Bd437g | 0.9200 | | 8271 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | BD437 | 36 W | A-126 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | 45 V | 4 A | 100 µA (ICBO) | NPN | 800mv @ 300mA, 3A | 85 @ 500mA, 1V | 3MHz | |||||||||||||||||
 | 2SD11490RL | - | | 2242 | 0.00000000 | Componentes Electrónicos de Panasonic | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 2SD1149 | 200 MW | Mini3-G1 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 100 V | 20 Ma | 1 µA | NPN | 200 MV @ 1 MMA, 10 Mape | 400 @ 2mA, 10V | 100MHz | |||||||||||||||||||
 | DDTC144GUA-7-F | 0.0435 | | 9866 | 0.00000000 | Diodos incorporados | DDTC (Serie Solo R2) UA | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | DDTC144 | 200 MW | Sot-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | DDTC144GUA-FDICT | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 47 kohms | ||||||||||||||||
 | G25N06K | 0.6200 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor goford | Gramo | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 25A (TC) | 10V | 27mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 970 pf @ 30 V | - | 45W (TC) | |||||||||||||||
 | AuIRF2804L-313TRL | - | | 4459 | 0.00000000 | Rectificador internacional | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | - | 2156-auirf2804l-313trl | 1 | N-canal | 40 V | 195a (TC) | 10V | 2.3mohm @ 75a, 10v | 4V @ 250 µA | 240 NC @ 10 V | ± 20V | 6450 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||
 | Ntmfs4120nt3g | - | | 6945 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn, 5 cables | NTMFS4 | Mosfet (Óxido de metal) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 11a (TA) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 26a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 50 NC @ 4.5 V | ± 20V | 3600 pf @ 24 V | - | 900MW (TA) | ||||||||||||||
 | Sts5p3llh6 | 0.9800 | | 27 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Deepgate ™, Stripfet ™ H6 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sts5p3 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 5A (TA) | 4.5V, 10V | 56mohm @ 2.5a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 6 NC @ 4.5 V | ± 20V | 639 pf @ 25 V | - | 2.7W (TA) | |||||||||||||
| NST45010MW6T1G | 0.4700 | | 2 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | NST45010 | 380MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45V | 100mA | 15NA (ICBO) | 2 par de pnp (dual) emparejado | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 220 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||
 | MJF15031G | 2.2100 | | 1 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | MJF15031 | 2 W | Un 220FP | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | 150 V | 8 A | 10 µA | PNP | 500mv @ 100 mm, 1a | 20 @ 4a, 2v | 30MHz | |||||||||||||||||
 | Apt20m18b2vrg | 21.5900 | | 7614 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Power Mos V® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Variatura a 247-3 | Apt20m18 | Mosfet (Óxido de metal) | T-Max ™ [B2] | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 200 V | 100A (TC) | 18mohm @ 50A, 10V | 4V @ 2.5MA | 330 NC @ 10 V | 9880 pf @ 25 V | - | |||||||||||||||||
| 2SC5201, T6MURAF (J | - | | 3172 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | 2SC5201 | 900 MW | TO-92MOD | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 600 V | 50 Ma | 1 µA (ICBO) | NPN | 1V @ 500 Ma, 20 Ma | 100 @ 20MA, 5V | - | |||||||||||||||||||
 | Pbss4160pansx | 0.4900 | | 6987 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-udfn almohadilla exposición | PBSS4160 | 370MW | DFN2020D-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60V | 1A | 100NA (ICBO) | 2 NPN (dual) | 120 mv a 50 mm, 500 mA | 150 @ 500mA, 2V | 175MHz | |||||||||||||||||
| PH8890 | - | | 8188 | 0.00000000 | SOLUCTIONES TECNOLÓGICAS DE MACOM | * | Una granela | Obsoleto | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RN2103 (T5L, F, T) | 0.2800 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | RN2103 | 100 MW | SSM | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | PNP - Pre -Sesgado | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 70 @ 10mA, 5V | 200 MHz | 22 kohms | 22 kohms | |||||||||||||||||
 | PBSS5140V, 315 | - | | 7983 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | PBSS5 | 500 MW | Sot-666 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934056817315 | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 40 V | 1 A | 100na | PNP | 310MV @ 100 Ma, 1A | 300 @ 100mA, 5V | 150MHz | ||||||||||||||||
| 2N5415U4 | 91.9350 | | 3974 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 1 W | U4 | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N5415U4 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 V | 1 A | 50 µA | PNP | 2V @ 5 mm, 50 Ma | 30 @ 50mA, 10V | - | |||||||||||||||||||
 | ZTX851STZ | 1.0200 | | 2983 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Cinta de Corte (CT) | Activo | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | E-línea-3, clientes potenciales formados | ZTX851 | 1.2 W | Línea electálica (compatible con 92) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 60 V | 5 A | 1 µA (ICBO) | NPN | 250 mv @ 200 mma, 5a | 100 @ 2a, 1v | 130MHz | |||||||||||||||||
 | SI4410DYPBF | - | | 1930 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | N-canal | 30 V | 10a (TA) | 4.5V, 10V | 13.5mohm @ 10a, 10v | 1V @ 250 µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 1585 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||
 | NSS20501UW3T2G | 0.6300 | | 8 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 3 wdfn | NSS20501 | 875 MW | 3-WDFN (2x2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 20 V | 5 A | 100NA (ICBO) | NPN | 125mv @ 400mA, 4A | 200 @ 2a, 2v | 150MHz | |||||||||||||||||
 | KSD261CGTA | 0.0300 | | 163 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 20 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 50 mA, 500 mA | 200 @ 100 mapa, 1v | - | ||||||||||||||||||
 | IXFN170N10 | 35.7580 | | 1044 | 0.00000000 | Ixys | Hiperfet ™ | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | Ixfn170 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-227b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | N-canal | 100 V | 170A (TC) | 10V | 10mohm @ 500 mA, 10V | 4V @ 8MA | 515 NC @ 10 V | ± 20V | 10300 pf @ 25 V | - | 600W (TC) | |||||||||||||
 | Mmbt5551lt1g | 0.2200 | | 904 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT5551 | 225 MW | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 160 V | 600 mA | 100na | NPN | 200 MV a 5 mm, 50 Ma | 80 @ 10mA, 5V | - | |||||||||||||||||
| Bcy89 | 30.3107 | | 7993 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | Bcy8 | - | Alcanzar sin afectado | 150-BCY89 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Fmmt718ta-50 | 0.0852 | | 9862 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Fmmt718 | 625 MW | Sot-23-3 | descascar | 31-fmmt718ta-50 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 20 V | 1.5 A | 100na | PNP | 220mv @ 50 mm, 1.5a | 300 @ 100 mapa, 2v | 180MHz | |||||||||||||||||||
| 2SA1405E | - | | 4555 | 0.00000000 | Sanyo | * | Una granela | Obsoleto | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-2SA1405E-600057 | 1 |
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