SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Drenaje real (ID) - Max
NTMFS4985NFT3G onsemi Ntmfs4985nft3g -
RFQ
ECAD 6980 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NTMFS4985 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 17.5a (TA), 65A (TC) 4.5V, 10V 3.4mohm @ 30a, 10v 2.3V @ 1MA 30.5 NC @ 10 V ± 20V 2100 pf @ 15 V - 1.63W (TA), 22.73W (TC)
NTMFS4C09NT3G onsemi Ntmfs4c09nt3g 0.4314
RFQ
ECAD 3663 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NTMFS4 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 9a (TA) 4.5V, 10V 5.8mohm @ 30a, 10v 2.1V @ 250 µA 10.9 NC @ 4.5 V ± 20V 1252 pf @ 15 V - 760MW (TA), 25.5W (TC)
NTTFS4C06NTWG onsemi Nttfs4c06ntwg -
RFQ
ECAD 4988 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN NTTFS4 Mosfet (Óxido de metal) 8-WDFN (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 11a (TA), 67a (TC) 4.5V, 10V 4.2mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 36 NC @ 10 V ± 20V 3366 pf @ 15 V - 810MW (TA), 31W (TC)
TF262TH-4-TL-H onsemi TF262th-4-TL-H -
RFQ
ECAD 4613 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, Plano Plano TF262 100 MW VTFP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 8,000 N-canal 3.5pf @ 2v 140 µA @ 2 V 200 MV @ 1 µA 1 MA
TF262TH-5-TL-H onsemi TF262th-5-TL-H -
RFQ
ECAD 8042 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, Plano Plano TF262 100 MW VTFP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 8,000 N-canal 3.5pf @ 2v 210 µA @ 2 V 200 MV @ 1 µA 1 MA
MCH3377-TL-W onsemi MCH3377-TL-W -
RFQ
ECAD 2754 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 MCH3377 Mosfet (Óxido de metal) 3 mcph descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 3a (TA) 1.8V, 4.5V 83mohm @ 1.5a, 4.5V - 4.6 NC @ 4.5 V ± 10V 375 pf @ 10 V - 1W (TA)
MCH3486-TL-H onsemi MCH3486-TL-H -
RFQ
ECAD 7386 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-3 Platos Platos MCH34 Mosfet (Óxido de metal) SC-70FL/MCPH3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 2a (TA) 4V, 10V 137mohm @ 1a, 10v - 7 NC @ 10 V ± 20V 310 pf @ 20 V - 1W (TA)
STD3155L104T4G onsemi Std3155l104t4g -
RFQ
ECAD 4202 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto - - - Std31 - - - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 - - - - - -
NVMFD5877NLWFT3G onsemi Nvmfd5877nlwft3g -
RFQ
ECAD 2988 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Nvmfd5877 Mosfet (Óxido de metal) 3.2W 8-DFN (5x6) Bandera Dual (SO8FL-DUAL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 2 Canal N (Dual) 60V 6A 39mohm @ 7.5a, 10v 3V @ 250 µA 20NC @ 10V 540pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
NVTFS4824NWFTWG onsemi Nvtfs4824nwftwg -
RFQ
ECAD 6474 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Nvtfs4824 Mosfet (Óxido de metal) 8-WDFN (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 18.2a (TA) 4.5V, 10V 4.7mohm @ 23a, 10v 2.5V @ 250 µA 29 NC @ 10 V ± 20V 1740 pf @ 12 V - 3.2W (TA), 21W (TC)
NVTFS4C06NTAG onsemi Nvtfs4c06ntag 1.6400
RFQ
ECAD 6546 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Nvtfs4 Mosfet (Óxido de metal) 8-WDFN (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 30 V 21a (TA) 4.5V, 10V 4.2mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 26 NC @ 10 V ± 20V 1683 pf @ 15 V - 3.1W (TA), 37W (TC)
NVD3055-150T4G-VF01 onsemi NVD3055-150T4G-VF01 0.8000
RFQ
ECAD 6223 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 NVD3055 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 9a (TA) 10V 150mohm @ 4.5a, 10v 4V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 20V 280 pf @ 25 V - 1.5W (TA), 28.8W (TJ)
NVD5805NT4G onsemi Nvd5805nt4g -
RFQ
ECAD 4518 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 NVD580 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 51a (TC) 5V, 10V 9.5mohm @ 15a, 10v 3.5V @ 250 µA 80 NC @ 10 V ± 20V 1725 pf @ 25 V - 47W (TC)
NVMFD5485NLWFT1G onsemi Nvmfd5485nlwft1g 1.2055
RFQ
ECAD 7009 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Nvmfd5483 Mosfet (Óxido de metal) 2.9w 8-DFN (5x6) Bandera Dual (SO8FL-DUAL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 2 Canal N (Dual) 60V 5.3a 44mohm @ 15a, 10v 2.5V @ 250 µA 20NC @ 10V 560pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
ZXMP6A13FQTA Diodes Incorporated Zxmp6a13fqta 0.5800
RFQ
ECAD 1142 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 ZXMP6A13 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 60 V 900 mA (TA) 4.5V, 10V 400mohm @ 900 mA, 10V 3V @ 250 µA 2.9 NC @ 4.5 V ± 20V 219 pf @ 30 V - 625MW (TA)
ZXMP6A16DN8QTA Diodes Incorporated Zxmp6a16dn8qta 1.4200
RFQ
ECAD 7232 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) ZXMP6A16 Mosfet (Óxido de metal) 1.81W 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 2 Canal P (Dual) 60V 2.9a 85mohm @ 2.9a, 10v 1V @ 250 µA (min) 24.2NC @ 10V 1021pf @ 30V Puerta de Nivel Lógico
IRFS7430PBF Infineon Technologies IRFS7430PBF -
RFQ
ECAD 9018 0.00000000 Infineon Technologies HEXFET®, StrongIrfet ™ Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001578352 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 195a (TC) 6V, 10V 1.2mohm @ 100a, 10v 3.9V @ 250 µA 460 NC @ 10 V ± 20V 14240 pf @ 25 V - 375W (TC)
VS-FA38SA50LCP Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-FA38SA50LCP -
RFQ
ECAD 8292 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita FA38 Mosfet (Óxido de metal) Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) VSFA38SA50LCP EAR99 8541.29.0095 180 N-canal 500 V 38a (TC) 10V 130mohm @ 23a, 10v 4V @ 250 µA 420 NC @ 10 V ± 20V 6900 pf @ 25 V - 500W (TC)
CSD25202W15T Texas Instruments CSD25202W15T 1.2800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Instrumentos de Texas Nexfet ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 9-UFBGA, DSBGA CSD25202W15 Mosfet (Óxido de metal) 9-DSBGA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 250 Canal P 20 V 4A (TA) 1.8V, 4.5V 26mohm @ 2a, 4.5V 1.05V @ 250 µA 7.5 NC @ 4.5 V -6v 1010 pf @ 10 V - 500MW (TA)
AOK75B60D1 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOK75B60D1 4.5321
RFQ
ECAD 8752 0.00000000 Alpha y Omega Semiconductor Inc. Alpha IGBT ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 AOK75 Estándar 500 W To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 785-1701-5 EAR99 8541.29.0095 240 400V, 75a, 4ohm, 15V 147 ns - 600 V 150 A 290 A 2.1V @ 15V, 75a 3.7MJ (Encendido), 1.3mj (apagado) 118 NC 33ns/84ns
SQM100N04-2M7_GE3 Vishay Siliconix SQM100N04-2M7_GE3 1.7342
RFQ
ECAD 3935 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Sqm100 Mosfet (Óxido de metal) TO-263 (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 40 V 100A (TC) 10V 2.7mohm @ 30a, 10v 3.5V @ 250 µA 145 NC @ 10 V ± 20V 7910 pf @ 25 V - 157W (TC)
EPC2024 EPC EPC2024 7.7000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EPC Egan® Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Morir EPC20 Ganfet (Nitruro de Galio) Morir descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0040 500 N-canal 40 V 90A (TA) 5V 1.5mohm @ 37a, 5V 2.5V @ 19MA +6V, -4V 2100 pf @ 20 V - -
FCH041N60F-F085 onsemi FCH041N60F-F085 14.4700
RFQ
ECAD 1306 0.00000000 onde Automotive, AEC-Q101, Superfet® II Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 FCH041 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 76a (TC) 10V 41mohm @ 38a, 10v 5V @ 250 µA 347 NC @ 10 V ± 20V 10900 pf @ 25 V - 595W (TC)
FGA6065ADF onsemi FGA6065Adf -
RFQ
ECAD 4353 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FGA6065 Estándar 306 W Un 3pn descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 450 400V, 60a, 6ohm, 15V 110 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 120 A 180 A 2.3V @ 15V, 60A 2.46MJ (Encendido), 520 µJ (apaguado) 84 NC 25.6ns/71ns
FCPF290N80 onsemi FCPF290N80 6.4900
RFQ
ECAD 773 0.00000000 onde Powertrench® Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FCPF290 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 800 V 17a (TC) 10V 290mohm @ 8.5a, 10V 4.5V @ 1.7MA 75 NC @ 10 V ± 20V 3205 pf @ 100 V - 40W (TC)
FCH104N60F-F085 onsemi FCH104N60F-F085 6.3300
RFQ
ECAD 298 0.00000000 onde Automotive, AEC-Q101, Superfet® II Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 FCH104 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 37a (TC) 10V 104mohm @ 18.5a, 10V 5V @ 250 µA 139 NC @ 10 V ± 20V 4302 pf @ 100 V - 357W (TC)
BLL8H1214LS-250U Ampleon USA Inc. BLL8H1214LS-250U 202.3650
RFQ
ECAD 2777 0.00000000 AMpleon USA Inc. - Banda No hay para Nuevos Diseños 100 V Monte del Chasis Sot-502b BLL8 1.2GHz ~ 1.4GHz Ldmos Sot502b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 20 - 100 mA 250W 17dB - 50 V
AOI2610 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOI2610 -
RFQ
ECAD 1305 0.00000000 Alpha y Omega Semiconductor Inc. - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak AOI261 Mosfet (Óxido de metal) Un 251a - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 785-1722-5 EAR99 8541.29.0095 70 N-canal 60 V 10a (TA), 46a (TC) 4.5V, 10V 10.7mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 20V 2007 pf @ 30 V - 2.5W (TA), 71.5W (TC)
SQ3418AEEV-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ3418AEEV-T1_GE3 0.3929
RFQ
ECAD 2137 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 Sq3418 Mosfet (Óxido de metal) 6-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 8A 4.5V, 10V 35mohm @ 6a, 10v 2.5V @ 250 µA 3.5 NC @ 4.5 V ± 20V 528 pf @ 25 V - 5W (TC)
FDMC6688P onsemi Fdmc6688p -
RFQ
ECAD 2840 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN FDMC6688 Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 14a (TA), 56a (TC) 1.8V, 4.5V 6.5mohm @ 14a, 4.5V 1V @ 250 µA 61 NC @ 4.5 V ± 8V 7435 pf @ 10 V - 2.3W (TA), 30W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock