SIC
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Transistores (100539)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
MRF7S38075HR5 NXP USA Inc. MRF7S38075HR5 -
RFQ
 ECAD 4257 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Monte del Chasis Sot-957a MRF7 3.4GHz ~ 3.6GHz Ldmos NI-780H-2L descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 50 - 900 mA 12W 14dB - 30 V
NSVBCH817-40LT1G onsemi NSVBCH817-40LT1G 0.0572
RFQ
 ECAD 6877 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 225 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50 mm, 500 mA 250 @ 100mA, 1V 100MHz
BLF984PU Ampleon USA Inc. Blf984pu 144.4400
RFQ
 ECAD 526 0.00000000 AMpleon USA Inc. - Banda Activo 104 V Monte del Chasis SOT-1121A BLF984 470MHz ~ 860MHz Ldmos CDFM4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 20 Fuente Común Dual 1.4 µA 650 Ma 350W 21db - 50 V
SI2101-TP Micro Commercial Co Si2101-TP -
RFQ
 ECAD 3217 0.00000000 Micro Commercial Co - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 SI2101 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 1.4a (TJ) 1.8V, 4.5V 100mohm @ 1a, 4.5V 1.2V @ 250 µA ± 8V 640 pf @ 8 V - 290MW
JANSP2N2221AUBC/TR Microchip Technology Jansp2n2221aubc/tr 231.9816
RFQ
 ECAD 9187 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/255 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo 500 MW UBC - Alcanzar sin afectado 150-JANSP2N2221AUBC/TR 50 50 V 800 Ma 50NA NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 150mA, 10V -
IPB100N04S2L-03ATMA2 Infineon Technologies IPB100N04S2L-03ATMA2 2.0900
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 100A (TC) 4.5V, 10V 3.3mohm @ 80a, 10v 2V @ 250 µA 230 NC @ 10 V ± 20V 6000 pf @ 25 V - 300W (TC)
NTD65N03R-35G onsemi NTD65N03R-35G 0.1400
RFQ
 ECAD 524 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak NTD65 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 25 V 65a (TC) 8.4mohm @ 30a, 10v 2V @ 250 µA 16 NC @ 5 V 1400 pf @ 20 V -
FDS9933 Fairchild Semiconductor FDS9933 0.3600
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FDS99 Mosfet (Óxido de metal) 900MW 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2.500 2 Canal P (Dual) 20V 5A 55mohm @ 3.2a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 20NC @ 4.5V 825pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
BC817-16WHE3-TP Micro Commercial Co BC817-16WHE3-TP 0.2400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Micro Commercial Co Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BC817 200 MW Sot-323 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) 700mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 500 mA, 1V 100MHz
AUIRFR5305TR Infineon Technologies Auirfr5305tr 2.8500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Auirfr5305 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 Canal P 55 V 31a (TC) 65mohm @ 16a, 10v 4V @ 250 µA 63 NC @ 10 V 1200 pf @ 25 V -
2SK4097LS onsemi 2SK4097LS 1.7200
RFQ
 ECAD 334 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) To20fi (ls) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 100 N-canal 500 V 8.3a (TC) 650mohm @ 5a, 10v - 30 NC @ 10 V 750 pf @ 30 V - 2W (TA), 35W (TC)
AOD526_DELTA Alpha & Omega Semiconductor Inc. Aod526_delta -
RFQ
 ECAD 4670 0.00000000 Alpha y Omega Semiconductor Inc. Alfamos Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 AOD52 Mosfet (Óxido de metal) TO-252 (DPAK) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 50A (TC) 4.5V, 10V 5mohm @ 20a, 10v 2.4V @ 250 µA 33 NC @ 10 V ± 20V 1550 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 50W (TC)
CZT955 TR PBFREE Central Semiconductor Corp CZT955 TR PBFREE 0.5700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Central de semiconductores - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA CZT955 3 W SOT-223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 140 V 4 A 20NA PNP 360mv @ 300mA, 3a 100 @ 1a, 5v 200MHz
BD435STU Fairchild Semiconductor Bd435stu -
RFQ
 ECAD 3434 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 36 W A-126-3 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 32 V 4 A 100 µA NPN 500mv @ 200MA, 2a 50 @ 2a, 1v 3MHz
IPT60T065S7XTMA1 Infineon Technologies IPT60T065S7XTMA1 3.5864
RFQ
 ECAD 2846 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2,000
MPS651RLRM onsemi Mps651rlrm 0.0900
RFQ
 ECAD 308 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto MPS651 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000
BSP299L6327 Infineon Technologies BSP299L6327 -
RFQ
 ECAD 9136 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1
SI5948DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5948DU-T1-GE3 0.6800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® chipfet dual Si5948 Mosfet (Óxido de metal) 7W Powerpak® chipfet dual descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 40V 6a (TC) 82mohm @ 5a, 10v 2.5V @ 250 µA 2.6nc @ 4.5V 165pf @ 20V -
RS1E200GNTB Rohm Semiconductor Rs1e200gntb 0.8600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Rs1e Mosfet (Óxido de metal) 8-HSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 20A (TA) 4.5V, 10V 4.6mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 1MA 16.8 NC @ 10 V ± 20V 1080 pf @ 15 V - 3W (TA), 25.1W (TC)
KSA1242YTU Fairchild Semiconductor Ksa1242ytu 0.1800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA 10 W I-pak descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0075 5.040 20 V 5 A 100 µA (ICBO) PNP 1v @ 100 mapa, 4a 160 @ 500 mA, 2V 180MHz
2SA1952-TP Micro Commercial Co 2SA1952-TP -
RFQ
 ECAD 9585 0.00000000 Micro Commercial Co - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 2SA1952 1 W D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2.500 60 V 5 A 10 µA (ICBO) PNP 500mV @ 200MA, 4A 120 @ 1a, 2v 80MHz
IRFSL3306PBF Infineon Technologies IRFSL3306PBF 2.6400
RFQ
 ECAD 1978 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IRFSL3306 Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 120a (TC) 10V 4.2mohm @ 75a, 10v 4V @ 150 µA 120 NC @ 10 V ± 20V 4520 pf @ 50 V - 230W (TC)
FS70KM-06#B00 Renesas Electronics America Inc FS70KM-06#B00 4.4900
RFQ
 ECAD 115 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * Una granela Activo FS70 km - - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1 -
IPN60R1K0CEATMA1 Infineon Technologies IPN60R1K0CEATMA1 0.7500
RFQ
 ECAD 2709 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CE Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA IPN60R1 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 V 6.8a (TC) 10V 1ohm @ 1.5a, 10v 3.5V @ 130 µA 13 NC @ 10 V ± 20V 280 pf @ 100 V - 5W (TC)
IRF6610TRPBF Infineon Technologies IRF6610TRPBF -
RFQ
 ECAD 9902 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico SQ Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ sq descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.800 N-canal 20 V 15A (TA), 66A (TC) 4.5V, 10V 6.8mohm @ 15a, 10v 2.55V @ 250 µA 17 NC @ 4.5 V ± 20V 1520 pf @ 10 V - 2.2W (TA), 42W (TC)
DDTC114YCAQ-7-F Diodes Incorporated Ddtc114ycaq-7-f 0.0524
RFQ
 ECAD 3474 0.00000000 Diodos incorporados DDTC (Serie R1 ≠ R2) CA Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Ddtc114 200 MW Sot-23-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-DDTC114YCAQ-7-FTR EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 5MA, 5V 250 MHz 10 kohms 47 kohms
RN1101,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1101, LXHF (CT 0.3300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-75, SOT-416 RN1101 100 MW SSM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 30 @ 10mA, 5V 250 MHz 4.7 kohms 4.7 kohms
IXTP180N055T IXYS Ixtp180n055t -
RFQ
 ECAD 1440 0.00000000 Ixys - Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero Un 220-3 Ixtp180 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 180A (TC) - 4V @ 1MA - -
DMP4011SK3-13 Diodes Incorporated DMP4011SK3-13 0.5541
RFQ
 ECAD 5032 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMP4011 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados DMP4011SK3-13DI EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 40 V 14a (TA), 74A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 9.8a, 10V 2.5V @ 250 µA 52 NC @ 10 V ± 20V 2747 pf @ 20 V - 1.8W (TA), 4.2W (TC)
BSM25GD120DN2E3224BOSA1 Infineon Technologies BSM25GD120DN2E3224BOSA1 -
RFQ
 ECAD 5986 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo BSM25GD120 200 W Estándar Módulo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Inversor trifásico - 1200 V 35 A 3V @ 15V, 25A 800 µA No 1.65 NF @ 25 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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